Адиабатические процессы испарение со свободной поверхности жидкости

Поверхностное испарение в процессе сушки. Явление поверхностного испарения влаги в процессе сушки аналогично адиабатическому испарению со свободной поверхности жидкости. [c.245]

Рассмотрим контакт газа и свободной жидкости в замкнутой термодинамической системе в изобарно-адиабатических условиях процесса испарения, когда температура жидкости /ж>0°С. Предположим, что передача тепла от газа к поверхности испарения происходит путем конвекции, и газ в начале процесса взаимодействия способен воспринимать молекулы испаряющейся жидкости. В зависимости от соотношения между температурами газа и жидкости, а также от влагосодержания газа будет наблюдаться изменение температуры жидкости и газа, а также испарение жидкости с поверхности. [c.39]

Для сушильной практики большое значение имеет адиабатический процесс испарения со свободной поверхности жидкости, сходный с процессом испарения с поверхности влажного материала в начальный период сушки. [c.623]

Независимо от того, в каком направлении пойдет процесс в начале взаимодействия (будет ли происходить испарение с поверхности или конденсация пара влаги на поверхности), между жидкостью и газом через, определенный промежуток времени установится термодинамическое и молекулярное равновесие. Таким образом, при соприкосновении влажного газа с поверхностью свободной жидкости в условиях изобарно-адиабатического процесса [c.40]

Изменение состояния воздуха (температуры, влагосодержания и относительной влажности) при адиабатическом процессе испарения влаги со свободной поверхности жидкости происходит по линии = onst. [c.623]

В результате проведенного анализа первого периода сушки можно сделать следующие выводы. Реальный процесс сушки материала в первом периоде (в зоне влажного состояния вещества) с большим приближением можно рассматривать как изобарно-адиабатический процесс, происходящий в термодинамической системе взаимодействия влажного газа с поверхностью свободной жидкости. На диаграмме /—X (рис. II-1) процесс развивается в пределах треугольника MNP. С одной стороны, процесс ограничен изотермой Л/Р ( м= onst), характеризующей теплофизические па-раметрй влажного газа на поверхности испарения материала [c.43]