Другие виды взаимодействия точечных дефектов

Другие виды взаимодействия точечных дефектов. Ряд фактов говорит о том, что ассоциация дефектов может иметь место и при изовалентном замещении атомов основной решетки активатором и сопутствующими примесями. Одной из причин этого является действие сил деформации, приводящее к тому, что крупному примесному атому, вызывающему сжатие решетки, выгодно располагаться по соседству с атомом, радиус R которого меньше радиуса вытесняемого им атома основания люминофора. Этот эффект называется объемной компенсацией [116] (о подобном явлении уже шла речь при рассмотрении сегрегации примесей вокруг дислокаций). [c.160]

Однако локальные искажения кристаллической решетки не являются единственным видом искажений, возникающих в результате взаимодействия точечных дефектов. Упорядочение дефектов может привести к образованию сверхструктуры или структуры сдвига. Причем образование сверхструктуры происходит путем ассимиляции вакансий или внедренных атомов (ионов). Одинаковые по заряду дефекты, стремящиеся занять наиболее удаленные друг от друга позиции, по мере увеличения их концентрации под действием отталкивающих сил размещаются в вполне определенных кристаллографических узлах. [c.40]

Существование точечных дефектов того или иного типа в любом кристаллическом твердом теле при температуре, отличной от абсолютного нуля, совершенно необходимо с точки зрения термодинамики, так как строго упорядоченная структура кристалла имеет минимальную потенциальную энергию, а увеличение энергии вызывает нарушение регулярности структуры. При низких концентрациях (меньше одного дефекта на 10 атомов) дефекты, по-видимому, существуют совершенно независимо друг от друга и не взаимодейст-вуют между собой, хотя в некоторых системах такого рода предполагается образование групп дефектов в виде кластеров. При более высоких концентрациях дефекты начинают взаимодействовать между собой. Мы будем рассматривать следующие типы точечных дефектов 1) вакансии, 2) заполнение междоузлий и 3) дефекты замещения. Каждый из этих дефектов создает в решетке локальное напряжение и локальное перераспределение зарядов. [c.372]

При изучении равновесий между различными точечными дефектами в кристаллах необходимо учитывать условие электронейтральности кристалла, т. е. концентрации свободных носителей электронов и дырок. При этом все виды точечных (атомных) дефектов и свободные носители (которые можно было бы назвать по аналогии электронными дефектами) рассматривают как равноправные компоненты твердого раствора . Поскольку концентрации этих компонентов невелики, то к ним применимы закон Генри и некоторые другие положения термодинамики растворов. Взаимодействия дефектов, их реакции подчиняются закону действия масс и могут быть охарактеризованы определенными константами равновесия, являющимися функциями температуры и давления. Применение закона Генри означает, что величина свойства, обусловленного данным точечным дефектом, пропорциональна его концентрации. [c.171]

Другим примером пространственных диссипативных структур является решетка вакансионных пар, экспериментально обнаруженная Дж. Эвансом в 1970 г. при исследовании микрос1рук1уры молибдена, облученного ионами азота. Известно, что облучение металла быстрыми частицами (нейтронами, ионами) приводит к образованию в кристаллической решетке точечных дефектов — вакансий и меж-узельных атомов, При повышении температуры эти вакансии, двигаясь в кристалле, образуют сложные кластеры дефектов в виде сферических вакансионпых пор и плоских дислокационных петель. Обычно такие кластеры образуют пространственно однородную систему. Однако при определенных условиях облучения вакансионные поры располагаются упорядоченно в виде правильных сверхрешеток , тип которых совпадает с типом кристаллической решетки металла которые имеют период, в сотни раз превышающий период этой решетки. Образоваше таких упорядоченных структур вакансионных пор вызывано нелинейным динамическим взаимодействием точечных дефектов с мелкими вакансионными кластерами и диффузионным взаимодействием между порами. [c.285]

Имеется несколько причин, по которым мы не можем удовлетвориться такими корреляциями, какие были обсуждены в предыдущем подразделе и представлены в общем виде на рис. 22—25. Прежде всего в настоящее время по,пучены доказательства [104, 105], позволяющие с большой достоверностью считать, что точная стенень полупроводниковой проводимости окислов металлов может иметь существенно различные значения в объеме и на поверхности этих окислов. Следовательно, отмеченные выше корреляции представляют собой не более чем удачные совпадения. Во-вторых, очевидно, что недостаточно просто искать корреляцию между каталитической активностью и такими свойствами, как проводимость, диффузия и т. п. Остается еще много неясного в природе самих дефектов. Например [106[, такие вопросы, как степень локализации дырок и э.пектронов и тенденция, проявляемая отдельными точечными дефектами к взаимодействию друг с другом, нуждаются в более тщательном выяснении. (Можно только надеяться, что усовершенствование методов измерения магнитной восприимчивости, ядерного магнитного резонанса и электронного парамагнитного резонанса (см. гл. 3) поможет внести ясность в эти вопросы.) Третья трудность, связанная с традиционным подходом к изучению полупроводниковых окисных катализаторов, заключается, по мнению Хабера и Стоуна [107[, в том, что до сих нор обращали слишком много внимания на число и.ли концентрацию дырок и других точечных дефектов в кристаллической решетке. [c.239]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология