Галлий фосфид

ГАЛЛИЯ ФОСФИД GaP, желто-оранжевые крист. tnn 1465 °С не раств. в воде и минер, к-тах медленно реаг. с р-рами щелочей с образованием РНз при 700°С на воздухе окисляется. Получ. синтезом из элементов при 500 °С. Полупроводниковый материал, напр, для диодов. [c.118]

Теллурид кадмия Арсенид галлия Фосфид индия Антимонид индия [c.210]

Фосфиды марганца, железа, никеля, кобальта, редкоземельных металлов, галлия Фосфиды меди, бора, титана [c.18]

Галлия фосфид 4- Натрия нитрит + [c.785]

Индия фосфид (0,5 г 10).- См. Галлия фосфид (отгонка фосфора в виде РНз, экстракция индия диэтиловым эфиром из 5 н. раствора НВг). [c.379]

АРСЕНИД ГАЛЛИЯ, ФОСФИД ГАЛЛИЯ [c.150]

Наличие больших мощностей возбуждения приводит к перегреву кристалла. Для уменьшения перегрева импульсы тока подаются кратковременными посылками от миллисекунд до микросекунд, а кристалл охлаждается. В качестве активного вещества могут быть использованы также арсенид-фосфид галлия, фосфид галлия и арсенид индия. [c.93]

Определение кислорода и водорода в галлии методом вакуум-плавления Арсенид галлия, фосфид галлия. [c.523]

Рост требований науки и техники к чистоте материалов заставил аналитическую химию обратиться к определению малых количеств примесей в чистых веществах. В первые годы развития атомной промышленности необходимы были высокочистые уран, торий, бериллий, цирконий, ниобий и другие металлы. В дальнейшем еще более чистые вещества потребовались электронной технике — германий, кремний, арсенид галлия, фосфид индия и другие полупроводники. Необходимо было наладить производство люминофоров, сцинтилляционных материалов, которые также должны отвечать жестким требованиям в отношении чистоты. Перед химической промышленностью была поставлена задача изготовления особо чистых химических реактивов и большого числа чистых вспомогательных веществ. Стали существенно более чистыми металлы и сплавы, в частности употребляемые как жаропрочные и химически стойкие. [c.3]

I Исходя из указанных выше представлений о взаимодействии микрокомпонента с коллектором, обладающим противоположными свойствами, мы разработали ряд методов химико-спектрального определения примесей в алюминии, арсениде галлия, фосфидах индия, таллия, в горных породах [14—16]. [c.239]

Масс-спектрометрическим методом с использованием искрового источника можно обнаружить в антимониде галлия, фосфиде индия, антимониде индия до 3-10 ат.% Re, в арсениде галлия — до 2-10 ат.% Re [131]. [c.263]

Развитие новых отраслей промышленности — атомной энергетики, ракетостроения, полуироводниковой техники — связано с ирименением материалов особой чисто-т ы, К ним относятся, например, элементные полупроводники (германий, селен, теллур), полупроводниковые соединения (арсенид галлия, фосфид индия), высокочистые цирконий, ниобий и др. В отдельных случаях содержание примесей в этих материалах не должно превышать 10 — 10- %. Для определения различных содержаний элементов необходимы соответствующие методы анализа. В одних случаях для применяемых методов характерным является низкий предел обнаружения, в других — в ы с о- [c.6]

Галлия фосфид (0,5 г, 10) Мп (I), d, u (3), Ni, Pb, Zn (10), Fe, Mg (30), Al (100). 1. Экстракция хлороформом комплексов металлов с ДДТК. 2. С (3% ОагОз) пост. т. 15 а, 30 сек [97]. [c.379]

Возросшие требования науки и техники к чистоте материалов заста-вшпг аналитическую химию обратиться к определению малых количеств примесей в чистых вегцествах. С развитием атомной промышленности потребовались высокочистые уран, торий, бериллий, цирконий, ниобий и другие металлы. Для электронной техники были необходимы более чистые венцества — германий, кремний, арсенид галлия, фосфид индия и другие полупроводники. Жесткие требования в отношении чистоты предъявлялись также к люминофорам и сцинтилляционным материалам. Химической промышленности необходимо было наладить изготовление особо чистых химических реактивов и большого числа вспомогательных веществ. [c.318]

Важнейшая задач химии полупроводников заключается в создании новых полупроводниковых материалов. Еще в 60-х годах в радиоэлектронике применялись только германий и кремний. А в настоящее время в промышленной электронике и радиотехнике помимо кремния и германия нашли широкое применение полупроводниковые соединения антимонид индия, арсенид галлия, фосфиды индия и галлия, халькогениды цинка, кадмия, ртути, свинца, висмута, сурьмы, а также карбид кремния и др. Число сложных полупроводниковых фаз (соединений и твердых растворов), перспектавных для их практического применения, неуклонно растет из года в год. [c.6]

Зонную плавку используют для удаления атомов примесей из кристаллов простых веществ (германий, кремний, теллур, металлы), а также соединений при условии, что они плавятся без разложения (например, антимонид сурьмы, хлористый натрий [13], тройные соединения [14]). Если соединения разлагаются с выделением летучего компонента, то их все же можно подвергать зонной плавке, если предотвратить разложение, поддерживая во всей системе соответствующее давление пара данного компонента. Для этого слиток помещают в запаянную кварцевую трубку [15]. Соединение начинает диссоциировать, но образующийся при этом пар препятствует дальнейшему течению процесса. Совершенно очевидно, что температура всей трубки должна быть достаточно высоко й, чтобы не происходило конденсации летучего компонента, т. е. выше те мпературы, при которой чистый компонент имеет давление пара, равное тому, которое поддерживается в системе. Указанный метод используется для проведения кристаллизации арсенида галлия, фосфида индия [15], хлористого и бромистого серебра [16]. В более сложной установке используется двухтемпературная печь при этом давление пара летучего компонента регулируется путел нагревания в одном из концов трубки некоторого количества этого компонента до температуры, соответствующей заданному давлению пара (рис. 1.8) [17]. Необходимо принять специальные меры, чтобы поддерживаемая температура чистого компонента была самой низкой температурой системы. Такую методику применяли, например, при кристаллизации сульфида свинца, теллурида кадмия, арсенида галлия [17]. Наконец, для поддер- [c.18]

Границы фазовых полей окиси и закиси меди на Т-х-проекции диаграмм состояний показаны схематически. На Р-Г-проекции линия стехиометриче-ской закиси меди по данным работы [51] помещена в поле этого же соединения, но эта линия может быть и не точной (см. разд. XV. 5). Р-Т-проекции трехфазной линии арсенидов индия и галлия, фосфида индия определены Ван-ден-Боомгаардом и Шолом [10]. [c.88]

Химический энциклопедический словарь (1983) -- [ c.118 ]

Неорганические люминофоры (1975) -- [ c.145 , c.149 ]

Большой энциклопедический словарь Химия изд.2 (1998) -- [ c.118 ]

Справочник Химия изд.2 (2000) -- [ c.310 ]

Вредные химические вещества Неорганические соединения элементов 1-4 групп (1988) -- [ c.224 , c.226 , c.227 , c.229 ]

Общая и неорганическая химия (1981) -- [ c.351 , c.434 ]

Машинный расчет физико химических параметров неорганических веществ (1983) -- [ c.217 ]

Применение спектров комбинационного рассеяния (1977) -- [ c.456 , c.561 , c.564 ]

Основы общей химии Том 2 (1967) -- [ c.223 ]

Основы общей химии Том 2 Издание 3 (1973) -- [ c.67 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология