Междоузельные атомы концентрация

Из константы равновесия/С видно, что проводимость сульфида свинца повышается с ростом концентрации избыточных атомов свинца вследствие одновременного увеличения числа электронов проводимости. На каждый междоузельный атом свинца приходится по два электрона проводимости. [c.189]

Концентрация вакансий (междоузельных атомов) составляет 0,19%. Одна вакансия уменьшает объем кристалла на 0,4 v, где v — атомный объем, один внедренный атом вызывает увеличение объема кристалла на Зо. Рассчитано по данным измерений плотности и периодов кристаллической решетки [412] [c.290]

Точечные дефекты вакансии-не занятые частицами узлы кристаллич. решетки междоузлия - примесные атомы в узлах решетки или между узлами, а также собственные атомы или ионы кристалла, сместившиеся из своих нормальных положеш1Й в узлах решетки. В простейшем бинарном кристалле АВ возможно образование двух видов вакансий Кд и V , двух видов междоузельш>1х атомов А, и В,- атомы Л и В в кристаллографич. позициях, свойствешсых друг другу, а также примесные атомы в той или иной кристаллографич. позиции (Хд, Х , X,). Обычно в структуре любого немолекулярного кристалла все виды точечных Д. присутствуют одновременно, но вследствие различий в энергии образования концентрация одних Д. больше других. В стехиометрич. кристаллах всегда доминируют по меньшей мере два вида точечных Д. пара вакансий V a и Vg, образующихся при переходе разнородных атомов или ионов из объема кристалла на его пов-сть (дефект Шоттки), или пара вакансия-междоузельный атом, образующаяся при переходе атома (иона) из узла решетки в междоузельное положение, т.е. А, и Кд или В, и Kj, (дефект Френкеля). [c.30]

Основное соединение и соответствующее соединение примесного атома с одним из компонентов основного кристалла имеют определенные, но различающиеся между собой составы. Например, при добавлении кальция к хлористому натрию такими двумя соединениями являются Na l и a l2- В этом случае атом примеси может внедряться только двумя способами либо с образованием вакансий (Ука), либо с образованием междоузельного хлора ( IO-В любом случае концентрация указанных атомных дефектов, возникших в результате внедрения примесного атома, является величиной строго опре- [c.422]

Амбиполярная диффузия ионизированных междоузельных атомов с учетом фактора 2 была обнаружена в окиси цинка, когда цинк расположен в междоузлиях ZnO [39]. В ряде работ высказана точка зрения, что атомы Ga [40], В [41] и Р [421, диффундирующие в кремнии, ведут себя аналогичным образом. Однако правильность этого предположения вызывает сомнение. Возможно, что в этом случае картина осложняется тем, что эти атомы диффундируют не по междоузлиям, а через узлы решетки по механизму вакансий. Поскольку концентрация примесных атомов мала по сравнению с / iконцентрация атомов F не влияет на концентрацию вакансий (см. разд. XI.2.). В таком случае, как было уже показано, отсутствует и амбиполярная диффузия. Однако, когда [F] > / i примесные атомы F будут увеличивать или уменьшать концентрацию вакансий в зависимости от того, являются ли они соответственно донорами или акцепторами. Влияние примесных атомов на концентрацию вакансий необходимо учитывать при объяснении диффузии. Поскольку атом F может диффундировать только при наличии по соседству свободной вакансии, то в этом случае диффундирующими частицами будут пары (FV) [c.578]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология