Индий фосфид

Кристаллы полупроводниковых соединений получают из особо чистых компонентов сплавлением и последующей кристаллизацией из расплава. Температурные условия получения диктуются диаграммами состояния систем. Во многих случаях приходится применять двухтемпературные печи. Чаще всего синтез производят в откачанных и запаянных кварцевых ампулах (см. рис. 76). При вибрационном перемешивании и медленном охлаждении можно получить монокристаллические образцы арсенидов галлия и индия. Фосфид индия можно получить выкристаллизацией его из расплавов, содержащих избыток In. [c.266]

Индий антимонид Индий фосфид [c.225]

ИНДЙЯ ФОСФИД InP, темно-серые крист. ( л 1062 °С не раств. в воде, медленно реаг. с НС1 и HjSOi, быстрее— с HNO3. Получ. взаимод. паров Р с расплавленным In при 1062 °С и 5-10 Па. Полупроводниковый материал в микроволновых приборах, инжекционных лазерах, СВЧ приборах. [c.220]

Индия фосфид (0,5 г 10).- См. Галлия фосфид (отгонка фосфора в виде РНз, экстракция индия диэтиловым эфиром из 5 н. раствора НВг). [c.379]

АНТИМОНИД ИНДИЯ, АРСЕНИД ИНДИЯ, ФОСФИД ИНДИЯ [c.201]

Как видно из рис. 13—19, диаграммы состояния соединений А В5 однотипны. Равновесная газовая фаза этих соединений состоит в основном из более летучего компонента. Несмотря на заметную диссоциацию, почти во всех исследованных с этой точки зрения соединениях типа А В при затвердевании наблюдается сильная тенденция к образованию соединений стехиометрического состава. Это очевидно из того факта, что удается получить антимонид индия, фосфид индия и арсенид галлия с такой ничтожной концентрацией примесных атомов, которая не могла бы наблюдаться при сколько-нибудь заметных отклонениях от стехиометрии (имея в виду, что сверхстехиометриче- [c.81]

Для рядов А , А В и А В оказались общими одни и те же значения членов, множителей и показателя степени п. Таким способом были рассчитаны А веществ А , А В , А В и А Вб. Совпадение расчетных значений с экспериментальными в ряде случаев хорошее. Однако определенная в настоящее время ширина запрещенной зоны фосфида бора (см. стр. 90) отличается от предсказанной на 1,4 эв. По-видимому, не укладывается в упомянутые зависимости ширина запрещенной зоны и еще некоторых других веществ (например, арсенида индия, фосфида галлия и др.). [c.199]

Определение серы в галлци, индии, фосфиде и арсениде индия и оксиде мышьяка. Растворение пробы проводят в установке (рис. 7.2) одним из указанных ниже способов в восстановительной смеси (300 мл НС1+ +500 мл Н1+150 г гипофосфита натрия + 200 мл воды), которую готовят кипячением в колбе с обратным холодильником в течение 6—8 ч. [c.187]

Полупроводниками называют кристаллические вещества, электропроводность которых характеризуется следующими особенностями 1) при повышении температуры проводимость их возрастает 2) для каждого полупроводника существует некоторый высший предел температуры, ниже которого величина его проводимости зависит от присутствия в нем примесей и различного рода нарушений периодичности его решетки. Полупроводниками являются некоторые элементы и многочисленные соединения. Наиболее изученные и распространенные материалы среди получивших промышленное применение — германий и кремний. Весьма перспективными для производства новых видов приборов являются арсепиды галлия и индия, фосфиды галлия и индия, сульфиды, селениды и теллуриды кадмия и некоторые другие. Известно несколько сотен полупроводников. [c.7]

Химический энциклопедический словарь (1983) -- [ c.220 ]

Большой энциклопедический словарь Химия изд.2 (1998) -- [ c.220 ]

Справочник Химия изд.2 (2000) -- [ c.310 ]

Вредные химические вещества Неорганические соединения элементов 1-4 групп (1988) -- [ c.234 ]

Общая и неорганическая химия (1981) -- [ c.351 , c.434 ]

Машинный расчет физико химических параметров неорганических веществ (1983) -- [ c.217 ]

Основы общей химии Том 2 (1967) -- [ c.223 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология