Кристаллы отдельных элементов

Нейтронографией устанавливают взаимное расположение в кристалле атомов элементов, находящихся рядом в периодической системе, этого не дает электронография и лишь в некоторых случаях с большим трудом дает рентгеноструктурный анализ. В связи с этим нейтронография — эффективный метод исследования твердых растворов. С помощью нейтронографии получены ценные данные о катионном упорядочении в ферритах типа шпинели, где катионы имеют близкие атомные номера, установлено местоположение атомов в ряде упорядоченных твердых растворов. Нейтронография имеет важное значение в изучении структур природных и синтетических сложных оксидов, а также силикатов, содержащих совместно магний и алюминий, для изучения распределения ядер отдельных изотопов элемента в кристаллических структурах. Обычно нейтронографию используют для уточнения или дополнения структурных данных, полученных методом рентгенографии. В ряде случаев совместно используют оба метода, что позволяет наиболее подробно исследовать структуру вещества. [c.206]

В-пятых, открытие периодического закона и системы элементов ознаменовало новый этап в изучении строения атома в физике (раскрытие физической индивидуальности — периодичность характеристик эмиссионных, а позднее и рентгеновских спектров), строения кристаллов — в кристаллографии, состава минералов — в минералогии, миграции элементов — в геохимии, биологической функции отдельных элементов в биохимии и биологии. В этом заключается огромная роль периодического закона для всего естествознания, для формирования естественнонаучной картины природы. [c.50]

Обсуждение спектров КР начинается со спектров кристаллов отдельных элементов, включающих ковалентно-связанные линейные цепочечные структуры, подобные селену, слоистые двумерные структуры типа графита или трехмерные гигантские [c.443]

А. Кристаллы отдельных элементов [c.444]

По Бретшнайдеру, в начальный период реакции молекулы газообразного исходного вещества, адсорбированные на поверхности кристалла, проникают в глубь верхних слоев кристаллической решетки, что становится причиной появления неправильно сложенных отдельных элементов решетки (микродефектов). В связи [c.258]

В зависимости от наличия отдельных элементов симметрии кри-ста.тлы разделены на три категории низшую, среднюю и высшую. Кристаллы низшей категории могут иметь центр инверсии и оси не выше второго порядка. В средней категории есть оси выше второго порядка, а в высшей категории таких осей может быть несколько. Категории кристаллов при более подробном учете их симметрии подразделяются на сингонии. [c.238]

Исследования при помощи рентгеновских лучей показали, что стеклообразное состояние вещества (подобно жидкому) отличается от кристаллического неполной упорядоченностью взаимного расположения отдельных элементов пространственной решетки. Как видно из схем рис. Х-60, характерные для кристаллической решетки АЬОз шестиугольники в стеклообразном состоянии строго не выдержаны, но общий характер расположения частиц все же подобен имеющему место в кристалле. [c.597]

Однако уравнения (9.9) и (9.10) не раскрывают действительного механизма роста кристалла. Они не учитывают условий, приводящих к образованию кристалла в форме многогранника, и разную скорость роста отдельных его граней. Если бы скорость роста была одинаковой во всех направлениях, кристалл имел бы форму шара. Причиной того, что кристалл принимает многогранную форму, является различная скорость роста отдельных элементов его структуры вследствие разного их энергетического потенциала. [c.245]

Элементы симметрии могут проявляться в кристаллах отдельно или в различных комбинациях Число комбинаций элементов симметрии, не противоречащих принципу решетчатого строения кристаллов, составляет 32 группы, [c.234]

Еще более ярко образование плоскостей и возникновение из них спиралеобразных структур видно на рис. 1,3. На рис. 1, е, ж уже трудно различить отдельные фибриллярные структуры, но зато резко выражены спиралевидные образования. Следовательно, в отличие от ранее описанных явлений упорядочения в полиэтилене, когда сначала образуются пачки, затем плоскости и при наслоении плоскостей — кристаллы [5], здесь, в более концентрированных растворах (0,2%), в силу иной подвижности отдельных элементов молекул полимеров, образуются спиралевидные структуры. [c.131]

Особой и быстроразвивающейся областью рентгеноспектрального анализа является так называемый локальный анализ электронно-зондовым методом. Метод состоит в бомбардировке электронами высокой энергии (порядка 10—25 кэВ) участков поверхности образца диаметром 0,1... 10 мкм, в результате которой возникают характеристические рентгеновские излучения. Соответствующая система диспергирования лучей и детектирования дает возможность обнаруживать и определять элементы до Z 4 (бериллия). Этот метод применяют для установления состава и неравномерности распределения отдельных элементов в зернах металлов, кристаллах полупроводников и т. д. приборы носят название рентгеновских микроанализаторов (МАР). [c.200]

Статистические данные подтверждают сформулированный Китайгородским [12] принцип, согласно которому молекулы чаще всего теряют в кристаллах собственные элементы симметрии (за исключением центра инверсии). При этом в случае жестких молекул подразумеваются лишь небольшие искажения (обычно лежащие в пределах погрешности рентгеноструктурного анализа), поскольку слабое поле межмолекулярных сил не может внести существенного искажения в поле внутримолекулярных взаимодействий сравнительно легко осуществляются лишь повороты отдельных группировок атомов вокруг ординарных связей. Однако потеря собственной симметрии практически всегда означает, что такой симметрии лишено окружение, в котором находится молекула. [c.144]

Возвратимся теперь к условию (4.65) и заметим, что в своей полной записи оно не противоречит предположению о сильной анизотропии кристалла, поскольку элементы матрицы (tii), описывающей взаимодействие не только ближайших соседей в плоскости хОу, могут быть величинами одного порядка и иметь противоположные знаки. Знаки каждого из них в отдельности подчиняются лишь условию [c.103]

В целом из-за малой интенсивности потока нейтронов облучение с помощью ампульных источников имеет низкую чувствительность и позволяет определять элементы с высоким сечением активации только при достаточно высоком содержании. Кусака и др. [35] экспериментально оценили чувствительность определения элементов, которую можно достигнуть с помощью КаВе-источника, содержащего 49,3 мг Ка [/= 4,5-10 нейтрон см сек)]. Для измерения наведенной активности использовали сцинтилля-ционный счетчик с кристаллом Ка1(Т1) размером 4,5 х 5,1 см и гнездом диаметром 1,9 см и глубиной 3,8 см. Если в качестве минимальной скорости счета принять 100 отсчетов за 10 мин, то при навеске 10 г чувствительность определения отдельных элементов (1п, Ей, Оу) достигает 10 %. [c.39]

Курс неорганической химии излагается на основе новых представлений о строении вещества. В основу системы расположения материала и всего построения курса положен периодический закон в современном его освещении. Описание элементов и их соединений стройно и строго научно систематизировано. Большое внимание уделено кристалло-хими-ческой трактовке свойств различных неорганических веществ. Автор часто прибегает к термодинамическим представлениям, обстоятельно излагает координационное учение, современную теорию растворов. Большое внимание уделено вопросам технологии отдельных элементов и их соединений, а также кх применению в промышленности. Автор проявляет особый интерес к последним достижениям экспериментальной химии, обстоятельно знакомя читателя с основными результатами, достигнутыми в той или иной области. [c.4]

Функциональные полупроводниковые микросхемы характерны тем, что в них невозможно выделить отдельные структурные области, эквивалентные отдельным элементам. Такие схемы оцениваются в целом по выполняемой ими функции. Функциональные полупроводниковые микросхемы получают созданием локальных неоднородностей внутри кристалла, что дает возможность управлять потоком объемных зарядов с помощью электрических и магнитных полей. [c.35]

Элементы симметрии могут проявляться в кристаллах отдельно или в различных комбинациях. Количество комбинаций элементов симметрии, не противоречащих принципу решетчатого строения кристаллов, составляет 32 группы, называемых классами или видами симметрии. Все кристаллы, принадлежащие к одному классу, имеют одинаковые наборы элементов симметрии. [c.44]

До сих пор мы предполагали, что группы [М (Н,0) ] представляют собой отдельные элементы в кристалле, причем молекулы воды, входящие в состав такой группы, принадлежат только этой группе. Однако аналогично тому, как могут существовать бесконечные комплексные ионы или молекулы, образующиеся из координационных [c.423]

Различной растворимостью и скоростью растворения отдельных элементов кристалла, в том числе разных его граней, объясняется и изменение его формы в процессе растворения — грани и ребра искривляются. Существенную роль при этом играют также неравномерно распределенные в кристалле примеси, делающие его неоднородным. Это может приводить к отщеплению от кристалла мелких частиц. [c.38]

Интенсивность растворения, как и всякого гетерогенного процесса, зависит от площади контакта фаз F. Например, чем меньше кристаллы, тем больше их удельная площадь поверхности и тем быст-рее они растворяются. Мелкие кристаллы растворяются быстрее также и потому, что в них относительная доля массы, находящаяся у вершин пространственных углов, значительно больше, чем у крупных. Поверхностная же энергия у вершин и ребер больше, чем у развитых граней, поэтому затрата энергии на их растворение меньше, а растворимость больше. С наименьшей скоростью растворяются наиболее развитые грани. Различной скоростью растворения отдельных элементов кристалла, в том числе разных его граней, объясняется и изменение его формы в процессе растворения — грани и ребра искривляются. Существенную роль при этом играют также неравномерно распределенные в кристалле примеси, делающие его неоднородным. Это может приводить к отщеплению от кристалла мелких частиц. [c.34]

Для того чтобы находить отдельные элементы симметрии на моделях идеальных кристаллов, нужно рассматривать не только симметричную грань, но и те грани, которыми она окружена. На реальных кристаллах следует учитывать все детали реальной структуры грани и особенности физических свойств кристаллов. [c.39]

Стехиометрические нарушения, а также инородные примеси неизбежно вызовут местные искажения геометрического порядка в кристалле. Все эти нарушения могут в ряде случаев привести к тому, что кристалл окажется разделенным трещинами на отдельные микрокристаллические блоки, в той или другой степени скрепленные друг с другом. Такое блочное строение характерно для многих кристаллических тел (например, различные силикагели, алюмогели, активированный уголь и др,), имеющих важное значение в гетерогенном катализе. Таким образом, в реальном кристалле, кроме обусловленных термодинамическими причинами тепловых дефектов, имеются необратимые нарушения, связанные с историей образования данного образца, так называемые биографические дефекты. Поскольку нарушения решетки приводят к энергетической неравноценности отдельных элементов кристалла, наличие этих нарушений облегчает образование и дополнительного количества тепловых дефектов, число которых может быть значительно больше, чем в идеальном кристалле. Отклонения от свойств идеального кристалла могут быть обнаружены и экспериментально. Так, сухие кристаллы поваренной соли разрушаются при натяжениях порядка 4 кГ/см , в то время как теоретический расчет дает величину порядка 200 кГ1см . Если же эксперимент проводить с кристаллом, погруженным в насыщенный раствор соли, т, е, в условиях, когда возможно залечивание микродефектов, опытная нагрузка приближается к теоретической. Изучение интенсивности отражения от кристалла рентгеновских лучей (Ч, Г. Дарвин) показало, что многие кристаллические тела состоят из совокупности микрокристаллов, повернутых друг к другу под различными углами. При этом было установлено, что для большинства кристаллических тел линейный размер отдельных блоков равен 10 -ь10- см. Такой же результат был получен и при исследовании лауэграмм механически деформируемых кристаллов (А. Ф. Иоффе). Объемная блочная [c.340]

Стереомикроскопичес кий метод позволяет определить структуру поверхности исследуемого материала, высоту и ориентацию отдельных аморфных и кристаллических фаз, характер расположения кристаллов и т. п. Электронно-микроскопическая фотография стереоскопической структуры объекта получается фотографированием его под различными углами и последующего совмещения двух снимков в стереоскопе. Для фотографирования определенных участков объекта под различными углами применяют специальные стереопатроны, которые позволяют наклонять препарат п о отношению к оси микроскопа. При рассмотрении двух стерео-микрофотографий в стереокомпараторе можно получить не только качественную пространственную структуру объекта, но и определить размеры отдельных элементов сложного рельефа. [c.133]

В начальный период гидратации при соприкосновении частиц цемента с водой на контактной поверхности сразу же начинают идти реакции растворения кристаллов безводных минералов и ре-зуль гом их протекания является насыщение воды затворения ионами Са2+, 304 , ОН , К+, На+ и др. В течение первых нескольких минут вода, находящаяся в порах заформованного цементного теста, пересыщается ионами Са + и насыщается ионами 804° , К+, N3+, в раствор переходят и небольшие количества ионов алюминия, железа и кремния. Ионный состав воды, находящейся в порах твердеющего цементного теста, с увеличением времени (и повышением степени) гидратации цемента изменяется, причем характер этого изменения зависит от химико-минералогического состава вяжущего, его дисперсности и других факторов. Поэтому кривые изменения ионного состава жидкой фазы твердеющего цемента специфичны для конкретных условий (рис. 9.5), но вместе с тем они отражают общую тенденцию изменения содержания отдельных элементов. Увеличение содержания элементов в растворе во времени обусловлено растворением минералов, снижение их содержания — вступлением их в реакцию друг с другом или с исходным вяжущим с образованием новых водосодержащих соединений — кристаллогидратов. Поэтому кривая изменения содержания каждого элемента в растворе теоретически должна иметь экстремальный характер восходящая ветвь — рост концентрации, нисходя- [c.322]

Термодинамически устойчивые зародыши увеличивают свою массу за счет растворенного вещества и вырастают в кристаллы. Кристалл представляет собой структуру в виде правильной пространственной решетки, в узлах которой находятся соответствующие его составу ионы, атомы или молекулы. Часто молекулы воды также входят в структуру твердого кристалла (кристаллогидрата). В основе многообразия кристаллов [25, 157, 197, 211] лежат комбинирующиеся из отдельных элементов симметрии 32 вида симметрии кристаллических решеток. Они делятся на 7 групп — систем или син-гоний, обладающих одним или несколькими сходными элементами симметрии триклинную, моноклинную, ромбическую, тригональ-ную, или ромбоэдрическую, тетрагональную, гексагональную и кубическую. Первые три сингонии относятся к низшей категории симметрии, вторые три — к средней, последняя — к высшей. Для каждой сингонии характерны несколько простых форм кристаллов. Грани простой формы имеют одинаковые очертания и размеры. Всего существует 47 типов простых фигур (в низших сингониях 7, в средних 25, в высшей 15) (рис. 9.5). Простые формы триклинной сингонии могут участвовать в построении кристаллов и моноклинной сингонии, а формы обеих этих систем относятся и к кристаллам ромбической сингонии. В среднюю категорию симметрии переходят лишь простые формы триклинной сингонии, а в кубическую сингонию ни одна из простых форм низших и средних категорий не переходит. [c.242]

Порошок. В микропрепарате порошка видны жилки в продольном сечении. Отдельные фрагменты пластинки листа видны в основном с поверхности в них можно найти все диагностические элементы, указанные для цельных листьев. Встречаются фрагменты листа в поперечном сечении, где хорошо видны структура мезофилла и особенности строения эпидермиса. В порошке много обрывков тканей и отдельных элементов волоски и их обрывки, железки, отдельные кристаллы оксалата кальция и фрагменты кристаллоносной обкладки, механические клетки — волокна, склереиды, обрывки секреторных каналов, вместилищ, млечников и др. [c.255]

Шоттки дефект Вид дефекта КР, при к-ром в ней возникают вакансии за счет ухода из обьема кристалла отдельных стр. элементов на пов-сть кристалла. При этом плотн. кристалла уменьшается. Ср. с Френкеля дефектом. defe t va an y [c.244]

Явный функциональный вид плотности распределения дает принципиальную возможность вычислять среднее значение степени отработки потока, но для этого должна быть известна кинетическая зависимость отработки отдельного элемента потока от времени у(т). Примерами такого рода кинетической функции являются зависимость от времени размера растворяющейся частицы или растущего в растворе кристалла, влагосо-держание высушиваемой частицы, количество адсорбированного частицей адсорбента вещества, температура нагреваемых или охлаждаемых частиц, степень завершенности химической реакции и т. п. Это именно та зависимость от времени, о которой выше говорилось, что она практически никогда не бывает линейной функцией времени. Явный вид кинетической зависимости у(т) в относительно простых случаях может быть получен из модельных представлений о кинетике конкретного процесса или в общем случае из экспериментов (см. гл. 3, 7, 8, 9, 10). [c.132]

Однако до сих пор эти вопросы приходилось рассматривать главным образом на основе косвенных данных, поскольку не были разработаны экспериментальные методы изучения каталитических свойств отдельных элементов структуры кристаллических катализаторов. А между тем это возможно. Метод, предложенный в наших работах 1, 2], позволяет раздельно изучить свойства правильно упакованных граней, ребер и структурных дефектов металлических кристаллов. Для этого необходимо определить активности высокодионерсных частиц катализатора в области линейных размеров от 8—10 до 20—50А и выше, когда ббльшая часть поверхности микрокристаллов имеет свойства структурных дефектов, ребер или идеальных граней крупных кристаллов катализатора. Ниже приведены условия синтеза таких катали- [c.143]

Во-вторых, митоэдрический метод разработан только для металлов. Металлический кристалл можно рассматривать как одну гигантскую молекулу, а структурные элементы поверхности металла в первую очередь отличаются координационными числами атомов. В этом смысле частицу размером 9 А можно использовать как модель ребра крупного кристалла. Полупроводники обладают другими свойствами, так как их приповерхностный слой является более протяженным. Частицы, меньшие 30—50 А, обладают другими удельными свойствами, по сравнению с крупными кристаллами полупроводника, поэтому малая частица с размером 10—20 А в отличие от металла уже не может служить адекватной моделью ребра крупного кристалла. Вопрос о моделировании свойств отдельных элементов структуры полупроводниковых кристаллов заслуживает особого рассмотрения, но здесь уже неприменим использованный [c.131]

В этой главе мы приступим к систематическому исследованию зависимости между структурой полос и характером химической связи для ряда наиболее распространенных кристаллов в соответствии с задачами, сформулированными во введении. Такое исследование естественно начать с простейшего случая чисто ковалентных 1 ристаллов с решеткой алмаза, к которым относятся алмаз, 81, Се и а-Зп (серое олово). При этом мы отдельно рассмотрим валентную зону. Структура валентной зоны довольно нечувствительна к индивидуальным особенностям химической связи в кристаллах различных элементов IV группы, что позволяет описать валентную полосу более простыми средствами. Подобный подход позволит выработать предварительную точку зрения, на основе которой в следуюш,ей главе будет исследован ряд более тонких проблем, связанных со структурой полосы проводимости и полной зонпой структурой. Простой способ описания валентной ио.лосы представляет также вполне самостоятельный интерес, поскольку для интерпретации большого круга экспериментальных данных но рентгеновской и реитге1. оэлектронной снектроскопии достаточно зиать структуру ДНИ ., этой полосы. [c.84]

Дебая, Борна и Кармана, тепловое движение в твердом теле представляется как совокупность его упругих (звуковых) собственных колебаний. Величина теплоемкости определяется колебаниями наибольшей частоты, соответствующими колебаниям отдельных элементов кристалла. Весьма замечательно, что для целого ряда кристаллов, структура которых теперь изучена (NaGl, K l, GaFa), наибольшее число колебаний совпадает с частотой тех оптических остаточных лучей, которые наблюдал Рубенс. Это совпадение доказывает, что упруго связанные между собою элементы несут противоположные электрические заряды. Такое совпадение отсутствует в алмазе, где нет противоположно заряженных атомов. [c.126]

Наряду с этим при увлажнении затвердевшего гипса влага адсорбируется внутренними поверхностями микрощелей и мнкротре-щин и возникающее при этом расклинивающее действие водных пленок разъединяет отдельные элементы кристаллической структуры. При работе гипсовых изделий во влажных условиях начинают протекать процессы перекристаллизации, состоящие в растворении термодинамически неравновесных кристаллизационных контактов и росте свободных кристаллов двуводного гипса, что приводит к снижению прочности. В проточной воде затвердевший гипс разрушается особенно быстро. При последующей сушке прочность гипса снова возрастает. Защищенные от действия атмосферных осадков и сырости гипсовые изделия долговечны. [c.44]

Методы определения детальной структуры из картин молекулярного рассеяния различаются в зависимости от слолености молекулы. Обычно функцию радиального распределения рассчитывают вначале из картин рассеяния. В простой форме эта функция О (г) является произведением рассеивающих способностей отдельных элементов объема на вектор г. График зависимости О (г) от г имеет максимум, когда г — межатомное расстояние. В случае простых структур этого обычно достаточно для получения необходимых данных. В более сложных случаях принимают или отклоняют структуру на основании соответствия между опытными и рассчитанными интенсивностями (метод проб и ошибок). Отметим, что при исследовании паров метод Фурье нельзя применять, так как в данном случае структурные единицы не повторяются, как это имеет место в кристалле. [c.192]

Характерный для макросоединения стехиометрический состав имеют лишь внутренние части идеального кристалла с типической решеткой. Поверхностные же части кристалла (грани, ребра, вершины) не имеют стехиометрического состава — их состав непостоянен и различен для отдельных элементов поверхностной структуры. В связи с этим устанавливается равновесие между окружающей средой и реальной кристаллической системой, представляющей собой метастабильные конгломераты из субкристалликов, соединительных блоков и пустот между ними. Для определенных температурных условий характерен и определенный равновесный состав поверхностных частей кристаллической системы, меняющийся при изменении температуры. Вследствие этого кристаллические порошки при нагревании спекаются даже при отсутствии жидкой фазы, т. е. при температурах более низких, чем температуры плавления отдельных компонентов кристаллической смеси или их эвтектик. [c.27]

Характерный для макросоединения стехиометрический состав имеют лишь внутренние части идеального кристалла с типической решеткой. Поверхностные же части кристалла (грани, ребра, вершины) не имеют стехиометрического состава — их состав непостоянен и различен для отдельных элементов поверхностной структуры. В связи с этим устанавливается равновесие между окружающей средой и реальной кристаллической системой, представляющей [c.24]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология