Дефекты атомные стоки

При равновесных условиях концентрации вакансий и ад-атомов имеют определенные значения при каждой определенной температуре эти значения поддерживаются равновесными реакциями их образования в местах зарождения или стока, например в местах излома ступеней роста. Более того, даже при отсутствии ступеней роста или других мест зарождения дефектов возможно образование пар дефектов на атомно-гладкой поверхности, когда какой-либо атом из поверхностного слоя переходит в ад-состояние и затем путем поверхностной диффузии удаляется от образовавшейся при этом поверхностной вакансии. Этот процесс можно уподобить образованию дефектов Френкеля в объеме кристалла, при этом ад-атом выступает аналогом междуузельного атома. Описанная реакция может [c.282]

Принципиально возможны два механизма образования зародышей на кристаллической поверхности непрерывный рост и спонтанная кристаллизация. В первом случае процесс роста можно представить следующим образом. Атом, достигший подложки, мигрирует на ее поверхности, пока не займет положения с минимумом энергии у активного центра. Активными центрами могут служить различного рода нерегулярности, в том числе изломы и ступеньки недостроенных атомных плоскостей, дислокации, ступени скола, скопления дефектов. Действуя подобно атомным ловушкам, эти нерегулярности являются предпочтительными местами для образования скоплений осаждаемых частиц, а искажения потенциального рельефа около нерегулярностей обусловливают сток мигрирующих атомов. Согласно такому представлению, число и размер зародышей должны постепенно увеличиваться, с течением времени. При спонтанном образовании зародышей, когда пересыщение превыщает критическое значение, начинается самопроизвольная кр,и-сталлизация. При таком механизме в некоторый момент могут образоваться зародыши приблизительно одинакового размера, и до определенного момента число их будет увеличиваться без существенного изменения размеров. [c.209]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология