Отжиг кристалла

При изучении закономерностей распределения неструктурной примеси в синтетическом кварце методом отжига кристаллов получены следующие результаты. В интенсивно опалесцирующих и мутнеющих после отжига кристаллах спектрофотометрическим методом обнаружено повышенное содержание натрия. Коэффициент захвата примеси натрия, а также интенсивность помутнения кристаллов после отжига возрастают с увеличением скорости роста и существенным образом зависят от природы грани. Вследствие этого распределение неструктурной примеси в кристалле носит отчетливо выраженный зональный и секториальный характер. [c.113]

Вундерлих Б. Физика макромолекул. Зарождение, рост и отжиг кристаллов. Т.2. - М. Мир, 1979.- .129. [c.34]

Рис. 159. Изменение концентрации азота, растворенного в синтетическом алмазе, от длительности отжига при 1950 °С (а) и зависимость постоянной скорости распада твердого раствора азота от температуры отжига кристаллов алмаза (6)

Упорядоченное распределение примеси по структурным позициям, не совпадающее с симметрией кристаллической матрицы, является, конечно, существенно неравновесным и поэтому может быть переведено в упорядоченное (равномерное по всем эквивалентным положениям) с помощью высокотемпературного отжига. За меру аномальности плеохроизма можно принять отношение интенсивностей самой интенсивной и самой слабой группы линий в спектре ЭПР (/тах//тт). Зависимость этой величины от температуры и времени отжига кристалла приведена на рис. 13, из которого видно, что, например, при 600 °С отжиг в течение суток практически полностью устраняет аномальное распределение примеси. Энергия активации процесса разупорядочения составляет для дымчатой окраски 0,3 эВ. [c.75]

Дислокации создают локальные напряжения в кристалличе- ской решетке. Кроме того, на них обычно скапливаются примеси (в случае кварца подтверждением этого служит обнаруженное ранее явление декорирования дислокаций частицами неструктурной примеси при высокотемпературном отжиге кристаллов). Поэтому высокая плотность дислокаций в отдельных участках кристалла приводит к заметному ухудшению оптической однородности и появлению специфических дефектов — свилей. [c.90]

Как уже отмечалось, наиболее характерным структурным дефектом синтетических кристаллов алмаза являются дисперсные замещающие углерод атомы азота (С-центры), концентрация которых обычно составляет 102 м-з. В природных же кристаллах азот присутствует чаще всего в агрегированной форме — в виде Л-центров с концентрацией до 10 м . При изучении превращения С-центров в Л-центры в результате отжига кристаллов концентрация одиночных замещающих атомов азота до (Со) и после (С() термической обработки измерялась методами ЭПР и ИК-спектроскопии путем определения коэффициента поглощения наиболее интенсивной полосы соответствующей системы. Величины Со и t усреднялись для каждого кристалла из определений двумя указанными методами. При этом методом ИК-спектроскопии контролировалось появление Л-центров после термической обработки измерением коэффициента поглощения на частоте 1282 см (а 1282) с учетом наложения системы С-центров. Общее количество образцов, обработанных при различных температурах и продолжительности выдержки и исследованных методами ЭПР и ИК, составляло 52 кристалла. [c.428]

Для оценки термостойкости магнитных и немагнитных групп кристаллов проводился их отжиг в вакууме при 1270 К в течение 600 с. Установлено, что термообработка магнитных алмазов приводит к образованию мелких сколов, трещин и выходу по ним металлических включений, которые в виде мелких шариков располагаются вдоль линии трещин. На отожженных немагнитных кристаллах эффекты, связанные с выходом металлических включений по трещинам, выражены в меньшей степени, но образуются сколы большего размера. При этом относительное снижение массы Дт/т за счет отжига кристаллов, например, фракции 630/500 составило 9 % для магнитных и 14 % для немагнитных. [c.444]

При деформации полисинтетического двойникового включения одновременно с увеличением толщины пакета двойниковых включений происходит уменьшение толщины промежуточных прослоек материнского кристалла. При этом обнаружено, что при постоянной нагрузке скорость уменьшения толщины прослоек, начиная с некоторого их значения, резко возрастает. По-видимому, с уменьшением толщины прослойки сопротивление двойникованию снижается. Подобное явление наблюдается при отжиге кристаллов натриевой селитры, когда исчезают тонкие двойникованные при комнатной температуре прослойки [45]. [c.28]

Области, где происходит складывание, не могут обладать кристаллич. структурой. Поэтому каждая пластина состоит из средней части, где молекулы упакованы в кристаллич. решетку, и неупорядоченных краевых областей, где происходит складывание макромолекул. Толщина пластины и размер складки не постоянны, они увеличиваются при возрастании темп-ры кристаллизации. При отжиге кристаллов в интервале между темп-рами кристаллизации и плавления их толщина, а следовательно, и размер складки также могут увеличиться в неск. раз, причем существенную роль в этом случае играет и продолжительность отжига. При отжиге меняется морфология кристалла и появляется большое число пор. [c.592]

Зарождение, рост и отжиг кристаллов [c.3]

Глава 7. Отжиг кристаллов [c.444]

В монокристаллах, выращенных из 148 этанола и отожженных выше 58 °С, наблюдается образование складок вдоль кристаллографической оси Ъ, а при температуре 61 °С происходит образование дырок и утолщенных участков (до 160 X по сравнению с исходной толщиной 100 А) при отжиге кристаллов, полученных из амилацетата, наблюдается утолщение от 69 до ПО А, однако дырки при этом не образуются при отжиге плотность увеличивается на 4% [c.489]

Отжиг кристаллов находящихся в контакте с растворителем [c.491]

Когда Дэвиссон в 1927 г., на этот раз совместно С Джермером, проводил опыт по рассеянию электронов от никелевой пластиики, в установку случайно попал йоздух и поверхность металла окислилась. Пришлось удалять оксидную пленку отжигом кристалла в высокотемпературной печи в восстановительной среде, пос- [c.21]

На примере кристаллов граната с лютецием было изучено влияние высокотемпературного отжига на поглощение АВ. Известно, что отжиг кристаллов уменьшает внутренние напряжения и устраняет некоторые дефекты в структуре, которые в свою очередь могут повлиять на акустические характеристики граната. Измерено затухание АВ в неотожженных образцах ИАГ состава (У д Еи с)зА15012 и в образцах после отжига. Термический отжиг 13 Заказ № 270 93 [c.193]

Как можно видеть из приведенных снимков (рис. 7), плотность зародышей золота на необлученном кристалле заметно меньше, чем на облученном. Подсчет показывает, что плотность зародышей золота на облученном кристалле составляет 3,4-10 см , а на необлученном — 1 10 см -и почти совпадает с поверхностной плотностью радиационных дефектов (3,6-10 см ). После отжига кристаллов различие между плотностями зародышей на облученном и необлученном кристаллах сглаживается. По-видимому, точечные дефекты так же, как и другие неоднородности поверхности, являются активными местами в процессе зародышеобразо-вания [29]. Для окончательного решения этого вопроса требуются дальнейшие исследования. [c.295]

Механизмы размножения Д. (увели чения их суммарной длины в единице объема) основаны на прогибании под действием внешней силы линий Д., закрепленных на своих концах ка-кими-либо препятствиями. Таким удлинением является, напр., переход отрезка дислокации EFG, закрепленного в точках и G, в положение EF G. Притягивающиеся Д. с противоположными векторами Бюргерса, лежащие в одной плоскости скольжения, при сближении аннигилируют (рис., е). Разноименные Д. в различных плоскостях скольжения аннигилируют переползанием. Вследствие этого при высокотемпературном отжиге кристалла, способ ствующем диффузии и переползанию, плотность Д. уменьшается. Распределение Д. в деформированных кристаллах обычно неравномерно. При малой степени деформации (до 10%) они часто располагаются вдоль отдельных плоскостей скольжения, к-рые на поверхности кристалла выявляются методом избирательного травления в виде линий и полос скольжения. С увеличением степени деформации часто возникает ячеис-тая структура, выявляемая электронным микроскопом и по рассеянию рентгеновских лучей. Границы ячеек состоят из густо расположенных Д., размер ячеек обычно около 1 мкм. При размножении Д. средние расстояния между нимисокращаются, их поля напряжений перекрываются и скольжение затрудняется. Чтобы оно могло продолжаться, приложенное внешнее напряжение увеличивают (см. Деформационное упрочнение). Упрочнение кристаллов достигается также введением различных препятствий для движения Д. примесных атомов (в виде легирующих добавок), частиц второй фазы (возникающих в процессе термической обработки диффузионным путем или при бездиффузионных фазовых превращениях), двойников, радиа- [c.368]

В некоторых случаях наблюдается тонкая структура рассматриваемого спектрального рефлекса, которая указывает на возможность дискретного изменения решетки внутри полосы. Возможность такого механизма деформации была указана теоретически Т. А. Конторовой [35. Микроструктура переходной полосы могла быть уничтожена путем длительного отжига кристаллов. [c.43]

Завадскому и Брэйтшнайдеру удалось показать, что отжиг кристаллов карбонатов при давлении газообразной двуокиси углерода, превышающем давление диссоциации, способствует уменьшению скорости образования окисной фазы при последующем разложении в вакууме. Это свидетельствует о предпочтительном образовании зародышей в местах повреждений поверхностей кристаллов, пропадающих при отжиге. [c.301]

Пластически деформированный кристалл уже не является более однокристаллом, но представляет собою агрегат малых смещенных кристалликов, слипшихся между собою настолько, что они представляют как бы одно целое. Можно спросить, изменяется ли при пластической деформации решетка каждого из осколков в отдельности. Исследование в поляризованном свете показывает наличие напряжений в кристаллах вследствие взаимных воздействий зерен друг на друга. Эти напряжения могут, однако, быть уничтожены посредством отжига кристалла при высокой температуре. Строение отдельных осколков было иззгчено далее посредством дебаевского метода в монохроматических лучах серебра. Этот метод показывает, что атомные расстояния не зависят от ориентации индивидуальных кристалликов. Было показано, что, несмотря на столь энергичную деформацию всего кристалла, отдельные зерна остаются неизменными. [c.248]

В разд. 7.1 приведены общая характеристика отжига и определения связанных с ним процессов, а также изложены некоторые первоначальные теории отжига макромолекулярных кристаллов. В разд. 7.2 и 7.3 рассматриваются результаты, относящиеся к отжигу кристаллов, полученных из растворов и расплавов. Наконец, в разд. 7.4 сделана первая попытка описать изменения в макромолекулярных кристаллах, возникающие в результате протекания химических реакций в основной цепи, на которые до сих пор не обращали внимания. Вообще отжиг представляет собой область макромолекулярной физики, менее понятную по сравнению с рассмотренными в предыдущих главах, поскольку она касается процессов, прдтекающих в исходной, часто не очень хорошо охарактеризованной структуре, а дальнейшие изменения в этой структуре усложняют ситуацию в еще большей степени. [c.443]

Блакеддер и Шлейнитц [12] продолжили эту работу, расширив круг растворителей и применив для исследования процессов растворения и рекристаллизации метод дифференциального термического анализа (см. также [10, 11, 68]). Петерлин и Майнел [98] исследовали процесс растворения методом рассеяния света и также установили наличие частичного растворения и рекристаллизации для кристаллов более высокой степени совершенства. Во всех случаях растворению предшествовало образование либо рекристаллизованных кромок, либо новых кристаллов. Рис. 7.18 иллюстрирует изменение доли рекристаллизованного материала с изменением скорости нагревания. Измерения проводили на суспензии кристаллов в свежем растворителе. Нагрев со скоростью 1 — 2 град/мин оказывается достаточным для подавления отжига кристаллов, образовавшихся при температуре 80 - 85 °С. Скорость нагревания, которая необходима для [c.493]

Фибриллярные кристаллы типа шиш-кебаб, вырашенные из раствора в процессе перемешивания (разд. 3.8.2, рис. 3.79 и 3.136 — 3.138, разд. 6.2.2, рис. 6,64) или при кристаллизации в процессе полимеризации (разд. 3.8.1, рис. 3.134), обладают сложной макроконформацией цепей. Внутренний остов образован более вытянутыми структурами, содержащими различные плохо охарактеризованные дефекты. Наружные слои представляют собой образовавшиеся по эпитаксиальному механизму лa eли со сложенными цепями (разд. 3.8.1). Отжиг такой структуры сопровождается сложными эффектами. Степень вытянуто-сти цепей во внутреннем остове можно измерить лишь путем рекристаллизации (разд. 7.1.2 и 7.1.3, рис. 7.12). Отжиг кристаллов со сложенными цепями должен протекать так, как описано в разд. 7.2.1. [c.495]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология