Тетрагон

СеОг (тетрагон). На основе измерения э. д. с. при высокой температуре в работе характеризованы параметры реакции образования. [c.390]

Кристаллическая система Тетрагон. Тетрагон. Орторомб. [c.398]

Кристаллическая система Гексагон. Гексагон. Тетрагон. [c.400]

Кристаллич. решетка Пространств. Группа Ромбоэдрич. Моноклинная Кубич. Тетрагон. [c.379]

Кристаллич решетка Параметры решетки Псевдо ромбич Моноклин ная Кубич Кубич Тетрагон [c.381]

Твердый Ог имеет тетрагон, объемноцентрированную решетку, а = 0,338 нм, с = 0,560 нм т. пл. 18,73 К. Н2 и Оз не изоморфны, обнаружена их ограниченная взаимная р-ри-мость в твердом состоянии. При 4,2 К предельная р-римость О2 в Н2 ок. 10% по объему, а р-римость Н2 в О 21% По хим. св-вам О аналогичен Н2, однако скорость р-ций при замещении Н на О заметно уменьшается, напр, при окислении орг. соед., взаимод. Н2 с С1г-в 5-10 раз. При электролизе воды О2 выделяется медленнее, чем Н2. [c.16]

Медь(11) образует комплексы различных геометрических структур, электронные спектры которых похожи и магнитная восприимчивость примерно одинакова. Поэтому прийти к каким-то определенным выводам относительно структуры этих соединений можно, только если изучаются твердые соединения, а не их растворы и если можно воспользоваться результатами кристаллографических исследований. Недавние исследования пятикоординационных аддуктов, образуемых различными льюисовыми основаниями и гексафторацетилацетонатом меди (II), привели к созданию метола, позволяющего различить [35] апикальные и жваторпальные изомеры тетрагона.тьной пирамиды. [c.52]

В твердом состоянии при обычном давлении А существует в двух модификациях ниже - 237,54 С устойчива а-форма с кубич решеткой типа СО (а = 0,5667 нм, пространств группа Р2,3, плотн 1,0265 г/см при - 252,50°С), выше — 237,54 °С-Реформа с гексагон решеткой типа М 0 (<з= 0,393 нм, с = 0,650 нм, пространств группа Р6з1ттс, плотн 0,8792 г/см при -210,00°С), ДЯ перехода 0,231 кДж/моль Выше 350 МПа существует третья модификация с тетрагон кристаллич решеткой [c.58]

Модификация у-А120з имеет тетрагон кристаллич решетку типа шпинели (а = 0,562 нм, с = 0,780 нм), плотн 3,3-3,4 г/см , содержит структурно связанную воду в кол-ве 1-2% Существует также аморфный А о- алюмогель, образующийся при обезвоживании гелеобразного А1(ОН)з и представляющий собой пористое, иногда прозрачное в-во [c.119]

АЛЮМИНИЯ ФТОРИД AIF3, бесцв кристаллы При обычных условиях устойчива а модификация с тригон решеткой (а = 0,5039 нм, а 58 50°, z = 2 пространств группа R32) плотн 1 882 г/см Известна также устойчивая до 710-720 °С у-модификация с тетрагон решеткой а = = 0,354 нм, с = 0,600 нм) Т возг 1270 С, С° 75,10 ДжДмоль К) ДЯвозг 272 кДж/моль ДЯ др 1510 кДж/моль, S°98 66 48 ДжДмоль К), ур ния температурной зависимости давления пара [c.121]

Криста 1ЛНЧ ре- Тетрагон Ромбич Моно- Моно- Тетрагон [c.128]

БАРИЯ ОКСИД ВаО, бесцв. кристаллы с кубич. решеткой (а = 0,5542 нм, пространств, группа Fmim плоти. 5,7 г/см ) при 23 °С и 9200 МПа превртщ. в тетрагон, модификацию (а = 0,4459 им, с = 0,3606 нмХ при 14000 МПа-в тетрагональную др. типа (а = 0,4397 нм, с = 0,3196 нм, пространств, группа Р4/птп). Т. пл 2017°С при нагр. возгоняется С° 4 99 ДжДмоль-КХ ур-ние температурной зависимости С° = 48,117 -I- 11,527-10- Г - 3,896 -10 Г -н 2,083 -10 Г" (298 - 2290 К) АН озг 24,3 к Дж/моль, - 548,0 [c.243]

БЕРИЛЛИЯ ОКСИД ВеО, бесца кристаллы. До 2100 С устойчива а-модификация с гексогон. решеткой (а = = 0,26979 нм, с = 0,43772 нм, z = 2, пространств, группа Рб тсХ при 2100-2578 °С- -модификация с тетрагон, решеткой а = 0,475 нм, с = 0,274 нм, пространств, группа P42fmnm) ДЯ° перехода а ii 0,265 кДж/моль. Т. пл. 2578 С, т. кип. 4300 °С плотн. 3,030 г/см Ср [в ДжДмоль-К)] для [c.282]

Кристаллич. решетка Ромбич. Моноклинная Ромбнч. Тригон. Кубич. Тетрагон. [c.479]

Дигидроксодихлорид НГ(ОН)2С12 7 Н2О - бесцв. кристаллы с тетрагон, решеткой разлагается выше 65 °С хорошо раств. в воде, спирте и разбавленной соляной к-те получают растворением гидроксидов НГ в соляной к-те. [c.505]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология