Отжиг на плотность

В монокристаллах, выращенных из 148 этанола и отожженных выше 58 °С, наблюдается образование складок вдоль кристаллографической оси Ъ, а при температуре 61 °С происходит образование дырок и утолщенных участков (до 160 X по сравнению с исходной толщиной 100 А) при отжиге кристаллов, полученных из амилацетата, наблюдается утолщение от 69 до ПО А, однако дырки при этом не образуются при отжиге плотность увеличивается на 4% [c.489]

Медь —пластичный металл розовато-красного цвета плотность при 20 °С—8,94 г/см , температура плавления 1083 °С, отжига 500—700 °С. Механические свойства сильно меняются в зависимости от обработки ств = 220—450 МПа 6 = 4—60% НВ = 350— 11300 МПа, [c.229]

Заготовки для чугунных втулок отливают центробежным способом в кокиль. При вращении кокиля неметаллические включения скапливаются во внутреннем слое втулки, вследствие их меньшей плотности. В отливке предусмотрен значительный припуск на обработку отверстия, так что весь загрязненный включениями внутренний слой удаляется при механической обработке. Втулки, извлеченные из кокиля, охлаждаются на воздухе. После охлаждения металл имеет структуру, характерную для отбеленного чугуна, и плохо поддается механической обработке. Для улучшения обрабатываемости втулки отжигают. Из чугуна невозможно получить тонкостенные втулки с достаточной прочностью, поэтому металлоемкость насоса увеличивается, если использовать чугунные втулки, а не стальные. [c.345]

Хотя в полимерных расплавах равновесное значение плотности устанавливается очень быстро после достижения равновесных значений давления и температуры [т. е. р = р (Я, Т), вблизи и ниже или Ттп плотность полимера уже не определяется однозначно температурой и давлением. На величину плотности в некоторый момент времени оказывают существенное влияние температура отжига, время и скорость охлаждения или, как правило, вся термическая предыстория образца [25]. Таким образом, р = р (Г, Р, t). [c.126]

Таким образом, при диффузии возникает так называемая диффузионная пористость, которую можно изучать различными методами. В частности, наряду с проволоками—метками, помещаемыми вблизи границы медь—латунь, вторая пара размещается с обеих сторон границы на значительном расстоянии от нее. При диффузионном отжиге расстояние между проволоками в отличие от ранее рассмотренного случая возрастает. Это указывает на уменьшение плотности материала между ними, т. е. на возникновение диффузионной пористости. [c.271]

Во-вторых, металл следует освободить от (всегда хоть в небольшом количестве) растворенных в нем газов, которые при спаивании металла со стеклом выделяются п собираются в месте спая в виде мельчайших пузырьков. Их образование ведет к нарушению вакуумной плотности спая. Газы могут также образоваться в результате разложения некоторых примесей в металле (углерода, серы). Удаляют газы и газообразующие примеси из металла путем отжига металлических изделий в атмосфере водорода или в вакуумных печах при соответствующей температуре в течение определенного времени. За неимением печей отжиг проводят в восстановительном пламени газовой горелки. При отжиге в печах в увлажненной атмосфере водорода уменьшается содержание в металлах углерода. [c.127]

Рис. 3. Содержание (/) олова С (г/слг ) и локальное значение оптической плотности п (2) в зависимости от расстояния до границы контакта X (мкм) в образцах стекломассы серии I после диффузионных отжигов при температурах 900 (а), 950 (б), 1000 (в), 1050 (г) и 1100 (д) С.

Длительный отжиг при высоких (порядка 600— 1000°С) температурах приводит к незначительному (- 0,4—0,5%) падению значений плотности у бериллия технической чистоты ( 99,3%) высокочистый материал (литой, монокристальный) сохраняет плотность на уровне исходных значений. [c.9]

Рис. 23. Зависимость плотности облученного бериллия от времени изотермического отжига (номера кривых соответствуют номерам образцов в табл. 12)

После облучения дозой 2,6-102 нейтр/см2 образцы подвергались изотермическому отжигу (7 отж= ЮОО °С) с периодическим замером их плотности. Было установлено, что склонность материала к распуханию зависит от содержания в нем примесей и от его зернистости (рис. 23). [c.78]

Было установлено, что рост зерен в чистой Си (99,98%), подвергнутой ИПД кручению, начинается при 373 К и завершается к 473 К [237]. В Си обычной чистоты, деформированной подобным образом, отжиг в течение 30 мин при 423 К не привел к видимым изменениям в микроструктуре (размере зерен, плотности дислокаций, дифракционном контрасте на границах зерен) [232]. Рост зерен наблюдался при 423 К. Тем не менее, внутренние напряжения и предел текучести существенно уменьшились в интервале температур между 403 и 423 К (рис. 3.5). Авторы предположили, что [c.129]

Рис. 4.5. Электросопротивление ИПД N1 в зависимости от температуры отжига [231] Ло — электросопротивление сильнодеформированного образца. Электросопротивление измерялось при 77К п — плотность внесенных зернограничных дислокаций, — микроискажения кристаллической решетки

Электросопротивление Ni, отожженного вьппе температуры Кюри, не может описьшаться простой зависимостью от размера зерен. Здесь наблюдается значительный рост электросопротивления. Известно, что в Ni, отожженном выше температуры Кюри, появляются внесенные зернограничные дислокации [278]. Показано также, что плотность внесенных зернограничных дислокаций увеличивается с ростом температуры выше температуры Кюри (рис. 4.5). Тем не менее, только ростом плотности внесенных зернограничных дислокаций нельзя объяснить наблюдаемое изменение электросопротивления. Вместе с тем данные рентгеноструктурного анализа показывают, что вьппе температуры Кюри микроискажения кристаллической решетки растут в образцах Ni с увеличением температуры отжига [231]. Очевидно, что эти микроискажения связаны с неоднородными упругими деформациями в зернах в результате явления магнитострикции, имеющего место при температуре Кюри. Рост микроискажений и плотности внесенных зернограничных дислокаций коррелирует с ростом электросопротивления (рис. 4.5). [c.166]

Плотность сплавов N1—Со (отжиг в течение 00 мии прн температуре 980 С в атмосфере аргона) [c.170]

Содержание Со, % Содержание Н % Плотность, г/си, сплава Уменьшение плотности после отжига, % [c.170]

Температура плавления ХПЭ (полученного суспензионным методом из ПЭ низкой плотности) заметно возрастает с увеличением времени отжига, увеличиваясь до 94 °С после выдержки в течение 2 ч при 83°С. Эти изменения, установленные с помощью дифференциальной сканирующей калориметрии, свидетельствуют об изменении тонкой структуры кристаллов ХПЭ в процессе отжига. Температура плавления исходного ПЭ низкой плотности после отжига такой же продолжительности при 100 °С возрастает всего на 1°С [21]. [c.33]

Начальная стадия роста A1N пленки на 6Я-81С(0001) субстрате исследовалась в [29]. В процессе роста наблюдались особенности островкового типа, их слияние сопровождается появлением двойных позиционных границ, определяющих качество таких пленок. В [30] показано, что при статическом отжиге нитрида алюми- ния происходит деградация его структуры процесс протекает в четыре стадии, соответствующих 1) уменьшению плотности в кластерах дислокаций (1000—1200 °С) 2) образованию объемных границ (1400—1600 °С) 3) образованию тонких границ и возникновению ядер первоначальной рекристаллизации границ (1600— 1800 °С) 4) росту зерен, сопровождающемся образованием пор и осаждением растворенных элементов. Авторы [31] рассмотрели эффект влияния полного и парциального давления азота в процес- [c.7]

Дислокации создают локальные напряжения в кристалличе- ской решетке. Кроме того, на них обычно скапливаются примеси (в случае кварца подтверждением этого служит обнаруженное ранее явление декорирования дислокаций частицами неструктурной примеси при высокотемпературном отжиге кристаллов). Поэтому высокая плотность дислокаций в отдельных участках кристалла приводит к заметному ухудшению оптической однородности и появлению специфических дефектов — свилей. [c.90]

Для включений первого рода характерно то, что они захватываются кристаллом в различные периоды роста как вблизи затравки, так и вдали от нее. На этих включениях часто образуются пучки ростовых дислокаций (рис. 19, а). Однако примерно так же часто можно наблюдать на рентгеновских топограммах, как захват подобных включений не сопровождается образованием дислокаций. Выпадение тонкодисперсных включений на поверхности затравки обычно сопровождается массовым зарождением ростовых дислокаций, плотность которых составляет до 10 см- , а в отдельных случаях превосходит таковую. Кристаллы (или участки кристаллов) с такой плотностью дислокаций имеют резко неоднородное свилеватое строение. Таким образом, мелкодисперсные включения являются одним из наиболее опасных дефектов синтетического оптического кварца. Приуроченность упомянутой фазы к поверхности затравок свидетельствует о том, что ее выделение происходит в начальный период процесса, вероятно, при вводе автоклава в режим. Отмечались случаи выпадения включений, порождающих дислокации в средней части наросшего слоя. После высокотемпературного отжига образца зона, от которой начинаются дислокации, помутнела. Образование примесной зоны в данном случае было связано с запрограммированным срывом режима выращивания (температура в течение нескольких часов упала на 150°С) однако дислокации зародились лишь в местах врастания макрочастиц, а не на всей плоскости, адсорбировавшей тяже-96 [c.96]

Тернер и Уинкс (см. Е. I, 93) отметили, что барная кислота вызывает значительные отклонения от аддитивности термическото расширения, температуры отжига, плотности и светопреломления (фиг, 887 и 888), [c.880]

Фиг. 887. Зависимость температуры отжига, плотности и коэффициента линейного расширения боро-силикатного стекла от содержания трехокиси бора (Turner, Winks).

Ориентированные полимеры имеют фибриллярную (волокноподобную) надмолекулярную структуру, основным элементом которой является микрофибрилла. Микрофибриллы по своему строению гетерогенны они состоят из периодически чередующихся областей большей и меньшей плотности, соответственно из кристаллических и аморфных областей. Период повторяемости упорядоченных и неупорядоченных участков вдоль оси микрофибриллы (так называемые большие периоды), определяемый рентгенографическим методом путем съемки под малыми углами, в зависимости от природы полимера и условий ориентации и последующего отжига варьируется в пределах от нескольких единиц до нескольких десятков нанометров. Большие периоды обычно возрастают при повышении температуры ориентации и отжига. Микрофибриллы имеют достаточно четкие боковые границы, а периодическое чередование упорядоченных и неупорядоченных областей является их характерной особенностью. [c.180]

Помимо величин заряда и плотности поверхностных со-стоянйй]У , для технологии приборов большое значение имеет и стабильность этих параметров при термополевом (Т — Е) воздействии, т. е, при отжиге с одновременным приложением смещения. Оценка стабильности заряда производ11тся на основании повторного снятия С — У-кривой МОП-структуры после ее выдержки при 150—200 С [c.128]

АНИЗОТРОПИЯ (от греч. anises - неравный и tropos-направление), зависимость физ. св-в (мех., оптич., электрич. и др.) в-ва от направления. Характерна для кристаллов и связана с их симметрией чем ниже симметрия, тем сильнее А. В отношении нек-рых св-в, напр, плотности, уд. теплоемкости, кристаллы изотропны, т.е. эти св-ва не зависят от направления. А. жидких кристаллов и нек-рых жидкостей объясняется частичной упорядоченностью в ориентации молекул и А. нек-рых их св-в (напр., поляризуемости). В изотропных средах под действием электрич. или магн. поля, мех. воздействий может возникнуть искусств. А. Поликристаллич. материалы обычно изотропны А. св-в (гл. обр. механических) может возникнуть в них в результате обработки (отжига, прокатки) и создания ориентации зерен (текстуры). А. наблюдается и в некристаллич. материалах с естеств. текстурой (древесина). [c.165]

Легирование П м может быть осуществлено также путем радиац воздействия на кpи тaлJ , когда в результате ядерных р-цнй с участием собств атомов в-ва образуются электрически активные прнмесн Нанб интерес для радиац легирования представляет воздействие тепловыми нейтронами, к-рые обладают большой проникающей способностью, что обеспечивает повыш однородность легирования Концентрация примесей, образующихся в результате ней-гронного облучения, определяется соотношением N = = Л оа.С.ф/, где Яд-кол-во атомов в единице объема П м, а,-сечение поглощения тепловых нейтронов. С,-содержание (%) соответствующего нуклида в естеств смеси, ф-плотность потока тепловых нейтронов, /-время облучения Легирование облучением тепловыми нейтронами обеспечивает строго контролируемое введение заданных концентраций примесн и равномерное ее распределение в объеме кристалла Однако в процессе облучения в кристалле образуются радиац дефекты, для устранения к-рых необходим последующий высокотемпературный отжиг Кроме того, может появиться наведенная радиоактивность, требующая выдержки образцов после облучения Легирование облучением тепловыми нейтронами обычно используют для получения однородею легированных фосфором монокристаллов 1 с высоким уд электрич сопротивлением В данном случае происходят след ядерные р-ции [c.62]

При произ-ве С. термич. обработку чаще всего чередуют с механической или совмещают с ней. Если при этом приобретенные в процессе мех. обработки пластич. деформация и плотность дефектов кристаллич. решетки влияют на формирование структуры при термич. воздействии, то такал обработка наз. термомеханической. Применяя разнообразные виды термич. и мех. обработки, можно одному и тому же С. придавать существенно разл. св-ва. Напр., углеродистая сталь после пластич. деформащ1и становится тверже и прочнее, в результате послед, отжига-мягче и пластичнее если затем применить закалку, то сталь станет еще более твердой и прочной, чем первоначально. [c.408]

По этим данным можно судить, что на первой стадии вытягивания происходит увеличение доли свободного объема, распрямление части макромолекул или развертывание свернутых сегментов макромолекул в аморфных областях [93]. Однако при непрерывном уменьшении количества го(я-изомеров число транс-изомв-ров на начальной стадии вытягивания при 95 °С не увеличивается. Это объясняли [92] тем, что интенсивно протекающие релаксационные процессы при малых кратностях вытяжки препятствуют непосредственному образованию вытянутых транс-изомеров. Возможна), существует промежуточная конформация между гош- и транс-конформациями [94]. Предполагают [95], что при небольших деформациях полиэфирного волокна происходит увеличение свободного объема по слабым местам структуры, при этом плотность и доля звеньев в пракс-положении могут даже уменьшаться. Но эти изменения не связаны с разрушением структурных элементов, поскольку они обратимы — при отжиге система возвращается в первоначальное состоЯЕгие. [c.133]

Концентрация кристаллитов карбина зависит от ионов, поступающих на подложку в процессе роста пленки, и возрастает с ее увеличением. Изменение энергии в исследуемом интервале не сказывается заметно на плотности кристаллических включении. Но с увеличением энергии ионов претерпевает весьма существенные изменения параметр а кристаллической решетки карбина от 1,03 нм при Е=30 эВ до 0,831 нм при Е=150 эВ. Аналогичные изменения параметра а наблюдаются при термическом отжиге микрокристаллов карбина, которые появляются в аморфной матрице в процессе кристаллизации при бООТ. [c.30]

Дисульфид WS2 — темно-серый кристаллический порошок, мягкий и блестящий. Структура его подобна структуре MoS 2. Плотность 7,75 г/см при 20°. В природе встречается в виде редкого минерала тунгстенита. Искусственно получается нагреванием W 1 е от 375 до 500° в токе H2S без доступа воздуха, атакже сплавлением смеси К2СО3, S и WO3 при 600° до удаления паров серы с последующим отжигом при 1400° в токе Н 2S. Получается, кроме того, взаимодействием порош- [c.237]

Для получения компактного ковкого металла порошкообразный вольфрам прессуют на гидравлических прессах в разборных пресс-формах в бруски ( штабики ) поддавлением 2—5 т/см . Последние спекают в среде водорода сначала в муфельных электропечах, затем в сварочных аппаратах (печах прямого нагрева), в которых нагревающий ток пропускают непосредственно через штабик вольфрама. Температура первого спекания 1300—1400°. Оно придает штабикам некоторую прочность, достаточную для того, чтобы их можно было установить в контактных щипцах сварочного аппарата. Первое спекание также создает полностью металлический контакт между зернами вольфрама, что необходимо для последующей сварки . Второе спекание (сварка) производят при температуре, близкой к температуре плавления (порядка 3000°). Вольфрам в процессе сварки приобретает плотность 85—90% от теоретической. Окончательно пористость вольфрама устраняется только после ковки и отжига, которым штабик подвергают после сварки. [c.274]

Брусчатку для дорожного строительства изготовляют полигонным способом. В литейную яму устанавливают разборные металлические формы из листового железа толщиной 3-5 мм. Дно форм засьшают измельченным шлаком, а верх закрывают пластинами с пригрузами во избежание их смещения. Между ними оставляют зазоры в 10-15 мм для заливки шлакового расплава. Формы заполняют так, чтобы над ними образовался теплоизоляционный слой в 10-15 см. Они могут бьггь установлены в несколько ярусов. Охлаждение отливки до 80-30°С продолжается 3-5 сут. Отжиг изделий достигается за счет теплоты покровного слоя. Обычные размеры брусчатки 160x160x120 и 120x120x180мм, масса соответственно 8 и 6 кг. Другие ее показатели плотность 2000-2500 кг/м , предел прочности на сжатие в сухом состоянии 70-120 МПа, водопоглощение 2%, истираемость 0,15-0,25 г/см , морозостойкость 50-150 циклов. [c.175]

В образцах из <с>-пирамиды, ориентированных параллельно зонам роста, после отжига выявляются центры молочно-белой окраски, которые декорируют акцессорный рельеф поверхности базиса (см. рис, 28, б). Вследствие тиндалевского рассеяния аналогичные явления наблюдаются и в неотожженных образцах при интенсивном боковом освещении. Плотность окраски понижается к вершинам куполовидных акцессорий, что может быть вызвано оттеснением примеси к границам конусов нарастания акцессорий. О возможности такого процесса свидетельствуют также результаты съемок кварцевых препаратов методом теневой проекции. На фотографиях отчетливо выявляется ячеистое распределение неструктурной примеси. Участки, обогащенные примесью, обнаруживаются при визуальном просмотре в поляризованном свете пластин, ориентированных перпендикулярно к оптической оси. В отожженных кристаллах молочно-белые пленки нередко возникают непосредственно на поверхности базиса. [c.116]

Желтый неотожженный кварц опалесцирует и содержит линзовидные включения размером порядка 200 нм с плотностью 6 10 м . Отжиг при 7 500 °С приводит к превращению таких включений в сфероподобные агрегаты, образованные зернистой ноздреватой массой. Спектры оптическопо поглощения цитринов характеризуются наличием интенсивной полосы переноса железа при л<300 нм. Длинноволновой край этой полосы и накладывающиеся на него полосы поглощения Ре + небольшой интенсивности простираются в фиолетовую, голубую и частично желтую области спектра. Поэтому окраска железистых цитринов изменяется в зависимости от относительной интенсивности полос поглощения, связанных с Ре + и железом в коллоидной фазе. [c.178]

Были исследованы кристаллы синтетического кварца с примесью кобальта, окрашенные в желтый цвет. Отжиг при температуре 7" = 500 °С изменяет окраску на синюю. Дальнейший отжиг при 7 >550 °С приводит к интенсивному замутнению таких кристаллов. Спектры оптического поглощения исходного и отожженного образца приведены на рнс. 60. Электронно-микроскопическое исследование желтых, синих и замутненных кристаллов показали, что в них содержится коллоидно-дисперсная неструктурная примесь размером 30—50 нм (плотность 10 см ) в исходных и —100 нм (10" см ) —в отожженных образцах. [c.188]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология