Установка определения критического пересыщения

Рис. 3.11. Схема установки для определения критического пересыщения пара

На рис. 3.11 изображена схема установки для определения критического пересыщения пара серной кислоты. Сухой, тщательно отфильтрованный воздух направляют двумя потоками в установку. Первый поток поступает в испаритель 1 для насыщения паром серной кислоты, а затем через сопло выбрасывается в камеру смешения 3, создавая тем самым свободную струю. Второй поток также направляется в камеру смешения и здесь образует среду, в которую вдувается струя. [c.116]

Рпс 6.9. Схема установки для определения критического пересыщения пара i — сопло г—камера смешения з—источник света 4 —линза 5—фотоэлемент б —свободная струя. [c.238]

На рис. 14 изображена схема установки для определения критического пересыщения пара серной кислоты. [c.61]

Изложенные соображения показывают, таким образом, что флуктуа-ционное возникновение мостика-зародыша кристаллизационного контакта между частицами дисперсной фазы может иметь место при сочетании определенных пересыщений в окружающей среде и определенных механических усилий (приложенных извне или внутренних напряжений, обусловленных кристаллизационным давлением), обеспечивающих уменьшение зазора до необходимой достаточно малой величины. Для подтверждения этих представлений проводятся непосредственные измерения усилия, приводящего к срастанию кристаллов при заданном пересыщении, с использованием разработанной ранее установки [13]. Эта установка позволяет с помощью магнитоэлектрической сис-мы плавно сблизить два кристалла, приложить на определенное время необходимое заданное сжимающее усилие (в широком интервале значений от 10 до 10 дин) и затем, прикладывая усилие в обратном направлении, измерить его критическое значение, необходимое для разъединения кристаллов, т. е. прочность контакта р . Указанная методика позволяет оценивать прочность контактов, возникающих между кристаллами различных веществ вследствие локальных пластических деформаций при разных усилиях поджима и различных температурах в газовой среде и в жидких средах, содержащих добавки поверхностноактивных веществ. [c.64]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология