Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Атомные плоскости

Рис. 62. Различные семейства атомных плоскостей Рис. 62. Различные семейства атомных плоскостей

    Положение любой атомной плоскости в пространственной решетке определяется при помош,и трех простых целых чисел. Эти числа называются индексами плоскости (индексы Миллера) и представляют собой величины, обратные величинам отрезков, отсекаемых плоскостью на осях координат. Индексы плоскости обозначаются буквами h, k, I и заключаются в скобки. [c.111]

    Пусть на кристалл падает пучок монохроматических рентгеновских лучей, образуя угол О с одним из семейств атомных плоскостей (рис, 63, а). Луч 5 , попадая на атомную плоскость Р , отразится от нее в направлении 5. Второй луч 8о, пройдя первую атомную плоскость (на основании свойства рентгеновских лучей проникать через вещество), отразится от плоскости Р, и также выйдет в направлении 5 и т. п. Отраженные параллельными атомными плоскостями лучи будут интерферировать между собой и в зависимости от их фазового соот- [c.112]

    Произвести индицирование рентгенограммы. Проиндицировать рентгенограмму — значит определить индексы атомных плоскостей, которые дали на рентгенограмме линии. Без знания индексов атомных плоскостей невозможно определить параметры решетки и ее тип. Индицирование можно произвести несколькими способами  [c.122]

    В пространственной решетке через отдельные группы атомов можно провести бесчисленное количество параллельных плоскостей. Совокупность параллельных атомных плоскостей называется семейством атомных плоскостей, а расстояние между ними — межплоскостным расстоянием d (рис. 62). Количество атомов, входяш,их в ту или иную плоскость, различно и тем меньше, чем меньше межплоскостное расстояние. [c.111]

Рис. 14-22. Сечение металлического кристалла в атомной плоскости со схематическим изображением электронного газа. Каждый обрамленный кружком положительный заряд соответствует атомному ядру с запол- Рис. 14-22. Сечение <a href="/info/69399">металлического кристалла</a> в атомной плоскости со <a href="/info/376711">схематическим изображением</a> <a href="/info/18056">электронного газа</a>. Каждый обрамленный кружком <a href="/info/17612">положительный заряд</a> соответствует <a href="/info/6650">атомному ядру</a> с запол-
    Следовательно, отражения от данного семейства атомных плоскостей каждого кристаллика, находящегося в пучке рентгеновских лучей, будут сливаться в одну сплошную конусную поверхность (конус дифракции), количество таких конусов будет соответствовать количеству семейств атомных плоскостей (рис. 65). [c.114]

Рис. ХХХ.4. Межплоскостные расстояния и кристаллографические индексы некоторых атомных плоскостей. Рис. ХХХ.4. <a href="/info/946179">Межплоскостные расстояния</a> и <a href="/info/70739">кристаллографические индексы</a> <a href="/info/1456405">некоторых атомных</a> плоскостей.

    Простая модель металлической связи, основанная на представлении об электронном газе , согласуется также с двумя другими характерными свойствами металлов их ковкостью и пластичностью. Ковкое вещество легко поддается расплющиванию молотом в тонкие листы пластичное вещество можно вытягивать в тонкую проволоку. Для того чтобы такая обработка металлов с изменением формы происходила без разрущения, атомные плоскости кристалла должны легко скользить одна по другой. Такое смещение атомов не вызывает появления больших сил отталкивания в металлах, потому что подвижный электронный газ постоянно смягчает перемещение положительных ионов, экранируя их друг от друга. Совсем [c.624]

    Преимущества определения положения атомных плоскостей при помощи индексов (/г, к, /), а не осевых отрезков, отсекаемых плоскостями на осях координат, будут очевидны, если учесть, что они всегда являются простыми целыми числами и величина их не зависит от внешних влияний (температура, растяжение, сжатие и т. п.), чего не наблюдается у осевых отрезков. Кроме того, индексы (й, к, I) наиболее просто определяют положение атомных плоскостей в кристаллической решетке. [c.111]

    Уравнение Вульфа—Брегга. Русский физик Г. В. Вульф дал наглядное объяснение отклонению рентгеновских лучей при прохождении их через кристаллическое вещество. Он показал, что рассеивание рентгеновских лучей атомами можно рассматривать как отражение рентгеновских лучей от параллельных атомных плоскостей кристалла. [c.112]

    Для определения индексов плоскостей на график наложить полоску бумаги шириной 15—20 мм как это показано на рис. 72, а. Отметить штрихами все вычисленные значения sin б Если предположить, что все атомные плоскости кубической решетки отражали рентгеновские лучи, то первое кольцо на рентгенограмме должно принадлежать первой возможной атомной плоскости (0,0, 1 О, 1,0 или 1,0,0). Затем переместить полоску бумаги так, чтобы нижний ее край совпадал с осью абсцисс и полоска была параллельна осп ординат до совпадения первого штриха с линией графика. Если принятое предположение справедливо, то при этом значении к/2а все штрихи, отмеченные на полоске, обязательно совпадут с несколькими линиями графика. Индексы этих линий являются индексами атомных плоскостей исследуемого кристалла. [c.123]

    Умножая sin 0 /s n 0J иа 3, получают ряд чисел 3 3,99 7,98 10,95 11,91 15,93 18,96 19,86. Полученный ряд можно написать в виде ряда целых чисел 3 4 8 11 12 16 19 20. По табл. 11 находят индексы атомных плоскостей, которые имеют одинаковую четность для всех атомных плоскостей следовательно, решетка — кубическая, гранецентрированная. [c.128]

Рис. 14-23. Силы, возникающие при сдвиговой деформации кристаллов, я-сдвиг слоев металлического кристалла вдоль атомной плоскости не приводит к возникновению больших Рис. 14-23. Силы, возникающие при <a href="/info/176849">сдвиговой деформации</a> кристаллов, я-<a href="/info/1177616">сдвиг слоев металлического</a> кристалла вдоль атомной плоскости не приводит к возникновению больших
    Предельным случаем такого процесса конденсации циклов является графит, состоящий из атомных плоскостей с гексагональными циклами, в которых делокализация электронов простирается на всю плоскость. Благодаря наличию делокализованных электронов графит является хорошим проводником электричества в отличие от алмаза, который обладает свойствами диэлектрика. Графит можно рассматривать как двумерный металл, в котором подвижность электронов ограничена отдельными атомными плоскостями, упакованными в стопку. [c.301]

    Уменьшение количества определяемой фазы в составе катализатора сопровождается ослаблением всех ее линий на рентгенограмме и исчезновением наименее интенсивных из них, так что о присутствии данной фазы приходится судить по наличию не всех ее линий, а только наиболее интенсивных, характерных. Наименьшее количество фазы в составе катализатора, заметное на рентгенограмме, зависит от многих факторов отражательной способности атомных плоскостей данной фазы, ее состояния (дисперсности, напряженности и т. п.), соотношения оэффициентов поглощения определяемой фазы и всей смеси, условий съемки [c.379]

    При некоторых условиях (например, когда скорость поступления ионов к местам роста слишком мала) структурные элементы могут присоединяться одновременно и к местам энергетически менее выгодным. Так образуются зародыши в положении 3 еще до окончания роста слоя решетки, после чего около них возникают другие места роста следующего слоя решетки. Вследствие этого образуются несколько одновременно растущих слоев в виде пакета, состоящего из 1000 и более атомных плоскостей. [c.336]

    Для более полной характеристики кристаллов введены понятия об атомных плоскостях, межплоскостных расстояниях ( ) и кристаллографических индексах (А,Л//г)- [c.353]

    Кристаллографические индексы (ЛА/) характеризуют ориентацию атомных плоскостей относительно координатных осей кристаллической структуры (ребер элементарной ячейки). При установлении индексов исходят из длин отрезков, отсекаемых атомной плоскостью на трех выбранных осях. Эти отрезки измеряют не в мерах длины, а в долях ребер элементарной ячейки (например, /г ребра, Уз ребра, 2 ребра и т. д.). [c.354]


    Полученные таким образом три взаимно простых числа (АА/) и являются кристаллографическими индексами как данной атомной плоскости, так и всего семейства параллельных ей атомных плоскостей. Например, для плоскости с отрезками на осях /г, /з. [c.354]

    Выберем в отдельном кристаллике определенную пачку параллельных атомных плоскостей с межплоскостным расстоянием й. Пусть на эту пачку падает монохроматический пучок рентгеновских лучей о с длиной волны А.1 (рис. XXX. 6). Дифракция первого порядка произойдет только тогда, когда разность хода (2 (] 8Ш О]) между соседними парами отраженных лучей будет рав- [c.356]

    Выберем один кристаллик, расположенный так, что пачка атомных плоскостей с межплоскостным расстоянием 1 ориентирована относительно первичного пучка рентгеновских лучей (5о) под углом скольжения 01 (рис. XXX. 7). Тогда, под тем же углом 01 (к пачке атомных плоскостей) возникнет дифракционный луч I. [c.357]

    Для второго кристаллика, в котором та же пачка атомных плоскостей ( ) ориентирована под таким же углом 01 к первичному пучку рентгеновских лучей, получим второй дифракционный луч [c.357]

    Общее количество дифракционных конусов примерно равно произведению п,т/ (где п/ — число различных порядков дифракции /п/ — число пачек атомных плоскостей с межплоскостными расстояниями с/,). [c.357]

    Можно ввести новые индексы — /У/(L-индексы — дифракции, характеризующие как ориентацию атомных плоскостей, так и порядок дифракции рентгеновских лучей. Эти индексы получают умножением порядка дифракции на значения кристаллографических индексов  [c.360]

    Соотношение (XXX. 12) получается из соответствующей формулы аналитической геометрии путем замены направляющих косинусов индексами. В кубической сингонии все элементарные ячейки подобны, поэтому взаимное направление нормалей к атомным плоскостям не зависит от размеров ячейки, а только от ориентации соответствующих атомных плоскостей, то есть от кристаллографических индексов кк1). [c.368]

    Линейные дефекты структуры называются дислокациями. Простейший вид днслокации — краевая дислокация. Она представляет собой край одной из атомных плоскостей, обрывающейся внутри кристалла. Дислокации возникают как в процессе роста кристаллов, так и при местных механических, тепловых и других воздействиях на кристаллы (см., например, рис. 142, а, б на стр. 538). На рис. 02 изображена краевая дислокация (линия АВ), возникшая в результате сдвига части кристалла по плоскости АВСО в направлении, указанном стрелкой. [c.163]

    Таким образом, каждое семейство атомных плоскостей будет давать ряд отражений в зависимости от того, какие значения может принимать п (1, 2, 3 и т. д.), чтобы sin О не превьнпал единицы. Соотноите- [c.112]

    Брегга), будем вращать кристалл вокруг оси первичного пучка. Отражен-н ,1Й луч, очевидно, опишет в пространстве конус с углом при вершине, равном 4б. Другое семейство плоскостей этого же кристалла даст такой же конус, но уже с иным углом при вернпже и т. п. Если на пути отраженных лучей перпендикулярно первичному пучку поставить фотопластинку, то на ней зафиксируется ряд коицсптрпческпх колец по числу семейств атомных плоскостей, отражающих рентгеновские лучи. [c.113]

    Несовпадение большинства черточек с прямыми графика указывает на то, что предположение сделано неверно. Тогда необходимо совместить первую черточку на полоске со второй линией на графике, соответствующей атомной плоскости с индексами (О, 1, 1). Если и в этом случае пе наблюдается совпадения, то операцию повторяют до тех нор, пока все штрихи sin 6 на полоске не совпадут с линиями па графике. На рис. 72, б приведен пример совмещения всех 1птрихов sin Q с линиями на графике, причем первый штрих совмещен с линией, соответствующей атомной плоскости (1, 1, 1). [c.123]

    Так как h, k, l — числа целые, то в правой части уравнения (IV, 13) должно быть соотношение логарифмов квадратных корней целых чисел. Основываясь па этом, для определения индексон атомных плоскостей можно воспользоваться логарифмической линейкой. Для этого необходимо взять полоску бумаги, совместить ее начало со значением sin 0 1 на второй [икале снизу логарифмической липейки и отметить штрихами все значения sin 0,-. Переместить полоску бумаги на шкалу квадратов (вторую сверху) и, основываясь на том, что h, к, I — всегда целые числа, совместить начало полоски с цифрой 1. При этом [c.125]

    Эта теория может быть применена для описания рас-щипления атомных плоскостей и для трещин в пластически деформируемом теле. В математическом отношении оба случая эевивалентны. [c.213]

    Роза числа пересечений является важной ориентационной характеристикой металлографической структуры материала Граничные поверхности зерен являются пограничными зонами, свойства которых могут весьма сильно от.шчвться от свойств регулярной кристал.пической решетки. Эго связано с тем, что уровень свободной энергии пограничных зон намного вьппе, чем в самом зерне в этих зонах создаются наиболее благоприятные условия для образования и скопления вакансий, выделения растворенных атомов, миграции примесей. При пластическом деформировании пограничные зоны являются высокоэнергетическими барьерами на пути движения дислокашш, одновременно они блокируют скольжение по атомным плоскостям. Отсюда вытекает связь многих важнейших свойств металла с протяженностью пограничных зон (граничных поверхностей), отнесенной к единице объема металла В частности, выявлена прямолинейная зависимость твердости по Бринеллю простых металлов от удельной поверхности микрочастиц [83]  [c.43]

    XXVIII. Углы р между нормалями к атомным плоскостям [c.389]

    При обсуждении строения таких молекул, как бензол, мы убедились, что в некоторых случаях электроны могут делокализовываться, или распределяться, по нескольким ядерным центрам. Это происходит при условии, что атомные орбитали одного атома способны взаимодействовать с атомными орбиталями сразу нескольких других атомов. Как мы уже знаем из разд. 8.7, ч. 1, в графите электроны делокализуются в пределах целых атомных плоскостей. Целесообразно подойти к рассмотрению хими- [c.360]


Смотреть страницы где упоминается термин Атомные плоскости: [c.112]    [c.126]    [c.609]    [c.624]    [c.174]    [c.8]    [c.174]    [c.355]    [c.359]   
Кинетика гетерогенных процессов (1976) -- [ c.71 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте