Междоузельный атом

Рис. 99. Направление сил, действующих в неоднородно сжатом кристалле на вакансию В) и междоузельный атом (М).

Ясно, что вакансия и междоузельный атом являются дефектами как бы противоположного знака, и это находит проявление в ряде их свойств. В частности, может произойти аннигиляция вакансии и междоузельного атома, сопровождающаяся одновременным исчезновением пары этих дефектов в кристалле. С другой стороны, простейшая схема образования таких дефектов сводится к тому, что атом покидает свое место и переходит в междоузельную позицию, создавая сразу пару дефектов. Эта схема реализуется в процессе облучения кристалла энергичными частицами, когда пролетающая сквозь кристалл частица выбивает некоторый атом из узла, перенося его в междоузлие. [c.176]

Диффузия междоузельных атомов осуществляется несколькими механизмами. Наряду с прямым перемещением атомов по междоузлиям (рис. 68, а) возможен непрямой механизм движения, при котором междоузельный атом занимает место в узле, вытесняя из него атом в соседнее междоузлие (рис. 68, б). [c.199]

Действующая на вакансию (Qq < 0) сила направлена в сторону градиента давления, т. е. в сторону более сжатой части кристалла, а сила, действующая на междоузельный атом или примесь внедрения (Qq > 0),— в обратном направлении. Такое направление сил (рис. 99) имеет простое физическое истолкование при наличии неоднородного давления способный к перемещению избыточный (лишний) объем выталкивается в область менее сжатого кристалла. Поскольку вакансия, в отличие от междоузельного атома, несет отрицательный избыточный объем, то она испытывает силу, направленную в сторону возрастания давления. [c.300]

Примером процесса с первоначальным упорядоченным распределением компонентов А я В служит процесс отжига радиационных дефектов. При бомбардировке электронами, протонами, нейтронами, а-частицами и т. д. атомы решетки смешаются из своих нормальных положений в междоузлия, в результате каждой вакансии в узле решетки соответствует атом, занимающий междоузлие. После бомбардировки при низких температурах вещество нагревают, чтобы диффузия проходила с такой скоростью, которая позволила бы наблюдать процесс рекомбинации междоузлий с вакансиями. Некоторая упорядоченность первоначального распределения объясняется тем, что в положениях каждого из компонентов в парах вакансия —междоузлие имеется значительная корреляция вследствие того, что при бомбардировке междоузельные атомы недалеко удаляются от своих вакантных узлов. Эта упорядоченность приводит к большей вероятности того, что атом в междоузлии рекомбинирует при отжиге с вакансией, находящейся именно в том узле решетки, откуда он вышел. Например, опыты на германии показали, что примерно на 70% процесс отжига протекает за счет упорядоченных пар вакансия —междоузельный атом. [c.120]

Из константы равновесия/С видно, что проводимость сульфида свинца повышается с ростом концентрации избыточных атомов свинца вследствие одновременного увеличения числа электронов проводимости. На каждый междоузельный атом свинца приходится по два электрона проводимости. [c.189]

Нужна, следовательно, другая модель барьера. И это в общем естественно, можно было прийти к такому выводу заранее. Когда перескакивал посторонний для железа междоузельный атом, мы считали, что вся работа идет на то, чтобы раздвинуть соседей. Ну а теперь [c.127]

Точечные дефекты вакансии-не занятые частицами узлы кристаллич. решетки междоузлия - примесные атомы в узлах решетки или между узлами, а также собственные атомы или ионы кристалла, сместившиеся из своих нормальных положеш1Й в узлах решетки. В простейшем бинарном кристалле АВ возможно образование двух видов вакансий Кд и V , двух видов междоузельш>1х атомов А, и В,- атомы Л и В в кристаллографич. позициях, свойствешсых друг другу, а также примесные атомы в той или иной кристаллографич. позиции (Хд, Х , X,). Обычно в структуре любого немолекулярного кристалла все виды точечных Д. присутствуют одновременно, но вследствие различий в энергии образования концентрация одних Д. больше других. В стехиометрич. кристаллах всегда доминируют по меньшей мере два вида точечных Д. пара вакансий V a и Vg, образующихся при переходе разнородных атомов или ионов из объема кристалла на его пов-сть (дефект Шоттки), или пара вакансия-междоузельный атом, образующаяся при переходе атома (иона) из узла решетки в междоузельное положение, т.е. А, и Кд или В, и Kj, (дефект Френкеля). [c.30]

Точечный дефект возникает, когда в узле рещетки нет одного атома (вакансия), или в узле рещетки имеется примесный атом (примесь замещения), или в междоузлии имеется примесный атом (примесный междоузельный атом), или просто атом самой рещетки смещен из узла в междоузлие (междоузельный атом). [c.590]

На рис. 93 условно изображен край лишней атомной полуплоскости, совпадающей с осью краевой дислокации. Когда междоузельный атом пристраивается к краю вставленной в кристалл полуплоскости, он становится правильным атомом, в результате чего на линии дислокации возникает выступ атомных размеров. Однако сама линия дислокации определена с точностью до атомных размеров, поэтому на ее положении может отразиться оседание лишь макроскопического количества междоузельных атомов. Средняя часть, рис. 93 показывает изменение в положении края лишней полуплоскости при конденсации значительного числа междоузельных атомов, когда образуется протяженный выступ на дислокации. Моноатомный выступ приводит к смещению соответствующего участка дислокаци-онной линии на величину а в направлении, перпендикулярном плоскости скольжения. Дислокация как бы опускается на один атомный этаж — переходит на следующую плоскость скольжения. [c.287]

Аналогичные рассуждения можно повторить относительно потока междоузельных атомов. Вышедший из кристалла и осевший на его поверхности междоузельный атом становится нормальным атомом, благодаря чему число регулярных узлов решетки увеличивается на единицу, а объем кристалла получает приращение а. Следовательно, вклад потока междоузельных атомов в перемещение поверхности образца отличается лишь знаком от такового для вакансий. Поэтому формула (20.1) становится универсальной, если положить в ней / = где и / — соответственно плотнос- [c.309]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология