Кадмия влияние на концентрацию дефектов

Поскольку влияние кадмия на концентрации дефектов заметно только при низких температурах, то при определенной температуре становится возможным изменение заряда на дислокации [32], что и наблюдалось в действительности. [c.563]

Сравнение концентраций дефектов в чистом и легированном AgBr (рис. XVI.11, а, б) показывает, что при наличии кадмия концентрация вакансий VAg увеличивается, а концентрация Ag уменьшается. На концентрации VAg и Agi , по крайней мере при высокой температуре, кадмий не оказывает влияния. [c.457]

Как уже отмечалось в разделах VIII. 1 и ХХ.З, диффузия атомов в кристалле возможна только при наличии дефектов (междоузельных атомов и вакансий). С другой стороны, известно, что концентрация дефектов зависит от состава и условий синтеза. Поэтому следует ожидать, что диффузия также будет зависеть от этих факторов. Влияние примесных атомов переменной валентности изучено достаточно подробно. В качестве примера можно указать систему Ag l -г d l2, где внедрение кадмия в определенной концентрации способствует образованию одинаковой концентрации металлических вакансий и, таким образом, благоприятствует диффузии ионов серебра (Кох и Вагнер, см. разд. XVI.7). Подобные эффекты могут возникать и в твердых телах, состоящих из чистых элементов. [c.584]

В [24] были изучены спектры поглощения топких монокристаллов сульфида кадмия, вырезавшихся из образцов, пластически деформировавшихся при температурах 100— 150К за счет образования и движения в базисной плоскости дислокаций с вектором Бюргерса вдоль <1120>. Полученпые результаты представлены на рис. 3. Анализ кривой поглощения показывает, что даже при большой плотности дислокаций (10 см ) ни положение, ни форма экситонной полосы существенно не меняются, а в районе линий, соответствующих образованию экситонных комплексов, появилась дополнительная полоса поглощения, ширина которой составляет не менее 0,01 эв. Появление этой полосы непосредственно определяется введенными в кристалл дислокациями и не может быть связано с влиянием собственных точечных дефектов или их комплексов, которые могли бы возникнуть при деформации. Такие дефекты достаточно хорошо изучены, и даже весьма значительные их концентрации не приводили к появлению подобной широкой полосы поглощения. С другой стороны, обычный электронный переход пе может обеспечить столь большого коэффициента поглощения (100 сж ), так как малы плотности состояний и силы осциллятора. [c.243]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология