Коэффициент диффузии метастабильных атомо

Коэффициент диффузии ионов Хе+ в собственном газе при плотности частиц газа 2,7-10 см-з и температуре 300 К D = 0,016-Ю-" м /с. Коэффициент диффузии метастабильных атомов ксенона ( Рг) в собственном газе при давлении 133,3 Па [c.546]

Коэффициент диффузии метастабильных атомов инертных газов в собственном газе при давлении 1 мм рт. ст., см 1сек [3] [c.290]

Здесь О а — коэффициент диффузии метастабильных атомов, — концентрация электронов на данном расстоянии г от оси, отнесённая к концентрации на оси, Ла — вероятность соударения первого рода между электронами и нейтральными атомами на оси разрядной трубки, — вероятность тушения соударениями второго рода метастабильных атомов с электронами на оси, То — вероятность таких же соударений с невозбуждёнными атомами на оси. Под вероятностями здесь понимаются по аналогии с оптическими [c.355]

Коэффициенты диффузии D метастабильиых атомов гелня в собственном газе в завнсимости от степени метастабильности [c.531]

Несколько сложнее процесс распада аустенита протекает в легированных сталях. Это объясняется тем, что перераспределение легирующих элементов протекает более медленно, так как коэффициент диффузии чужеродных металлических атомов в 10 —10 раз меньще, чем у углерода. Блантер [58], исходя из структурного и размерного соответствия [59], нащел, что из существующих карбидов наибольшее сходство с решеткой аустенита имеет цементит. Он предположил, что процесс распада может протекать в две стадии. Вначале реализуется диффузионное нерераспределение углерода в исходном легированном аустените и образуется промежуточная фаза цементитного типа. Изменение содержания легирующих элементов в фазах эвтек-тоида является вторичным процессом, частично накладывающимся во времени на основное превращение. Если условия эксперимента таковы, что успевает установиться равновесие, то перераспределение легирующих элементов приводит к образованию специального карбида (за счет обогащения промежуточной цементитной фазы легирующими элементами) и феррита, отвечающих по составу диаграмме состояния. Сейчас трудно установить, действительно ли образование промежуточных метастабильных карбидов цементитного типа связано с энергетической выгодой их образования в ориентированном положении относительно решетки аустенита (по сравнению со стабильными карбидами) или механизм процесса определяется одним лишь различием скоростей диффузии легирующих элементов и углерода. Вследствие сложности процесса эвтектоидного превращения в легированных сталях трудно ожидать, чтобы конечные продукты имели преимущественную ориентировку относительно исходного аустенита. Даже в простых углеродистых сталях попытки определить ориентировки продуктов превращения по отношению к решетке аустенита встречают трудности в связи с большим разбросом результатов. [c.342]

Хирс и Паунд провели точный расчет метастабильной равновесной концентрации адатомов на поверхности кристалла. Величина этой концентрации определяется процессом появления (диссоциация и диффузия) и процессом исчезновения (активация и десорбция) адатомов ([35], стр. 92). Одновременное решение уравнений, отражающих каждый этап процесса испарений, привело к общему уравнению для потока испаренного вещества, откуда можно получить численные значения коэффициентов испарения в каждом отдельном случае. Важным параметром в этих уравнениях является среднее расстояние между моноатомными ступеньками на поверхности кристалла. Для граней с малыми индексами расстояние между ступеньками превосходит среднее расстояние, проходимое адатомом при диффузии. Отсюда следует, что скорость испарения будет определяться как генерацией ступенек на краях кристалла, так и диффузией адатомов по поверхности. При этих условиях коэффициент испарения для моноатом-ных паров должен стремиться к минимальной величине = 1/3. На гранях кристалла с высокими индексами на поверхности создается много ступенек, расстояния между которыми сравнимы со средним диффузионным расстоянием, которое проходят адатомы, прежде чем они активируются и десорбируются. Эта ситуация приводит к г= 1. Были рассмотрены также и другие случаи, которые включали возможность затрудненной диссоциации атомов со ступеньки вследствие ограничения на энтропию, а также возможность большой энергии активации, необходимой для диссоциации атомов из узлового состояния. Для обоих этих случаев < 1/3. Малые величины а могут быть связаны и с адсорбированными примесями. Влияние этих примесей связано с тем, что, адсорбируясь на краях кристалла, они не позволяют образовываться новым ступенькам, с которых происходит испарение. Следовательно, адатомы поставляются только с уже существующих ступенек, которые вырастают до макроскопического размера и уменьшают скорость испарения. Экспериментальных данных, полученных на совершенных монокристаллах для подтверждения приведенных выше концепций, очень мало. Сирс [53] показал, что испарение с краев кристалла облегчается, если внешнее давление уменьшить на 2% по сравнению с равновесным давлением. Однако испарение с одиночной поверхности того же самого кристалла не происходит совсем, если внешнее давление уменьшить на половину равновесного давления. Это подтверждает то положение, что края кристалла являются источниками ступенек испарения. Теория поэтапного испарения может быть распространена на случаи несовершенных кристаллов и поликристаллических веществ ([35], стр. 107). Испарение этих веществ подчиняется тем же кинетическим законам, что и испарение совершенных кристаллов, за исключением различия в расстоянии между ступеньками испарения. Спиральные дислокации, например, служат дополнительным источником моноатомным ступенек, причем расстояние между последними следует считать таким же, как и в случае ступенек, возникших на краях кристаллов. Следовательно, несовершенные кристаллы должны иметь коэффициенты испарения, близкие к коэффициентам испарения для совершенных кристаллов (а 1/3). В поликристаллических веществах источниками ступенек служат границы зерен, трещины, края кристаллов и дислокации. Число таких центров велико, поэтому среднее расстояние между ступеньками мало, что приводит к величине коэффициента испарения, близкой к единице, несмотря на то, что процесс подвержен ограничению как по энтропии, так и по примесям. [c.44]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология