Стоки дефектов

При высоких температурах, когда газовые атомы и обычные точечные дефекты приобретают заметную диффузионную подвижность, происходят распад пересыщенного раствора и оживление процессов аннигиляции и ухода на стоки дефектов структуры. Известно, что естественными стоками для точечных дефектов являются свободные поверхности. Кроме того, при достаточно высокой концентрации точечные дефекты могут образовывать собственные стоки путем скопления в группы, образования пор и газовых пузырьков [96]. [c.46]

Отметим, что адсорбция, вызванная восходящей диффузией к границам, как показывает исследование микротвердости малых зерен, или несущественна или отсутствует полностью. Однако в реальном металле при высоких температурах могут протекать и другие процессы, приводящие к накоплению атомов на границах. В частности, происходит сток линейных и точечных дефектов вследствие высокотемпературной подвижности, которые будут нести с собой атомы, находящиеся в окружающих их атмосферах. Имеет место реактивная диффузия атомов некоторых элементов на границы в силу высокого химического сродства их с другими элементами, ранее там оказавшимися (например, атомов титана — к сегрегациям атомов углерода или наоборот). Но, как следует из только что рассмотренного эксперимента, с изменением микротвердости в малых зернах роль стока дефектов и реактивной диффузии, по-видимому, также не существенна в общем процессе образования высокотемпературных граничных сегрегаций. Это подтверждается отмеченной выше слабой очисткой решетки малых зерен, в которых происходили только эти процессы. Очистка же рядом расположенных крупных зерен была велика. Становится очевидным в связи с этим, что накопление инородных атомов на границах новых зерен происходит вследствие сбора мигрирующими границами дефектов решетки вместе с их атмосферами и что этот процесс является главным механизмом в образовании высокотемпературных сегрегаций. [c.107]

На рис. 95 приведена схема зарастания свободного пространства (поры) между двумя зернами. Контактная граница между припекшимися зернами образует перемычку с вогнутой поверхностью с малым радиусом кривизны. Концентрация вакансий вблизи этой поверхности больше, чем вблизи выпуклой поверхности зерен. Поэтому вакансии диффундируют от перемычки к поверхности зерен и там погашаются (стоком вакансий, т. е. местами их уничтожения, могут быть также границы блоков в кристаллах, дислокации, микротрещины и другие протяженные дефекты), а к перемычке диффундирует поток материальных частиц, который расши- [c.336]

Разумовская и Зайцев [6.13] внесли уточнения в активационную модель трещины, применив метод машинного моделирования. Авторы отмечают, что результаты машинного моделирования трещин в кристаллической решетке приводят к выводу, что если на фронте трещины при разрыве связи возникнет перегиб, то он будет распространяться безактивационно и весь фронт трещины продвинется, увеличив длину трещины на К. Кроме того, из-за многочисленных дефектов, вакансий, микронеоднородностей и т. д. в полимере имеются многочисленные пути стока перегиба, и в результате разрыва одной связи только малый участок фронта трещины продвигается вперед. Это один из вариантов группового разрыва связей в хрупком состоянии. [c.153]

При повышении температуры кристалла возрастают равновесные концентрации вакансий и межузельных атомов, а нри понижении температуры часть дефектов исчезает на стоках. Роль таких стоков могут играть другие дефекты решетки, в частности дислокации. [c.43]

Использование осадков стоков свеклосахарного производства как кормового продукта. Сгущенные и высушенные осадки сточных вод свеклосахарных заводов могут быть использованы не только для удобрения полей, но и для минеральной подкормки животных, вследствие чего необходимо исключить смешение производственных стоков с моечными и бытовыми, а также длительное хранение дефекта в накопителях, где выщелачиваются азот и другие полезные для корма вещества. [c.169]

Трехмерные (объемные) дефекты представлены, главным образом, порами и различного рода инородными включениями. Поверхность пор в принципе обладает теми же свойствами, что и плоская поверхность в частности, она служит источником или стоком вакансий и междуузельных атомов [30]. [c.47]

При равновесных условиях концентрации вакансий и ад-атомов имеют определенные значения при каждой определенной температуре эти значения поддерживаются равновесными реакциями их образования в местах зарождения или стока, например в местах излома ступеней роста. Более того, даже при отсутствии ступеней роста или других мест зарождения дефектов возможно образование пар дефектов на атомно-гладкой поверхности, когда какой-либо атом из поверхностного слоя переходит в ад-состояние и затем путем поверхностной диффузии удаляется от образовавшейся при этом поверхностной вакансии. Этот процесс можно уподобить образованию дефектов Френкеля в объеме кристалла, при этом ад-атом выступает аналогом междуузельного атома. Описанная реакция может [c.282]

Принципиально возможны два механизма образования зародышей на кристаллической поверхности непрерывный рост и спонтанная кристаллизация. В первом случае процесс роста можно представить следующим образом. Атом, достигший подложки, мигрирует на ее поверхности, пока не займет положения с минимумом энергии у активного центра. Активными центрами могут служить различного рода нерегулярности, в том числе изломы и ступеньки недостроенных атомных плоскостей, дислокации, ступени скола, скопления дефектов. Действуя подобно атомным ловушкам, эти нерегулярности являются предпочтительными местами для образования скоплений осаждаемых частиц, а искажения потенциального рельефа около нерегулярностей обусловливают сток мигрирующих атомов. Согласно такому представлению, число и размер зародышей должны постепенно увеличиваться, с течением времени. При спонтанном образовании зародышей, когда пересыщение превыщает критическое значение, начинается самопроизвольная кр,и-сталлизация. При таком механизме в некоторый момент могут образоваться зародыши приблизительно одинакового размера, и до определенного момента число их будет увеличиваться без существенного изменения размеров. [c.209]

По мере выращивания кристалл охлаждается. Каждой температуре соответствует свое состояние внутреннего равновесия, дл установления которого может оказаться необходимой миграции (смещение) тех или иных дефектов на большие или меньшие расстояния. При относительно большой скорости охлаждения миграционные процессы, например сток избыточных вакансий к внешним или внутренним поверхностям, не успевают осуществиться, № кристалл не находится в состоянии равновесия при данной температуре. [c.175]

Когда вакансия подходит к ступеньке, эта последняя смещается на одно межатомное расстояние, а сама вакансия исчезает. Также поглощаются межузельные атомы, но ступенька смещается в направлении, противоположном смещению при захвате вакансии. Таким образом, ступеньки на дислокации являются местом стока для точечных дефектов. [c.229]

Поле напряжений дислокационной границы можно рассматривать как суперпозицию полей напряжений от составляющих ее дислокаций. Поэтому границы должны притягивать примесные атомы и точечные дефекты и являться местами скопления примесей или стока и генерации точечных дефектов. В типичных случаях число примесных атомов, которое может скопиться у границ, составляет порядка 10" Поэтому можно говорить о преимущественной сегрегации примесей вдоль межзеренных границ и утверждать, что эти границы являются местами резкой неоднородности всех физических и физико-химических свойств кристаллов. [c.234]

При повышении температуры кристалла термодинамически равновесные концентрации точечных дефектов (вакансий и межузельных атомов) возрастают. Образование дефектов по Шоттки показывает, что в кристалле имеются некоторые источники вакансий. Наоборот, при понижении температуры часть дефектов исчезает на стоках. Природа этих источников и стоков выяснена сравнительно недавно. По-видимому, при этом важнейшую роль играют дефекты решетки высшего порядка — дислокации, границы зерен, микроскопические трещинки и т. п. Благодаря наличию подобных внутренних источников время установления термического равновесия в системе кристалл — точечные дефекты сравнительно слабо зависит от геометрических размеров кристалла. Однако при быстром охлаждении, например при закалке жидким азотом, точечные дефекты не всегда успевают уйти в стоки и как бы замораживаются в кристаллической решетке. Точечные дефекты в кристаллах могут [c.12]

Опыт химической полировки турбинных лопаток из сплавов ВД-17 показал, что в процессе полировки па поверхности изделий могут образовываться небольшие канавки, возникающие в местах наиболее интенсивного стока пузырьков газа по поверхности. Чтобы избежать таких дефектов, следует периодически встряхивать детали. [c.36]

Наличие дефектов в строительстве и эксплуатации в частности канализационных сооружений часто объясняется отсутствием в проектах описания технологических процессов очистки стоков, указаний по пуску, наладке и эксплуатации сооружений. [c.132]

Изготовление деталей для металлизации должно проводиться таким образом, чтобы поверхность была без дефектов, не имела явной ориентации структуры и внутренних напряжений. Это обусловливает ряд требований к пресс-форме. Она должна быть сконструирована так, чтобы были спрятаны линии стока и разъема, литник надо расположить в местах наибольшей толщины детали. Для каждого вида пластмассы следует предусмотреть определенный технологический уклон. Для АБС-пластиков рекомендуется технологический уклон не меньше 1°, для полиэтилена, полипропилена, полиацеталей и акриловых смол — 0,25°, для полиамидов — 0,125°. Только мелкие детали очень простой формы можно изготавливать без технологических уклонов. [c.27]

Такой механизм образования высокотемпературных граничных сегрегаций подтверждает также кривая изменения плотности дислокаций на участке роста зерен (см. рис. 65). Несмотря на максимальное напряжение I рода плотность дислокаций на этом участке оказалась минимальной. На этом участке снизилась и величина напряжений И рода. Поскольку сток линейных дефектов не существен, то это явление можно объяснить сбором примесных атомов мигрирующими границами. [c.108]

Эмалевые пленки в большей или меньшей степени проницаемы для влаги. Поэтому если на поверхности металла до нанесения эмали остались следы водорастворимых солей, то они будут поглощать влагу через пленку и под действием образующегося раствора пленка покрытия будет отслаиваться от металла. Это явление известно как осмотическое вздутие, причем пленка действует как полупроницаемая мембрана. Образующиеся дефекты (например, пузыри, наполненные водными растворами солей) часто являются изображением различных потеков, остающихся на изделиях в процессе щелочного обезжиривания и фосфатирования. Такие дефекты, называемые иногда спиральной дорожкой, являются одной из причин, препятствующих проведению предварительной химической обработки перед эмалированием. Для исключения возможности возникновения этого дефекта необходимо провести тщательную промывку и обеспечить равномерный сток промывных вод в процессе подготовки поверхности щелочным обезжириванием и фосфатированием. После предварительной химической обработки возможно нанесение многослойных покрытий, дающих пленки толщиной не менее [c.494]

Правильность разводки коммуникаций между аппаратами, отсутствие тупиков, мешков, в которых могла бы остаться жидкость, наличие уклонов для ее стока. При выявлении какого-либо дефекта его устраняют. Если это по каким-либо причинам невозможно сделать и если это не вредит режиму работы аппарата, то коммуникацию оставляют в том виде, как она изготовлена, но из нее должна быть проведена специальная трубка с запорным вентилем для слива скапливающейся жидкости. [c.136]

Следовательно, обеднение хромом при образовании карбидов хрома прилегающего матричного металла доказано экспериментально. Уровень же обеднения в прикарбидной зоне определяется рядом факторов концентрацией атомов в сегрегациях, величиной реактивной диффузии, стоком дефектов решетки к межфазной границе, восходящей диффузией, степенью искажения решетки матрицы вокруг карбидных частиц и т. д. В непосредственной близости к частице расположена область повышенной концентрации компонентов, участвующих в образовании фазы, по крайней мере одного из них, созданной и автокаталически растущей в результате восходящей диффузии. Как показывают эксперименты, вокруг карбидной частицы, имеющей разнообъемные с матрицей элементарные кристаллические ячейки, возникает сложная сетка геометрических искажений и линейных нарушений решетки, с высоким адсорбционным насыщением (это естественно, так как объем элементарной ячейки решетки карбида, например, Nb , на 20% больше соответствующей ячейки аустенита [89]). Возникновение искаженной решетки в зоне карбидных частиц вызвано также и различием в термических 118 [c.118]

Неоднородность структуры поверхности кристалла предопределяет возможность наличия вдоль нее градиента химического потенциала. Это приводит к поверхностной самодиффузии (диффузии вещества кристалла) и гетеродиффузии (диффузии чужеродных частиц). Эти процессы идут в направлении выравнивания поверхности граней, залечивания их дефектов. Кроме того, распространению вещества по поверхности (его ползучести, растеканию) способствуют неровности, которые служат стоками для диффундирующих частиц. [c.342]

К настоящему времени накоплен общирный экспериментальный материал, касающийся образования неравновесных границ зерен при их взаимодействии с рещеточньпми дислокациями [172]. Под взаимодействием границ зерен с дислокациями понимают действие больщеугловых границ как источников и стоков для дислокаций решетки. Достижением недавних исследований, включая компьютерное моделирование, явилось доказательство того, что решеточные дислокации, попадая в границу, остаются дискретными дефектами кристаллического строения и взаимодействие дислокаций с границами должно заключаться в достаточно сложных перестройках. Решеточная дислокация не может просто оборваться на границе, она должна продолжаться в границе зернограничной дислокацией (одной или несколькими). Поэтому в поликристалле решеточные дислокации вместе с зернограничными должны образовывать единую замкнутую систему (рис. 2.19) [172]. Следовательно, взаимодействие решеточных дислокаций с большеугловыми границами сводится, по существу, к взаимным превращениям внутризеренных и зернограничных дислокаций. Как и [c.97]

Непонятна связь концентраций дефектов в кристаллах с каталитической активностью. Известно, что в хорощо отожженном кристалле на 1 см поверхности приходится 10 поверхностных центров. Есть кристаллы, у которых число поверхностных центров составляет 10 на I см . В зоне дислокации следует ожидать изменения химического потенциала адсорбированных частиц, что должно сказаться иа каталитических процессах. Дислокации, кроме того, являются источниками (стоками) вакансий, поэтому на них может происходить аккомодация примесей. Экспериментальные же данные по корреляции концентраций дефектов и каталитической активности крайне противоречивы. Сосиовским, Ухарой и др. [3.28] установлена пропорциональность между ростом числа дислокаций (полученных ионной бомбардировкой или механически.ч напряжением) и ускорением скорости процесса катализа при уменьшении числа дислокаций (путем отжига) скорость реакции замедлялась. По Вудворду [3.29]—наоборот окисление этилена па монокристаллах серебра происходит с меньшей скоростью при увеличении плотиости дислокаций. [c.147]

Случай АН (рост предела с ростом температуры) отвечает отрицательной энергии активации цепной деструкции напряженных макромолекул и скорее может быть истолкован поэтому на основе гипотезы заготовок . Возможен, правда, и вариант нредэкспоненциального уменьшения Р с ростом температуры за счет появления побочного стока энергии возбуждения напряженных полимерных цепочек без их деструкции. Некоторое развитие гипотезы Каргина — Кабанова — Паписова может дать объяснение и уменьшению молекулярного веса полимера с ростом дозы излучения. Рост Цапряженных полимерных цепочек происходит, согласно этой концепции, до какого-либо дефекта кристаллической решетки. Поэтому молекулярный вес полимера может падать за счет возникновения радиационных дефектов или создания дефектов при самом образовании макромолекул в структуре мономера, а также вследствие частичной гибели напряженных цепочек (например, при наличии частичного отжига их в ходе облучения). [c.11]

Проверяют ностунление масла ко всем смазываемым точкам — на коренные, шатунные и выносные подшипники, направляюн1ие ползунов. О.тиовременно проверяют уплотнение всех стыков маслопроводов и устраняют выявленные дефекты. Перепускной клапан в этот период регулируют на максимальное давление 0,5 МПа, Затем подают воду в масляные. холодильники и проверяют герметичность системы. Проверяют работу конт-рольно-нзмерительны.х приборов (манометров, термометров), уровень масла, срабатыван[ е реле давления на отключение компрессора при давлении и масла ниже нормального. Фильтр грубой очистки периодически переключают и очиш,ают отключенную секцию. Систему промывают до прекращения загрязнения фильтров грубой очистки (3—4ч), Затем регулируют давление перепускного клапана на 0,2—0,4 МПа (минимальное рабочее давление 0,15 МПа, давление срабатывания блокировки 0,12 МПа) и несколько раз проворачивают коленчатый вал компрессора. В горизонтальных машинах контролируют сток масла из картера в бак. Скопление масла в картере свидетельствует о засорении маслопровода или недостаточном его сечении. Если при прокачке масло нагревается, включают масляные холодильники. По окончании промывки масло сливают из системы, масляный бак и фильтры очищают от осадков. Заправляют чистое масло и готовят систему к работе компрессора. [c.78]

В заключение следует отметить, что требования к чистоте материалов для тех или иных конкретных приборов еще недостаточно разработаны. В значительной степени это связано с тем, что во многих случаях влияние примесей подавляется гораздо более сильным влиянием дефектов. Однако технология очистки материалов от дефектов и управления дефектностью быстро развивается, и со временем роль чистоты еще более повысится. Сейчас техно-логи-ростовики кристаллов зачастую вынуждены сознательно идти на повышение дефектности, так как в бездефектных кристаллах оказывается большее содержание вредных примесей (дефекты служат для примесей эффективными стоками, например дислокация для кислорода). Очистив же кристалл от примесей, мы сможем позволить себе убрать и дефекты, тем самым повысив качество кристалла. [c.160]

Наблюдение в течение двух лет за работой лабораторных колонн с анионитом ЭДЭ-ЮП, поглощающих сульфонол и некаль из сточных вод и других минерализованных растворов, показывает, что за этот период качество анионита практически не изменилось, не считая некоторого измельчения его зерен. Этот дефект при работе с анионитом в псевдоожиженном слое существенного значения не имеет, так как не влияет на потерю напора при фильтровании стока и на потери анионита. Судя по литературным данным и принимая во внимание наш опыт работы лабораторных колонн, можно считать, что срок службы анионита в среднем составляет не менее семи лет. Годовой износ аниони- [c.57]

Поскольку изменения вибрационной энтропии при образовании как вакансий, так и межузельных атомов всегда значительно меньше соответствующих энтальпий образования, то концентрация того или иного вида дефектов определяется в первую очередь величиной энтальпии образования. Расчеты показывают, что для плотно упакованных металлов концентрация атомов в междоузлиях на много порядков меньше концентрации вакансий. В случае же элементарных полупроводников со структурой типа алмаза объем междоузлий и их окрул-[ение мало отличаются от нормальных узлов и, следовательно, переход атома из узла в междоузлие не сопровождается появлением столь большой энергии деформации, как в плотно упакованных металлах. Поэтому концентрация межузельных атомов в кристаллах со структурой типа алмаза может быть того же порядка, что и концентрация вакансий. Однако не существует каких-либо данных о влиянии межузельных атомов на свойства кремния или германия, и можно считать, что концентрация атомов в междоузлиях достаточно совершенных кристаллов в общем случае незначительна. Необходимо обратить внимание на то, что между равновесными концентрациями вакансий и межузельных атомов в чистых элементарных кристаллах отсутствует какая бы то ни было связь. Это объясняется тем, что поверхность кристалла (внешняя или внутренняя) всегда играет роль либо источника, либо стока вакансий. Между кристаллами с точечными дефектами Шоттки и кристаллами с дефектами Френкеля имеется принципиальное различие. [c.169]

Слеживаемость по [282] — результат поверхностной диффузии некоторых наиболее подвижных солей (например, NH4 1, ЫН4ЫОз) в зону контактов гранул, Источниками диффузионных потоков служат выходы дислокаций на поверхность кристаллических блоков солей с высокоподвижными ионами, стоками служат различные дефекты структуры и точки касания гранул друг с другом. Источники внутри гранул генерируют потоки, находящие местные стоки (например, внутренние полости) и не достигающие поверхности. По оценочным измерениям толщина слоя, участвующая в слеживании гранул, составляет 0,1— 0,2 мм. [c.235]

В производственной практике выпавшая твердая фаза в большинстве случаев быстро отделяется от маточного раствора и процессы упорядочения поверхности протекают в меньшей степени, значительно медленнее и главным образом за счет поверхностной самоднффузии [58, с. 18—26, 34— 64]. Объемная разупорядоченность структуры кристалла снижается вследствие аннигиляции дефектов, их диффузии к границам раздела зерен, которые являются стоками диффузионных потоков, или в результате стабилизации дефектов у внутренних стопоров, которыми часто являются примесные кластеры. [c.63]

Таким образом, складывается следующая физическая модель процесса. Слеживаемость — есть результат поверхностной диффузии некоторых наиболее подвижных солей (например, ЫН4С1, ЫН4ЫОз) в зону контактов гранул. Диффузия осуществляется па реальной поверхности вещества, определяемой структурным типом зерна. Диффузионный поток, очевидно, должен иметь источники и стоки. Источниками служат выходы дислокаций на поверхность кристаллических блоков солей с высокоподвижными ионами, стоками — различные дефекты структуры и точки касания гранул друг с другом, т. е. такие участки поверхности,, которые существенно отличаются от гладкого рельефа. Источник является, очевидно, активным лишь в случае, есЛи он и русло диффузионного потока существенно увлажнены, иначе энергия молекул соли будет меньше энергии активации диффузии. [c.145]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология