Спонтанная кристаллизация

В указанных точках степень разложения монокальцийфосфата 70-72 составляет соответственно 32,6 и 36,1%- Образование свободной фосфорной кислоты в момент спонтанной кристаллизации дикальцийфосфата и вызывает интенсивное разложение оставшегося карбоната, не прореагировавшего к этому моменту. [c.236]

Следует заметить, что при выборе растворителя и подборе условий процесса синтеза определяющая роль принадлежит учету не только температуры, при которой происходит растворение, но также н температурного хода растворимости и использованию участка этой зависимости с наиболее высоким значением температурного коэффициента растворимости (ТКР). Важнейшим критерием выбора режима является также определение метастабиль-ного состояния системы, характеризующегося проявлением расслоения и спонтанной кристаллизации. Задание температурного перепада должно определяться величиной ТКР для создания необходимого пересыщения. [c.30]

Для обеспечения качественного роста кристаллов увеличение температурного перепада не может быть беспредельным. Оно определяется степенью метастабильности раствора и лимитируется массовым образованием спонтанных зародышей. Для различных растворителей существует некоторое пороговое значение температурного перепада, характерное для данной кристаллизационной среды, при котором начинается массовая спонтанная кристаллизация. На основе рассмотрения обширного экспериментального материала можно с достаточной достоверностью указать такие значения температурного перепада для ряда наиболее употребительных растворителей при синтезе кристаллов кварца на затравках базисной ориентации (табл. 3). [c.30]

Рассматривая зависимость скорости роста кристаллов кварца от температурного перепада, следует обратить внимание на большой разброс экспериментальных данных для растворов ЫаОН. Это объясняется, по-видимому, тем, что данные, полученные Р. Лодизом и другими исследователями, базируются зачастую на кратковременных экспериментах (1,5—2 сут). В. некоторых из них получались кристаллы с вырожденной поверхностью (0001), что не давало возможности установить истинную величину скорости роста базисной поверхности. В кратковременных опытах американскими исследователями получены значения скорости роста до 4 мм/сут без спонтанной кристаллизации. [c.37]

Иная картина была получена нами при проверке этих данных в длительных опытах. Установлено, что в таких циклах выращивания спонтанная кристаллизация в растворах гидроксида натрия проявляется уже при скорости роста порядка 3,5 мм/сут. Одновременно предпринимались попытки изучения циркуляции раствора внутри автоклава путем измерения перепада температур между верхней и нижней частями сосуда в зависимости от степени заполнения и температуры. В результате установили, что для каждого заполнения при специфической температуре имеется определенный минимум А7, что связано с различиями коэффициента температурной зависимости удельных объемов воды в исследованном температурном интервале. Как установлено Р. Лодизом [17], перепад температур для пустого сосуда примерно в пять раз больше при каждой температуре, чем для наполненных водой сосудов при малых степенях заполнения. Этот результат показывает, что вода в надкритических условиях характеризуется высокой теплопроводностью. Скорости роста кристаллов не имеют скачкообразных изменений вблизи тех участков кривых, которые показывают минимумы. [c.37]

Одним из наиболее простых таких решений является установка специальных предохранительных перегородок, отделяющих обтюраторную зону затвора от кристаллизующейся технологической среды и тем самым препятствующих зарастанию зазоров в этой зоне (рис. 99). Перегородка по возможности плотно прижимается к корпусу сосуда, чтобы воспрепятствовать попаданию в около-затворную зону рабочего раствора. Перед закрытием крышки эту зону заполняют водой полностью или частично (избыточный объем воды в любом случае перейдет в реакционную камеру). Использование таких перегородок несколько усложняет подготовку сосуда к циклу, поэтому их применение целесообразно в основном для технологических процессов, сопряженных с интенсивной спонтанной кристаллизацией. [c.292]

Увеличение пересыщения необходимо для спонтанном кристаллизации и, очевидно, связано с ростом межфазной энергии на границе раздела алмаз — металл, которая вычислялась по формуле (47) с учетом зависимости Ац от концентрации 5Ь, Си, Ое, 5п. Значение Еа определялось экспериментально на основании формулы (48) при содержании 5Ь, 5п, Си в количестве 30 и [c.348]

Рис. 124, График зависимости характерного размера алмазов от длительности цикла спонтанной кристаллизации

Разработанная методика позволяет во-первых, установить характер изменения скорости роста в процессе спонтанной кристаллизации практически для любого кристалла из числа образовавшихся в данном опыте во-вторых, для каждого из них установить эффективное время роста в-третьих, оценить симметрию кристаллизационной среды и т. п. [c.364]

Метод спонтанной кристаллизации алмаза в условиях его термодинамической стабильности в системе металл — графит является наиболее распространенным при производстве абразивных алмазных порошков и монокристаллов размером до (1—2) 10 м. В качестве металлической компоненты системы применяется шихта, состоящая из переходных металлов группы железа или их сплавов. Источником углерода при кристаллизации алмаза, как правило, служит синтетический поликристаллический графит марок МГ, ГМЗ и др. [c.368]

В настоящем разделе приводятся результаты изучения процесса спонтанной кристаллизации алмаза с использованием металлической шихты на основе сплава N1 и Мп эвтектического состава и графита марки МГ-ОСЧ. Реакционный объем величиной от 0,7-10 до 4,5-10 м загружался чередующимися слоями графита и металла. [c.368]

Обобщая приведенные в настоящем разделе экспериментальные результаты по изучению спонтанной кристаллизации алмаза в системе металл — графит, можно заключить следующее. Рас-380 [c.380]

Таким образом, учет рассмотренных особенностей кинетики процесса спонтанной кристаллизации алмаза из раствора углерода в расплаве металлов позволяет значительно повысить степень его управляемости. [c.381]

Как уже отмечалось (см. гл. 15), преимуществами камеры с горизонтально расположенным реакционным объемом являются практически одномерное в нем тепловое поле и сравнительно большая величина объема зоны растворения. Указанная геометрия реакционного объема камеры позволяет получать перепад температуры между источником углерода, находящимся, например, в тепловом контакте с нагревателем (зона растворения), и холодным торцом реакционного объема (зоны роста) до 200 К при расстоянии между этими зонами около 6-10 з м. Эксперименты при давлении 4,1 ГПа и температуре нагревателя 1620 К и с использованием металлической шихты N1—Мп (1 1) и графита в качестве источника углерода показали, что спонтанная кристаллизация алмаза в этих условиях происходит в наиболее холодной части реакционного объема (рис. 136) на расстоянии от источника углерода около 4- 10 з м и при длительности цикла не менее 120 с. В более горячей части реакционного объема и особенно вблизи нагревателя наблюдаются образование и рост монокристаллов графита. Граница между объемом, содержащим спонтанно образованные кристаллы алмаза, и объемом, в котором присутствует только перекристаллизованный графит, достаточно отчетливая. Температура этой границы Т, (рис. 137), очевидно, соответствует равновесной для перекристаллизации графита в алмаз при заданном давлении. Величина Тз в рассматриваемом случае составляла около 1470 К- Таким образом, высокотемпературная зона реакционного объема, удаленная от на- [c.385]

Спонтанная кристаллизация. Гетерогенная кристаллизация расплава массой свыше нескольких килограммов происходит в условиях заметного расслоения фторсиликатного расплава. Влияние макронеоднородности расплава на характер его кристаллизации особенно ясно проявилось при термографических исследованиях. Изучение кристаллизации расплава в герметичных тиглях при перегреве выше температуры плавления шихты (1380 °С) [c.29]

Метод спонтанной кристаллизации фторфлогопита из расплава обладает одним существенным недостатком не позволяет воспроизводимо получать пластины слюды достаточно крупного размера. [c.51]

Из этого краткого обзора видно, что при нагревании фторфлогопита (или шихты) до температуры плавления возгону подвержены все компоненты этого минерала. Подтверждение этому — хорошо оформленные кристаллы фторфлогопита, вырастающие из газовой фазы выше уровня расплава на стенках тигля при спонтанной кристаллизации. [c.54]

С целью определения условий получения кристаллов фторфлогопита без газовых включений при кристаллизации на затравке было изучено влияние характера температурного поля по оси печи в случае применения метода направленной кристаллизации [35]. Опыты проводились в лабораторных шахтных вертикальных печах с молибденовыми нагревателями, работающими в водородной среде. Тигель перемещали со скоростью 1 мм/ч. Кристаллизация слюды осуществлялась в молибденовых тиглях диаметром 29 мм и высотой 150 мм. В качестве затравки использовали пластины слюды, полученной методом спонтанной кристаллизации. Затравку из пластин, ориентированных плоскостью спайности параллельно оси тигля, подгоняли плотно по внутреннему сечению тигля и помещали в нижнюю его часть. Объем тигля над затравкой плотно заполняли мелкокристаллической слюдой. Заполненные таким образом тигли закрывались с обоих концов молибденовыми крышками, которые приваривались к тиглю плотным швом. Снаряженный таким образом тигель помещался коаксиально во второй молибденовый тигель большего размера и пространство между стенками заполнялось молотым фторфлогопитом. Температура замерялась вольфрам-рениевыми термопарами по наружной стенке кристаллизатора. [c.65]

Затравливание фторидного расплава, насыщенного цирконом при 1250 X, осуществлялось двумя способами. В первом случае кристаллы-затравки опускались на дно тигля и по мере охлаждения росли совместно с кристаллами спонтанного зарождения. Во втором способе кристаллы на платиновой проволочке опускали в расплав на разную глубину. В качестве затравок использовались кристаллы без видимых включений с удлинением 1 3, полученные в опытах по спонтанной кристаллизации. Подготовка расплава н режи.м кристаллизации проводились таким же образом, как при спонтанной кристаллизации. [c.240]

Эти процессы приводят к образованию рацемических смесей. Однако считается, что при спонтанной кристаллизации происходило разделение смесн. Наиболее вероятно, что разделение проходило случайным образом. Видимо, определяющую роль в разделении оптически активных соединений путем селективного комплексоебразования одного определенного стереоизомера играли минералы, как, например, природные асимметричные кристаллы кварца, и ионы металлов. В конце К01Щ0В, стереоселективная полимеризация олефинов на поверхности металлов (катализаторы Циглера — Натта) представляет собой хорощо изученный промышленный процесс для получения изотактических полимеров. Известно также, что связывание ионов металлов весьма важно для многих биохимических превращений. Такое связывание существенно для поддержания нативной структуры нуклеиновых кислот и многих белков и ферментов. Процесс отбора оптических изомеров мог происходить вследствие других физических явлений, например взаимодействие с радиоактивными элементами, радиация или космические лучи. Недавно проведенные эксперименты с стронцием-90 показывают, что D-ти-роэин быстрее разрушается, чем природный L-изомер. Весьма заманчиво привлечь эти факторы для объяснения происхождения диссимметричности в процессах жизнедеятельности. [c.186]

В работе проведены микроскопические и рентгенографические исследования кристаллов графита, получе1Шых спонтанной кристаллизацией из расплава Ре С. Установлено, что кристаллы, извлеченные из раковин металлических слитков, являются монокристаллами, а кристаллы, выделенные из слитков,— монокристаллами с примесью послойно ориентированной поликристаллической фазы. [c.262]

Относительное пересыщение, необходимое для спонтанной кристаллизации, помимо прочих условий, существенно зависит от формулы соединения. В то ремя как при осаждении сульфата бария для образования зародыша необходимо как минимум два иона, минимальное число ионов для квасцов и нитрата хрома равно четырем, а в случае фосфата бария их даже пять, что значительно снижает вероятность зародышеобразования. [c.201]

Физико-химические свойства фосфидов индия и галлия. Диаграммы состояния систем 1п—Р и Са—Р приведены на рис. 39, 40. В рассматриваемых системах образуется по одному соединению эквиатомного состава. Эвтектики с обеих сторон вырождены. Оба соединения обладают значительным давлением пара при температуре плавления вследствие диссоциации. Так, для фосфида индия при 1055°С давление достигает 25 атм, а для фосфида галлия при М67°С — 45 атм. Оба соединения относятся к алмазоподобным полупроводникам, кристаллизуются а структуре сфалерита. При спонтанной кристаллизации из избытка металлического компонента или из индифферентного растворителя соединения выделяются в виде пластинчатых и нитевидных кристаллов серого (1пР) или оранжево-красного (СаР) цвета. [c.72]

В производственных условиях фруктозу кристаллизуют из метилового, этилового спиртов. Фруктозосодержащий сироп добавляют в спирт при нагревании, вводят затравочные кристаллы фруктозы и затем смесь охлаждают. К недостаткам данного способа кристаллизации относятся большой расход спирта и плохое качество кристаллов из-за наличия спонтанной кристаллизации. Для предотвращения образования новых центров кристаллизации затравку водят в виде насыщенного раствора фруктозы в пересыщенный раствор при температуре 40—60 °С и непрерывном перемешивании. При этом происходит отложение фруктозы на затравочных кристаллах без образования новых центров кристаллизации. Выход ее повышается на 20—30 % по сравнению с обычной кристаллизацией (до 70—80 % вместо 60—50 %). Расход спирта — 2—4 % к массе сухих веществ фруктозы. Выход фруктозы также повышается с применением этанола вместо метанола. Для предупреждения образования окрашенных продуктов разложения, реакций превращения фруктозы в глюкозу и маннозу Ф. Холгер и другие (1965 г.) предлагают вести процесс кристаллизации при величине pH, равной 4,5—5,5. Время кристаллизации при этом сокращается до 110—120 ч. [c.129]

Расщепление Р. Обратный рацемизации процесс - выделение энантиомеров из их рацемич. смеси-наз. расщеплением Р. Впервые расщепление Р. было осуществлено (Л. Пастер, 1848) при кристаллизации натрий-аммониевой соли виноградной к-гы выделенный осадок представлял собой энан-тиоморфную смесь кристаллов, а индивидуальные кристаллы-либо лево-, либо правовращающие формы винной к-ты. Известно лишь неск. десятков примеров расщепления Р. при спонтанной кристаллизации энантиомеров. Более общий метод заключается в том, что в пересыщ. р-р Р. пводят затравку кристаллов одного из энантиомеров, что приводит к кристаллизации именно этого оптич. изомера. Затем в оставшийся р-р добавляют затравку кристаллов второго энантиомера и тем самым вызывают его кристаллизацию, поскольку именно этим оптич. изомером пересыщен оставшийся р-р, и т.д. Расщепление Р. путем затравочной кристаллизации реализовано в пром-сти (напр., для В,Ь-глута.миновой к-ты), однако этот способ также не универсален. [c.200]

Эвтектическая точка на фазовой диаграмме характерна скачкообразным и полным переходом из жидкой фазы в твердую при охлаждении сплава. Припой твердеет мгновенно. Отклонения от этого соСтава приводят к тому, что в жидком припое происходи спонтанная кристаллизация одного из компонентов. Внещне это проявляется в медленном затвердевании загустевающего припоя. Если в этот момент твердеющий паяный щов потревожить незначительным механическим воздействием, то мгновенно наступает общая кристаллизация с выделением крупных кристаллов, недоста- [c.26]

При проектировании или приобретении устройств для предварительной затяжки затворов с утфугой обтюрацией необходимо предусматривать возможность создания ими усилий, значительно превышающих требуемые по расчету. Такие усилия могут понадобиться при вскрытии затворов после цикла, и связано это со следующим обстоятельством, специфичным для гидротермальных аппаратов. В таких затворах, работающих по принципу радиального самоуплотнения, под действием рабочего давления происходит упругая деформация обтюратора, приводящая к увеличению контактных уплотнительных давлений и соответственно осевых усилий в крепежных шпильках. Во время технологического процесса могут зарасти спонтанными кристаллами зазоры между обтюратором и крышкой. Зарастание это бывает таким обильным и прочным, что после исчезновения давления в сосуде при его остывании в конце цикла обтюратор не в состоянии вернуться в исходное состояние и в шпильках остаются дополнительные напряжения, которые могут значительно превышать начальные. Это затрудняет разборку затвора и заставляет предусматривать чрезмерно большие запасы развиваемых усилий в устройствах для Переборки резьбовых пар. Кроме чисто технологических приемов подавления спонтанной кристаллизации избежать такой неприятной ситуации позволяют и некоторые специальные конструктивные решения. [c.291]

В качестве примера на рис. 122 приведена зависимость ДС от концентрации 5Ь. Характер кривой показывает, что в определенном интервале концентраций вводимого элемента, слабо взаимодействующего с углеродом, спонтанное алмазообразование обеспечивается при пересыщениях близких или даже более слабых по сравнению с АС в чистой системе N1 — Мп (1 1). Это объясняется, очевидно, отклонением указанных растворов от требований, предъявляемых идеальным системам, которое тем больше, чем выше концентрация растворенного элемента 5Ь. При увеличении содержания сурьмы пересыщение, необходимое для осуществления процесса спонтанной кристаллизации, возрастает (см. [c.347]

Данные по спонтанной кристаллизации алмаза в присутствии добавок соедниенн [c.352]

Необходимо отметить, что в установившемся режиме скорост1 роста алмаза прн спонтанной кристаллизации непрерывнс уменьшается во времени, и в камере с реакционным объемом дс 10 м средняя ее величина в интервале длительности процесса от 300 до 900 с составляет 0,7-10 м/с. Эффективная длительность процесса синтеза (максимальный интервал времени, в течение которого происходит непрерывное увеличение массы алмаза в реакционном объеме) в этих условиях не превышает 1200—1500 с (рис. 131). [c.374]

Ограничение длительности процесса алмазообразования при спонтанной кристаллизации может быть обусловлено различными причинами, например, неконтролируемыми изменениями р-Т -условий процесса, в частности, снижением давления при образовании из графита более плотного алмаза появлением в реакционной зоне фаз, конкурирующих с ростом алмаза. Как отмечалось, такой фазой является монокристаллический графит. С целью выяснения его роли в процессе кристаллизации алмаза была проведена (в камерах с реакционным объемом 3,5 10 м ) специальная серия экспериментов, которая обеспечила получение для последующего изучения трех групп образцов. К первой отнесены пробы графита с поверхности его контакта с расплавом металла, свободной от алмаза. Ко второй — слои металла преимущественно в виде пленок толщиной от 5-10 до 8-10 м, отделявшие алмаз от источника углерода, одна сторона которых являлась отпечатком с поверхности граней алмаза, а противоположная сторона представляла собой границу металл — графит. Третья группа образцов включала реакционную зону спеков, содержащую металл-растворитель, алмаз и перекристаллизованный графит. [c.375]

В результате изучения образцов первой и второй групп установлено, что в условиях спонтанной кристаллизации алмаза появление монокристаллической графитовой фазы (рис. 132) наблюдается уже на пятой минуте процесса как на свободной от алмаза поверхности контакта исходного графита с металлом, так и на металлической пленке, отделявшей алмаз от исходного графита. Анализ электронограмм (см. рис. 132) показал высокое со- ршенство структуры этой фазы во всех изученных образцах. Кроме того, установлено, что монокристаллическая фаза графита [c.375]

Следует подчеркнуть, что система N1—Мп — графит при соотношении металлических компонентов, близком к эвтектическому, обладает высокой вопроизводимостью результатов спонтанной кристаллизации алмаза по сравнению с системами на основе других переходных металлов. Поэтому данную систему целесообразно было использовать при изучении влияния добавок различных элементов к металлу-растворителю на процесс спонтанной кристаллизации. Элементы, воздействие которых изучалось, можно разделить на три основные группы. К первой относятся бор, азот, алюминий, способные в различной степени входить в решетку алмаза, образуя структурную, электрически активную для алмаза примесь. Вторая группа представлена металлами, образующими прочные химические соединения с углеродом и хорошо смачивающими поверхность алмаза — титан и цирконий. В третью группу входят металлы, взаимодействие с углеродом которых носит преимущественно физический характер и которые обладают низкой адгезией к алмазу и графиту (разжижающие добавки), — индий, галлий, медь, олово, сурьма. [c.379]

Изучение влияния состава металла-растворителя на скорость роста затравочных кристаллов осуществлялось с учетом данных, полученных при исследовании процесса спонтанной кристаллизации. В частности, применялись разжижающие добавки к основным компонентам N1 и Мп таких элементов, как 1п, Си, Са, 8Ь, массовая доля которых составляет до 10%- Установлено, что введение в металлическую щихту указанных добавок заметно снижает скорость роста затравок. Причем эффект от присутствия в щихте 1п, Са или Си практически одинаков в изученном интервале концентраций. Кроме того, показано, что введение в исходную щихту порошка графита (массовая доля 2 %) с размером частиц до 100 мкм значительно сокращает время насыщения расплава металлов углеродом и позволяет тем самым ограничить длительность предварительного растворения затравок не более чем пятыр минутами. [c.390]

Раствор-расплавный метод имеет определенные недостатки. Во-первых, растворитель является основной неструктурной примесью, в больших количествах входящей в кристаллы и не позволяющей во многих случаях получать бездефектные кристаллы слюды. При проведении кристаллизации путем медленного охлаждения число центров слюдообразования велико. Вследствие разницы плотностей слюды и раствора кристаллы слюды часто опускаются на дно тигля, где их рост прекращается из-за недостатка питания. При высоком содержании фторфлогопита в растворе-расплаве образуется поликристаллический агрегат из разиоориентированных пластин слюды (рис. 5) с дефектами, присущими расплавнон кристаллизации. При спонтанной кристаллизации размер получаемых кристаллов обычно не превышает первых сантиметров. Проведение кристаллизации на затравку из раствора-расплава затруднено частичным разложением затравки и невозможностью создания необходимых температурных условий на фронте кристаллизации. [c.20]

В кристалломорфологическом аспекте слитки, полученные при разном перегреве расплава, сильно различаются. Слиток из неперегретого расплава составлен секущими друг друга пачками кристаллов, увеличивающимися в размере от периферии слитка к центру (рис. 14, а). Пустот в слитке практически нет, усадочная раковина небольшая. Обычные для слюды примеси (форстерит, хондродит и др.) рассеяны равномерно по всему объему. Слюда проклеена по плоскостям спайности включениями фторидов. Структура слитка, показанная на рис. 14, а, характерна для спонтанной кристаллизации при росте кристаллов со стенок тигля. Слиток, полученный из расплава, перегретого на 20 °С, имеет значительно более мелкозернистую структуру (см. рис. 14, б). Кристаллы сильно деформированы — изогнуты, смяты, перепле- [c.37]

С целью изучения кинетики процесса разложения фторслюды проведена серия экспериментов при температурах от 1300 до 1500 °С и давлении газа в реакционном объемеот 0,05 до 2,05 МПа в атмосфере аргона (водорода). В молибденовые тигли стандартного объема и с одинаковым зеркалом расплава 2 см помещали стандартную навеску из пластин фторфлогопита, полученного спонтанной кристаллизацией. Для сравнимости результатов использовался один больщой пакет фторслюды известного химического состава. Все эксперименты проводились в вертикальной щахтной печи сопротивления с вольфрамовым нагревателем (типа СШВ) при следующем режиме 1) ввод печи в режим до заданной температуры — 5—7 мин 2) выдержка при заданных температуре и давлении — 1 ч 3) охлаждение образца до кристаллизации расплава —не более 2 мин. Одновременно в установку помещались от пяти до десяти тиглей. Предварительно взвешивались тигли, навеска слюды и тигли вместе со слюдой. После термической обработки по указанному режиму тигли вновь взвешивались. Точность поддержания и оценки параметров температура 5 С, давление 0,05 МПа, масса 10 мг, время 30 с, площадь поверхности испарения 0,1 см . Скорость изменения массы образца определялась по формуле Ьр= т1—/П2)/5т, где Шх — масса тигля с навеской слюды до опыта /Пг — то же, после опыта 5 — площадь зеркала расплава, т — время. [c.56]

Многочисленные кристаллы зарождались и росли на стенках н дне платинового тигля. Цирконы бесцветны, прозрачны, огранены гранями призмы 100 и пирамиды 101). Крупные кристаллы первой генерации (5—7 мм) более дефектны, чем цирконы позднего зарождения. Общий выход кристаллов циркона при спонтанной кристаллизации составляет 60—70 %, в том числе выход кристаллов ]1азмером более 2 мм — 6—10 70- [c.240]

Для 2-й группы константа кластерообразования уменьшается с ростом концентрации, возможно пересыщение, так как только при пересыщении /Ск достигает критического значения и происходит спонтанная кристаллизация. [c.25]

Координационно-насыщенные комплексы вследствие неустойчивости проявляют склонность к поляризации. При этом часть ионов 51 (0Н)5 " образует агрегаты на основе водородной связи, которые в процессе дальнейшей эволюции превращаются в крупные полианионы, адсорбирующие ионы натрия. Происходит образование коллоидных частиц, которые могут адсорбироваться растущими кристаллами в виде неструктурной примеси. Дальнейшее агрегирование коллоидных частиц приводит к появлению самостоятельной фазы — геля кремневой кислоты с переменным содержанием Na02, 5102 и Н2О. В результате взаимодействия Дегидрационной поликонденсации с формированием прочной си-локсановой связи и устойчивого аниона [5120(0Н)8] реализуется гидротермальный рост кристаллов кварца на затравочных поверхностях при их взаимодействии с истинно растворенной формой кремнезема. С поликонденсацией координационно-ненасыщенных ионов до образования устойчивых форм [5 0(ОН)в] и [51з02 (ОН) ]з- может быть связан процесс спонтанного зарождения кристаллов кварца, причем устойчивость силикатных ионов повышаете с возрастанием щелочности среды, что приводит к снижению вероятности спонтанной кристаллизации. Подтверж- [c.29]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология