Гексагон

Si . В работе найдена ДЯ, jgg Si гексагон. (—14,99 ккал/моль) и куб. [c.392]

Кристаллическая система Гексагон. Гексагон. Тетрагон. [c.400]

Прочность связи Сц между двумя соседними атомами углерода в гексагональной плоскости равна 1060 ГПа, по оси с — (С33) 36,5 ГПа и параллельно слоям (С44) — 4,5 ГПа. У идеального графитового монокристалла модуль Юнга в направлении а-оси теоретически равен прочности связи между атомами углерода в гексагоне. В пековых мезофазных волокнах достигнута максимальная величина модуля при растяжении 896 ГПа [9-70], т. е. составляет более 70% от теоретической. Эти показатели пока не достигнуты в УВ из ПАН-волокна. [c.567]

Рис. Б.37. Структуры селена (гексагон), мышьяка и алмаза.

Рис. 20, Изображение некоторых пространственных групп тетрагональной и гексагона. ой сингоний

Базисные плоскости в кристалле графита уложены параллельно друг другу. Однако порядок их чередов ания может быть различным, что обусловливает наличие двух кристаллических модификаций графита — гексагональной и ромбоэдрической. Для первой из них характерно смещение слоев друг относительно друга на величину 0,1418 нм. При этом каждый третий слой по расположению атомов повторяет первый. Соседние слои смещены так, что под центром и над центром каждого гексагона находится атом углерода в прилегающем слое. [c.13]

Р-берлинит с гексагон решеткой (а = О 5038 нм, с = = 1,1063 нм, 2 = 6, ДЯ° перехода а -> Р 1,30 кДж/моль), при 705-1047 °С-гексагон модификация (ДЯ° перехода 1,09 кДж/моль), выше 1047 °С-кубическая (а = 0,71956 нм, [c.121]

В кристаллах гексагона.1ьной системы имеется четыре оси, три из которых одинаковой длины расположен1з1 в одной плоскости под углом 60"" друг к другу (рис. 11, б). К этой системе также принадлежат кристаллы немногих веществ. [c.71]

Кристаллическая система Гексагон. Кубич. Гексагои. Кубич. — Кубич. [c.279]

Диамагнитная восприимчивость. Начиная с 700 С, происходит рост удельной диамагнитной восприимчивости без заметного насыщения, что свидетельствует о начале монотонно происходящего вплоть до 3000 С увеличения гексагона/гьных углеродных слоев. Этот процесс сопровождается выше 1000 С интенсивным дегидрированием алифатических звеньев и ароматических циклов. [c.477]

Исследование УВ методом регагеносфуктурного анализа, оптической и электронной микроскопии показьшает, что в пределах моноволокна (единичного фрагмента) они, как и другие типы углеродных материалов, представляют собой системы со сложной структурой. Первичными элементами этой структуры являются плоские макромолекулы многоядерных по-ликонденсированных ароматических углеводородов и гетероатомных соединений (гексагоны, гексагональные слои), которые в принципе могут относиться к различным типам и группам сотообразных гомологических рядов ароматических моле1дтарных структур (ромбоидальные, тетрагональ- [c.53]

Имеется много гипотез о структуре графитирующихся угле( )0дных материалов и о механизме процесса графитации. По одной из них, графитирующиеся материалы после их карбонизации образованы из несовершенных элементарных слоев, по обеим поверхностям которых хаотично разбросаны "привитые" промежуточные атомы углерода, приводящие к искривлению ("морщинистости") слоев. Такие слои обозначены 1. В процессе графитации углеродного материала происходит частичное удаление промежуточных атомов, изменяется и внутренняя структура элементарных слоев. Если промежуточные атомы проектируются в центры гексагонов с беих поверхностей слоев, то такие своеобразные слои со "сверхструктурой" обозначены Эти слои не имеют искажений. Слои, "очищенные" от смещенных из положения равновесия атомов только с одной своей стороны, названы з, с обеих сторон — [c.19]

В твердом состоянии при обычном давлении А существует в двух модификациях ниже - 237,54 С устойчива а-форма с кубич решеткой типа СО (а = 0,5667 нм, пространств группа Р2,3, плотн 1,0265 г/см при - 252,50°С), выше — 237,54 °С-Реформа с гексагон решеткой типа М 0 (<з= 0,393 нм, с = 0,650 нм, пространств группа Р6з1ттс, плотн 0,8792 г/см при -210,00°С), ДЯ перехода 0,231 кДж/моль Выше 350 МПа существует третья модификация с тетрагон кристаллич решеткой [c.58]

АЛЮМИНИЯ ФОСФАТЫ Ортофосфат (фосфат) А1РО4 бесцв кристаллы Имеет четыре устойчивые кристаллич модификации до 580 °С устойчив а-берлинит с гексагон решеткой [а = 0,49429 нм, с = 1,09476 нм, 2 = 3, [c.121]

А.-серебристо-белый металл, светящийся в темноте под действием собственного а-излучения. При обычной т-ре и давлении меньше 5 ГПа устойчива модификация с двойной гексагон. решеткой типа a-La (а = О 3468 нм, с = = 1,1241 нм, 2 = 4, пространств, группа R6 /mm ). Выше 600°С устойчива модификация с кубич. гранецентриров. решеткой (а = 0,4894 нм). При давл. 11-14 ГПа и нормальной т-ре получены две др. модификации. Т. пл. 1173 С, т кип. 2607 °С рентгеноструктурная плотн. 13,67 г/см (20 °С) С° 25,85 ДжДмоль К) АЯ 1437 к Дж/моль S a 54,84 ДжДмоль К) ур-ние температурной зависимости давления пара в интервале т-р 830-1180°С р(Па) = 13,7319 - [c.125]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология