Кристаллизация спонтанная с локализацией центро

Спонтанная кристаллизация в условиях локализации центров кристаллизации. Для ограничения числа центров кристаллизации и их локализации в кристаллизаторе часто используют тигель с придонной диафрагмой с отверстиями и специальный режим охлаждения раствора-рас-плава. При помещении такого тигля с раствором-расплавом в неоднородное температурное поле таким, образом, чтобы кристаллизация начиналась в нижней части раствора-расплава под диафрагмой, отдельные кристаллы будут прорастать через отверстия в диафрагме и тем самым служить центрами кристаллизации для верхней части раствора-расплава. Разращивание этих кристаллов осуществляется в режиме с понижением температуры вначале до 0,5°С/ч, а затем ио специальной программа, учитывающей количество центров кристаллизации, увеличение объема кристаллов в процессе роста, их растворимость и др. При этом стремятся, чтобы линейная скорость роста не превышала экспериментально найденную скорость роста качественных монокристаллов и оставалась постоянной в процессе кристаллизации. Как правило, участки кристаллов, выросшие па последней стадии роста в близких к равновесным условиям, — наиболее качественные. [c.156]

Хотя при спонтанной кристаллизации из свинцовых растворов-расплавов получены монокристаллы ферритов с высокими магнитными характеристиками, этот метод выращивания не удовлетворяет в полной мере техническп.м требования.м к монокристаллам в основном из-за плохой воспроизводимости свойств. Особенно большие трудности возникают при получении монокристаллов твердых растворов ферритов, например иттрий-гал-лиевого, кальций-висмут-ванадиевого феррогранатов, с достаточно высокой однородностью их свойств по объему. Совершенствование метода спонтанной кристаллизации возможно при создании условий выращивания с ограниченным числом центров кристаллизации и их локализацией в определенном месте кристаллизатора. [c.156]