Рельеф грани потенциальный

Если взять пробную частицу, имеющую определенную форму и заряд, и определить потенциальные энергии этой частицы при ее перемещении вдоль поверхности грани, то по значениям этих энергий и можно построить модель потенциального рельефа грани. Ямки потенциального рельефа отвечают местам поверхности с минимальной потенциальной энергией (максимальной энергией связи). Для пробных частиц с противоположными зарядами места потенциальных ям для одной частицы будут отвечать местам бугров для другой. Частица, оказавшаяся на поверхности, попадает в потенциальную яму и будет там колебаться, но благодаря всегда существующим флуктуациям энергии может преодолеть барьер, отгораживающий ее от соседних ям, и перескочить туда. Пожив там некоторое время, зависящее от глубины ямы и средней энергии движения (температуры), она может перескочить в третью яму и т. д. [c.27]

Выявленные особенности одновременного роста и растворения затравочных кристаллов алмаза в р, 7-условиях, отвечающих области устойчивости графита зона метастабильного роста), при наличии градиента температуры величиной до б-Ю" К/м можно объяснить тем, что вблизи поверхности затравки создается достаточно большое концентрационное пересыщение к алмазу (см. рис. 134, область С), а не только к графиту. При этом грань кристалла, располагавшаяся перпендикулярно к потоку и ориентированная к источнику углерода, естественно, должна расти с наибольшей скоростью, а теневая — растворяться, что и наблюдается в эксперименте. Растворение теневой поверхности затравок приводит к появлению шероховатого рельефа, выступы которых являются пассивными местами растворения и потенциально активными для роста. При достаточной высоте выступа и наличии локального градиента температуры вдоль него вершина выступа оказывается в условиях достаточного перепада температуры, чтобы расти за счет растворения своей подложки. Ясно, что скорость роста усов должна быть соизмерима со скоростью растворения затравки. Качественно это иллюстрирует рис. 136, а. В среднем скорость роста нитевидных кристаллов алмаза имеет величину порядка 3-10 м/с, что соответствует скорости растворения затравок. Ориентирующее воздействие подложки на нитевидный кристалл безусловно, но наблюдается также влияние условий питания уса в направлении его роста. [c.387]

Первый акт процесса присоединения частиц к кристаллу — адсорбция собственных частиц на его поверхности. Для понимания дальнейшего введем понятие о потенциальном рельефе поверхности грани. [c.27]

Так как грани разных кристаллографических форм различаются потенциальным рельефом, то энергия адсорбции одних и тех же частиц на разных гранях имеет различные значения, или, как говорят, адсорбция на гранях разных кристаллографических форм специфична. Так, найдено, что теплота адсорбции молекул воды на гранях пинакоида кристаллов льда равна - 38 кДж/моль, на гранях призмы— 34 кДж/моль. [c.48]

Оказалось, что потенциальный рельеф поверхности проявляется даже в случае таких однородных адсорбентов, каким является графит. Примеры структур адсорбционных фаз, соразмерных базисной грани графита, приведены на рис. 3. Иногда фазы, представленные на рис. 3, а, называются УЗ Хл/ -фазы, так как сторона элементарной ячейки адсорбированного монослоя в этом случае в л/Ъ раз больше стороны ячейки базисной грани графита. Область существования л/З -фазы показана на рис. 2, III. Если эффективный диаметр молекулы адсорбата меньше, чем сторона ячейки поверхности адсорбента, то степень заполнения поверхности при образовании соразмерной фазы меньше единицы. При увеличении внешнего давления адсорбированные молекулы выталкиваются из минимумов поверхности потенциала взаимодействия адсорбат— адсорбент и образуют плотную, но несоразмерную фазу. Это и есть переход типа соразмерность—несоразмерность. Другой пример такого перехода — равновесие соразмерной фазы с флюидными фазами. Интересные результаты в описании переходов соразмерность— несоразмерность были получены с применением теории ренормализа-ционной группы [8]. [c.27]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология