Перенос заряда стабилизация галогенид-ионов

Из уравнения (V.4) следует, что в пределе, при полном переносе электрона от донора к акцептору, т. е. при i Jer = 1, теплота образования комплекса —ДЯ должна быть равна 35,3 ккал/моль. Однако известны комплексы, например комплексы галогенидов металлов П1 группы с некоторыми донорами, для которых теплота образования превышает это предельное значение (см. гл. UI.1). При больших степенях переноса заряда в комплексах типа пи значительный вклад в энергию стабилизации комплекса вносит, по-видимому, электростатическое взаимодействие между ионами —А ". Таким образом, корреляция (V.4) с уверенностью может быть отнесена к средним по силе комплексам со степенью переноса заряда до 0,5 и теплотой образования от 4—5 до 20 ккал/моль. [c.378]

Таким образом, можно полагать, что при облучении различных кристаллов возникают, вероятно, радикалы типа АВ4 с тридцатью одним электроном. Однако, хотя свойства этих радикалов согласуются с ожидаемыми, идентификация соответствующих радикалов остается до некоторой степени предположительной. То, что такие радикалы, по-видимому, образуются в матрицах-кристаллах, содержащих исходные тридцатидвухэлектронные ионы, представляется на первый взгляд удивительным. Можно было бы ожидать, что вследствие процессов переноса заряда радикалы, о которых идет речь, приобретут мобильность, т. е. что радикалы АВ4 в решетке из ионов АВ окажутся подвижными энергетическими дырками . Причиной появления вполне определенных радикалов может быть самозахват, обусловленный искажением конфигурации. Другой причиной может быть слабое ковалентное взаимодействие с соседним ионом ХО7 такого же типа, как взаимодействие, приводящее к стабилизации атомов галогенов в кристаллах галогенидов щелочных металлов. [c.221]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология