Давление кристаллизационное

В работе предлагается определить количество кристаллизационной воды в частично выветренном кристаллогидрате сульфата меди. Если безводный сульфат меди соприкасается с парами воды, то в зависимости от давления паров устанавливается равновесие [c.140]

Вещество А массой д кг помещено в закрытый сосуд вместимостью V м. При температуре Т, К, часть кристаллизационной воды выделилась в газовую фазу и в сосуде установилось давление Р, Па 1) определите массу воды, связанную с веществом А 2) рассчитайте абсолютное количество твердой фазы в равновесном состоянии системы [c.285]

Найдем максимальное кристаллизационное давление, действующее на грань кристалла. Рассмотрим случай кристаллизации в системе газ — твердое. Пусть Т1>Т , г , = г 2 = 0. Газ находится в виде тонкой прослойки между стенкой и кристаллизуемым твердым веществом или в виде прослоек в пористом теле. Движущая сила массопереноса через поверхность раздела фаз, определяемая соотношением (1.198), с учетом принятых условий будет иметь вид [c.71]

Полученное соотнощение является следствием из зависимости, определяемой (1.215), при Х = 0 (процесс кристаллизации прекращается, когда движущая сила процесса становится равной нулю). Таким образом, получили выражение (1.217) для максимального кристаллизационного давления на грань кристалла, при котором кристаллизация прекращается. Подобное выражение в виде [c.72]

Развивая эти положения, А. Ф. Полак пришел к выводу, что внутренние напряжения возникают не только за счет роста контактов срастания, но и в момент их образования и срастания. Поэтому хотя увеличение числа контактов срастания положительно отражается на прочности возникающей структуры, внутренние напряжения срастания оказывают большое влияние и в целом прочность структуры снижается. В связи с этим он считает, что главным условием повышения прочности является обеспечение постоянной скорости процесса срастания кристаллов. Таким образом, прочность системы зависит от соотношения кристаллизационного давления и прочности монокристалла. [c.340]

Особый интерес представляет равновесная влажность над раствором некоторых твердых веществ (или жидкостей), применяемых для осушки воздуха. Давление пара над ненасыщенным раствором понижается по мере увеличения его концентрации с нли уменьшения содержания воды Е. Согласно диаграмме кристаллизационного равновесия (рис. УП1-47) с повышением температуры увеличивается концентрация насыщенного раствора и, следовательно, уменьшается значение Еп на диаграмме сушки. Этим объясняется характер хода изотерм на диаграмме Р — Е. Для любой точки такой изотермы можно определить относительную влажность в % данного давления пара Р от давления насыщенного пара при той [c.640]

Для создания собственных напряжений в цементном камне в состав цемента вводят расширяющие добавки, которые, участвуя в химических реакциях с водой, веществом цементного камня или между собой, вызывают образование и рост кристаллов в порах структуры цементного камня. Кристаллизационное давление роста этих кристаллов и вызывает раздвижку элементов структуры цементного камня. [c.132]

Величина кристаллизационного давления определяется следующим выражением [c.56]

Вещество А в количестве кг помещено в закрытый сосуд емкостью V м . При температуре Т, К часть кристаллизационной воды улетучилась и в сосуде установилось избыточное давление Р н1м [c.247]

Интенсивность высушивания кристаллогидратов тем больше, чем выше равновесное давление водяного пара над ними, т. е. чем выше температура и больше число молекул кристаллизационной воды, связанных с молекулой безводного вещества (см. разд. 5.4.6). Однако для получения сухого кристаллогидрата, не содержащего свободной влаги, температура сушки не должна превышать температуры его плавления, т. е. точки превращения его в безводное вещество или кристаллогидрат с меньшим содержанием связанной воды. Обычно вещества, содержащие много кристаллизационной воды, плавятся при невысоких температурах, что предопределяет возможность их сушки без плавления лишь экстенсивным способом. [c.361]

Внутренние напряжения обусловливаются несколькими причинами кристаллизационным давлением, осмотическим давлением или перекристаллизацией первоначально возникших гидратных фаз. [c.352]

Собственные напряжения в твердеющем цементном камне возникают на таком этапе твердения цемента, когда поры, уменьшающиеся в процессе гидратации, достигают размеров, при которых становится невозможным их прорастание растущими кристаллогидратами при данной степени пересыщения жидкой фазы. Чем больше пересыщение, тем меньше радиус прорастающих пор. Поэтому для уменьшения вероятности появления кристаллизационного давления необходимо, чтобы гидратные новообразования возникали преимущественно в крупных порах при достаточно высоких [c.352]

Характерная особенность кристаллизационных дисперсных структур — развитие в процессе их формирования внутренних напряжений, которые являются результатом давления, возникающего при направленном росте кристаллов, связанных друг с другом в жесткую пространственную сетку. По данным С. И. Конторович, Л. М. Рыбаковой с сотр., значения напряжений, рассчитанные по уширению рентгеновских линий, могут составлять 10 Н/м и более. Если напряжения, развивающиеся в ходе формирования структуры, достигают ее прочности, то кристаллизация в процессе гидратации исходного вяжущего вещесгва приводит к разрушению структуры по отдельным наиболее слабым участкам. Такое разрушающее действие внутренних напряжений может обнаруживаться в снижении прочности структуры по мере протекания гидратации. Если внутренние напряжения ниже прочности структуры, то явного разрушений, сопровождающегося ] релаксацией, не происходит, они сохраняются в материале в виде упругой деформации кристаллов и связанной с ней избыточной энергией [15]. [c.384]

ДаЕ ление пара твердых кристаллогидратов, являющееся следствием их диссоциации, зависит не только от температуры, но и от числа молекул кристаллизационной воды в молекуле кристаллогидрата. С повышением температуры равновесное давление водя- [c.145]

Характерной особенностью кристаллизационных дисперсных структур является развитие в процессе их формирования внутренних напряжений. Внутренние напряжения являются результатом давления, возникающего при направленном росте кристалликов, связанных друг с другом в жесткую пространственную сетку. По данным [c.322]

Процесс разрушения ускоряется давлением вышележащего слоя гранул и особенно сильно в интенсивном режиме кипящего слоя . Эффективным путем предотвращения ускоренного разрушения адсорбентов и катализаторов является формирование оптимальной конденсационной (кристаллизационной) структуры с прочными фазовыми контакта,м и между составляюЩ ИМй гра-нулу частицами. [c.345]

Связь между отдельными кристаллами или сростками кристаллов, отличающихся друг от друга структурой, может осуществляться адгезионно-когезионными силами, сжимающими усилиями высыхающей гелеобразной массы и механическим сцеплением сжатых (силами кристаллизационного давления растущих кристаллов) частиц [119]. [c.39]

Наблюдающиеся время от времени спады прочности на поздних этапах твердения Сз5 (рис. 35) могут быть объяснены развитием кристаллизационного давления и растворением части термодинамически неравновесных контактов в результате изменения условий пересыщения. Следует заметить, что гидратированные образцы СзЗ значительно меньше других минералов, имеющих ярко выраженную кристаллизационную структуру твердения, обнаруживают деструктивные явления. В них значительная часть гелеобразной массы сохраняется длительное время и обеспечивает эластичность пространственной структуры, сохранение высокой прочности. [c.88]

При р = О силикагель еще содержит немного воды, что характеризуется отрезком О А. Это кристаллизационная вода, которая может быть удалена только прокаливанием. Изотерма адсорбции обратима лишь на участке АВ. От точки В изотерма становится необратимой — одной и той же массе влаги mi при поглощении отвечает давление пара рь а прн обезвоживании — р2, причем Р > р<2. Это становится ясным, если провести параллельную абсциссе линию, пересекающую гистерезисную петлю, и из точек пересечения опустить перпендикуляры на ось давлений. Зигмонди объяснил подобное явление тем, что на участке BED происходит капиллярная конденсация, а на участке B D — испарение воды из капилляров. Воздух, адсорбированный сухими стенками капилляров, препятствует их смачиванию при оводнении силикагеля. Очевидно, вследствие этого краевые углы, образуемые жидкостью со стенками капилляров при оводнении силикагеля, будут всегда больше соответствующих углов при испарении, когда стенки полностью смочены водой. В результате мениски жидкости, заполняющей капилляры, в первом случае также всегда будут менее вогнуты, чем во втором, и давление пара, отвечающее одному и тому же количесту поглощенной силикагелем жидкости, при оводнении будет больше, чем при обезвоживании. . [c.101]

Наиболее простыми и дешевыми являются процессы депарафинизации непосредственной кристаллизацией без применения растворителей. В этих процессах исходный продукт охлаждается в кристаллизационных устройствах до нужной температуры и выкристаллизовавшийся парафин из охлажденного продукта удаляется фильтрацией на фильтрнрессах под повышенными, , давлениями. В результате фильтрации получаются два продукта фильтрат, являющийся депарафинированным продуктом, и гач, представляющий собой концентрат парафина с содержанием парафина примерно 60—80%. Гач направляется далее на обез-масливание для изготовления технического парафина-сырца, а из него после очистки получают товарный технический парафин. [c.94]

Диаграмма равновесия между различными кристаллогидрата-ии сернокислой меди и водяным паром при 50 °С изображена на рис. XIII, 12. На оси абсцисс отложено число молей кристаллизационной воды, приходящихся на один моль соли, на оси ординат—давление водяного пара. При достаточно малых давлениях соль и вода (в виде пара) между собой не реагируют. Следователь- [c.389]

Это уравнение совпадает с известным выражением для максимального кристаллизационного давления (т. е. давления на закрытую грань растущего кристалла), полученным из уравнений равновесной термодинамки [319]. Полученный здесь вывод следует из более строгого анализа неравновесных процессов на основе необратимой термодинамики. [c.109]

Рис. 89. Зависимость давления диссоциации кристаллогидратов Си304 от количества кристаллизационной воды.

Зещество А в количестве ц кг помещено в закрытый сосуд вмес-гимоетью V м . При температуре Т, К часть кристаллизационной воды иыделплась в газовую фазу и в сосуде установилось давление Р, Па 1) определите количество воды, которое осталось связанным с вбщест-иом А 2) рассчитайте абсолютное количество твердой фазы в равновесном состоянии системы 3) вычислите /Ср,/Се. А4г и ДОг реакции при температуре Т, К- [c.231]

Изомеризация кислородсодержащих соединений. В 1963—65 гг. фирмой Henkel (ФРГ) разработан технологический процесс получения терефталевой кислоты высокой степени чистоты из калиевых солей фталевой или изофталевой кислот. Схема процесса изображена на рис. 3.16. Высушенная в аппарате I калиевая соль, не содержащая кристаллизационной воды, пропускается через реактор 2 в атмосфере Oj при 400—430 °С под давлением 0,5—2,0 МПа в присутствии измельченного кадмийсодержащего катализатора, взятого в количестве нескольких мольных процентов. В этих условиях степень превращения исходного сырья составляет почти 100%, выход дикалийтерефталата достигает 95—98%. [c.94]

Многие расширяющиеся цементы содержат добавки, из которых в порах цементного камня образуется эттрингит. Этот минерал, как мы видели, образуясь в процессе коррозии, вызывает разрушение цементного камня. В случае коррозионного разрушения образование эттрингита происходит неравномерно в объеме цементного камня. Когда же эту реакцию используют для получения управляемого процесса расшире1шя, то расширяющую добавку тонко диспергируют и равномерно распределяют в цементном порошке, а ее химическую активность выбирают такой, чтобы расширение происходило на определенной стадии твердения, когда структура уже способна воспринимать кристаллизационное давление, но в то же время еще сохраняется возможность восстановления нарушенных при расширении контактов. К таким расширяющим добавкам относится, например, смесь сульфата кальция, алюмината кальция и гидроксида кальция. [c.133]

Известь кипелка применяется как расп]иряющая добавка г. тампонажных цементах. При этом используется большое кристаллизационное давление при переходе из СаО в Са(ОН)г. Неуправляемый процесс этого перехода вызывает растрескивание затвердевших вяжущих веществ, содержащих включения СаО. [c.146]

Формула для расчета кристаллизационного давления учитывает многообразие условий его развития при росте кристалла в сторону препятствия Она отражает влияние вида материала ( ), размера грани кристалла - перемычки в зазоре между растущим кристаллом и препятствием (а) и степени пересыщения раствора (а) на абсолютные значения кристаляизационного давления. Если величина а), а, следовательно, и площадь контакта между новообразованием и препятствием малы, то и давление незначительно, ибо при а 10" м имеем [c.56]

Как отмечает И. В. Кравченко, расширение цементного камня является следствием интенсивного роста кристаллов гидратных новообразований в определенный период развития кристаллизационной структуры твердеющего цементного камня. Рост кристаллов расширяющего компонента (гидросульфоалюмината) должен достичь максимума в совершенно определенной отрезок времени, именно тогда, когда в цементном камне закристаллизовавшихся участков достаточно для того, чтобы растущие кристаллы могли их раздвигать и вызывать расширение. При быстром образовании гидросульфоалюмината кальция в период, когда камень еще не приобрел достаточной жесткости, его расширение не фиксируется. Продолжительный рост кристаллов гидросульфоалюмината кальция обусловливает большое расширение. Если добавить больше гипса к обычному цементу, то последние его порции будут связываться в гидросульфоалюминат кальция в отдаленные сроки, когда структура цементного камня приобрела высокую прочность. Рост его кристаллов вызовет не только расширение, но и разрушение камня. Именно ускоренным ростом кристаллов эттрингита по сравнению с ростом кристаллов других гидратных новообразований объясняется тот факт, что при образовании гидросульфоалюмината кальция возникает расширение цементного камня. Согласно этому воззрению расширение и разрушение цементного кдмня вызывает силы кристаллизационного давления в процессе роста кристаллов эттрингита. [c.361]

Шейкин А. В. утверждает, что расширение под действием кристаллизационного давления возможно только в первый период твердения, а в последующий период действие оказывает осмотическое давление. По его мнению, гидросульфоалюминат кальция образует тонкие оболочки вокруг гидратирующих цементных зерен, способные создавать высокие разности концентраций растворов в зоне перехода и капиллярном пространстве и тем самым вызывать большое осмотическое давление. При отсутствии гипса или недостаточном его количестве вокруг гидратирующихся цементных зерен образуются рыхлые оболочки, состоящие преимущественно из гидросиликатов кальция. При таких оболочках осмотическое давление не может достичь большой величины. [c.361]

Вероятно, в течение первых 30 мин в дисперсии СзА создается большое количество таких сростков, упрочняющих дисперсную структуру. Затем на кривых структурообразования отмечается падение прочности примерно на половину достигнутой величины. На основании косвенных экспериментальных данных (укрупнение размера частиц и привлечения представлений о растворении термодинамически неравновесных контактов и мелких частиц, наличии кристаллизационного давления, образовании некоторого количества СзАНв, вследствие экзотермии гидратации) можно удовлетворительно объяснить происхождение таких спадов прочности. Позднее структура снова упрочняется и с тем большей интенсивностью и [c.96]

Вследствие частичного растворения новообразований, их перекристаллизации или разрушения слоя гидрата на поверхности зерен негидратированного вяжущего кристаллизационным давлением [283] нарушаются возникшие ранее контакты в дисперсной структуре. Преобладание в системе деструктивных явлений над процессами создания новых, энергетически выгодных контактов выявляется на кривой кинетики структурообразования в виде спадов прочности (уменьшение значений и V). Спады прочности особенно заметны в ранних периодах твердения, когда весьма развиты [c.103]

Установлено [290], что колебания температуры или концентрации дисперсионной среды способствуют перекристаллизации мелких частиц дисперсной фазы путем их растворения. Показано, что это явление имеет место при кристаллизационном структурообразова-нии вяжущих и обусловливает изменение прочности цементного камня. Учитывая, что интенсивность перекристаллизации увеличивается с уменьшением концентрации дисперсной фазы (в данном случае новообразований), можно полагать, что она имеет место и в указанном периоде твердения. Особенно сильно растворяются кристаллы эттрингита, которые соприкасаются с дисперсионной средой [207], кроме того, вследствие кристаллизационного давления и других факторов [133, 134] происходит отторжение гидратных гелевых слоев с некоторых частей поверхности негидратированных частиц. Происходит разрушение части старых контактов, образованных сцепленными микроагрегатами, и самих микроагрегатов, создание новых, энергетически более выгодных коагуляционных и фазовых контактов. Преобладание деструктивных явлений над структурообразованием наиболее четко выражено в начале второй стадии и проявляется на кривой кинетики структурообразования более или менее глубоким минимумом. [c.107]

В Белорусском политехническом институте [68, 71] разработаны основные принципы и экспериментально проверена возможность формирования кристаллизационных структур на основе дигидрата сульфата кальция, что открыло перспективы получения строительных материалов и изделий непосредственно из гипсового сырья как природного, так и синтетического, в том числе фосфогипса, без традиционного перевода его путем обжига в вяжущее. Выполнен комплекс научно-исследовательских и опытноконструкторских работ по изучению новых эффективных технологических приемов получения гипсовых строительных материалов с использованием прессующего давления, позволивший значи- [c.31]

Способом термопрессования в статическом режиме в открытом объеме (р = 80 — 100 МПа, г = 160 — 170 °С) получены образцы с прочностью на сжатие 55-75 МПа. Образование в условиях термопрессования прочных систем на основе полугидрата сульфата кальция объясняется следующим. Внешнее давление активно способствует процессу дегидратации кристаллов гипса при высоких температурах, а выделяющаяся при этом кристаллизационная вода первоначально выступает в роли смазки, в свою очередь способствующей более плотной упаковке кристаллов полугидратных образований в процессе прессования. Вода при повышенном внешнем давлении выходит в атмосферу через отверстия в пресс-форме, образующийся плотный и прочный камень представлен в основном а-полугидратной фазой сульфата кальция. Недостатком способа является большая длительность процесса прессования (до 45 мин) [71]. [c.37]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология