Индий арсенид

Арсенид индия. Арсенид (мышьяковистый) индия подобно InSb относится к числу интереснейших полупроводниковых соединений благодаря высокой подвижности носителей тока, малой эффективной массе и большому отношению подвижности носителей. [c.141]

Индия арсенид + Свинца ниобат + [c.785]

Окислы индия арсенид, стибид, теллурид индия [c.297]

АНТИМОНИД ИНДИЯ, АРСЕНИД ИНДИЯ, ФОСФИД ИНДИЯ [c.201]

Решение вопроса о ширине области гомогенности в соединениях типа А В несомненно требует применения комплекса методов. До сих пор прецизионный рентгеновский анализ в отношении соединений фосфида индия, арсенидов индия и галлия не дал указаний на существование заметной области гомогенности вблизи стехиометрического состава [109, ПО]. Для сурьмянистого индия также не удалось заметить какого-либо отклонения от стехиометрии с помощью исследования электрических свойств [П1—ПЗ]. [c.82]

Физико-химические свойства арсенида индия. Арсенид индия кристаллизуется в кубической структуре цинковой обманки (сфалерита), аналогичной структуре алмаза, с тем отличием, что в решетке чередуются атомы индия и мышьяка. Атомы каждого сорта образуют свои куби-ческиетранецентрированные подрешетки, каждая из которых смещена относительно другой на четверть диагонали куба. При обычных условиях арсенид индия достаточно устойчив. Окисление на воздухе начинается при 450°С, диссоциация в вакууме — около 720° С. Арсенид индия хорошо растворяется в кислотах, являющихся окислителями, причем процесс идет интенсивнее в присутствии комплексообразователей. [c.69]

ИНДИЯ АНТИМОНИД InSb, серые крист, с металлич. блеском Гпл 546 °С в воде и орг. р-рителях не раств. Получ. сплавлением In со Sb. Полупроводниковый материал для детекторов ИК излучений, фотоэлементов, датчиков эффекта Холла, сверхвысокочастотных транзисторов. ИНДИЯ АРСЕНИД InAs, темно-серые крист, с металлич. блеском ( л 943 °С, не раств. в воде и орг. р-рителях. Получ. сплавлением In с As. Полупроводниковый материал для фотоэлементов, датчиков эффекта Холла, детекторов ИК излучений, термоэлектрич. генераторов, сверхвысокочастотных транзисторов. [c.220]

ИНДИЯ АРСЕНИД InAs, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая тип сфалерита а = 0,603886 нм, 2 = 4, пространств, группа f43m) т. пл. 943 °С плотн. 5,666 г/см, жидкого 5,850 г/см (970 °С) С" 49,32 ДжДмоль-К) 77,2 кДж/моль, -57,9 кДж/моль- [c.230]

Четырехкомпонентные системы фосфид индия—арсенид галлия. Для анализа систем InP — GaAs разработаны экстракционно-фотометрические методы [68]. [c.204]

Антел и Эффер [156, 157] наблюдали транспорт фосфида индия, арсенида индия и арсенида галлия [c.79]

Индия арсенид (50) A g (0,1), d, Со (0,3), Ве, Bl, Mn (0,4), r, Zn (0,5), u (0,8), Pb (1), Ni (2), Al, Mg (10), a (50). 1. Отгонка АзВгз, экстракция индия хлорексом из 4—8 и. раствора НВг. 2. С (4% Na l) пост, т., 25 сек [925]. [c.380]

Индия арсенид (50) g (0,1), Сс1, Со (0,3), Ве, В1, Мп (0,4), Сг, 2п (0,5), Си (0,8), РЬ (1), N1 (2), А1, Мд (10), Са (50). 1. Отгонка АзВгз, экстракция индия хлорексом из 4—8 н. раствора НВг. 2. С (4% МаС1) пост, т., 25 сек [925]. [c.380]

Метод Чохральского является в настоящее время одним из основных в технике выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов [105]. Он позволяет также получать равномерно легированные монокристаллы, производство которых имеет чрезвычайно большое значение при изготовлении полупроводниковых приборов 99]. Рассматриваемым методом выращиваются также монокристаллы различных химических соединений, например арсенида индия, арсенида галлия, фосфпда индия [96] и др. [c.326]

Важнейшая задач химии полупроводников заключается в создании новых полупроводниковых материалов. Еще в 60-х годах в радиоэлектронике применялись только германий и кремний. А в настоящее время в промышленной электронике и радиотехнике помимо кремния и германия нашли широкое применение полупроводниковые соединения антимонид индия, арсенид галлия, фосфиды индия и галлия, халькогениды цинка, кадмия, ртути, свинца, висмута, сурьмы, а также карбид кремния и др. Число сложных полупроводниковых фаз (соединений и твердых растворов), перспектавных для их практического применения, неуклонно растет из года в год. [c.6]

Химический энциклопедический словарь (1983) -- [ c.220 ]

Большой энциклопедический словарь Химия изд.2 (1998) -- [ c.220 ]

Вредные химические вещества Неорганические соединения элементов 1-4 групп (1988) -- [ c.231 , c.232 , c.233 , c.234 ]

Общая и неорганическая химия (1981) -- [ c.351 ]

Основы общей химии Том 2 (1967) -- [ c.224 ]

Основы общей химии Том 2 Издание 3 (1973) -- [ c.67 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология