Междоузельные атомы образование

Ясно, что вакансия и междоузельный атом являются дефектами как бы противоположного знака, и это находит проявление в ряде их свойств. В частности, может произойти аннигиляция вакансии и междоузельного атома, сопровождающаяся одновременным исчезновением пары этих дефектов в кристалле. С другой стороны, простейшая схема образования таких дефектов сводится к тому, что атом покидает свое место и переходит в междоузельную позицию, создавая сразу пару дефектов. Эта схема реализуется в процессе облучения кристалла энергичными частицами, когда пролетающая сквозь кристалл частица выбивает некоторый атом из узла, перенося его в междоузлие. [c.176]

Простой междоузельный механизм — перемещение атомов по междоузлиям. Если атомы переходят из нормального узла решетки в междоузлие, как это имеет место в случае образования дефектов по Френкелю, то далее они легко перемещаются по кристаллу из одного междоузлия в другое. Подвижность такого рода характерна для системы, состоящей из решеток основного компонента и внедренных в эти решетки в виде твердого раствора атомов другого компонента. Одним из вариантов этого механизма является так называемый междоузельный механизм вытекания или эстафетный механизм, при котором атом, находящийся в междоузлии, переходит в нормальный узел, выталкивая находившийся там атом в новое междоузлие. Этот тип перемещения может наблюдаться в тех случаях, когда прямое перемещение из одного междоузлия в другое энергетически невыгодно. [c.162]

Точечные дефекты вакансии-не занятые частицами узлы кристаллич. решетки междоузлия - примесные атомы в узлах решетки или между узлами, а также собственные атомы или ионы кристалла, сместившиеся из своих нормальных положеш1Й в узлах решетки. В простейшем бинарном кристалле АВ возможно образование двух видов вакансий Кд и V , двух видов междоузельш>1х атомов А, и В,- атомы Л и В в кристаллографич. позициях, свойствешсых друг другу, а также примесные атомы в той или иной кристаллографич. позиции (Хд, Х , X,). Обычно в структуре любого немолекулярного кристалла все виды точечных Д. присутствуют одновременно, но вследствие различий в энергии образования концентрация одних Д. больше других. В стехиометрич. кристаллах всегда доминируют по меньшей мере два вида точечных Д. пара вакансий V a и Vg, образующихся при переходе разнородных атомов или ионов из объема кристалла на его пов-сть (дефект Шоттки), или пара вакансия-междоузельный атом, образующаяся при переходе атома (иона) из узла решетки в междоузельное положение, т.е. А, и Кд или В, и Kj, (дефект Френкеля). [c.30]

Согласно теории Гарии—Мотта, при поглощении кристаллом AgBr одного фотона образуется один электрон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне. Часть электронов в зоне проводимости оседают на примесных поверхностных уровнях. Захваченные ловушками электроны взаимодействуют с междоузель-ными свободными ионами Ag+, образуя на месте ловушки нейтральный атом Ag с малым временем жизни (наибольшее — несколько секунд). При повторении процесса на одном и том же месте образуется кластер из двух атомов Ag, время жизни которого определяется уже несколькими днями. Когда кластер разрастается до трех или более атомов, можно считать, что получено устойчивое скрытое изображение, пригодное для химического проявления. Теория Митчела (1957) также основана на представлении об образовании электронно-дырочных пар, однако предполагается, что сначала междоузельный Ag- - улавливается дефектом кристалла в решетке или на поверхности. Затем этот ион нейтрализуется электроном, и процесс повторяется до образования устойчивого скрытого изображения. Для нашего рассмотрения несущественно, присоединяется ли ловушка к подвижному иону Ag- - или, наоборот, ловушка движется к иону. Существенной стадией является создание электронно-дырочной [c.113]

Следует ожидать, что появляющийся в результате этой реакции литий в узлах решетки действует как трижды ионизирующийся акцептор (подобно другому одновалентному атому — Си) и поэтому не может объяснить наблюдающейся донорной активности. Однако акцептор, имеющий тройной отрицательный заряд (Liee), будет стремиться к образованию ассоциатов с междоузельным литием, а возникающий ассоциат (Li p -SLii) способен действовать в качестве донора. В то же время существованием этого ассоциата можно объяснить активную роль лития в узлах решетки в процессе зародышеобразования при осаждении. [c.289]

Основное соединение и соответствующее соединение примесного атома с одним из компонентов основного кристалла имеют определенные, но различающиеся между собой составы. Например, при добавлении кальция к хлористому натрию такими двумя соединениями являются Na l и a l2- В этом случае атом примеси может внедряться только двумя способами либо с образованием вакансий (Ука), либо с образованием междоузельного хлора ( IO-В любом случае концентрация указанных атомных дефектов, возникших в результате внедрения примесного атома, является величиной строго опре- [c.422]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология