Энергия свободная образования

По уравнению (16а), свободная энергия реакции образования бензола из ацетилена должна быть равна [c.116]

При изучении причин разрушения катализатора на промышленных установках обычно наибольшее внимание уделяют узлу, в котором частицы испытывают максимальные динамические нагрузки, — системе пневмотранспорта. Однако даже при нормальной работе транспорта расход катализатора может колебаться в больших пределах. Так, при переработке тяжелого сырья он обычно в 1,5—3 раза больше, чем в случае крекинга атмосферного газойля. Очевидно причиной является снижение прочности частиц под влиянием факторов технологического процесса. Прочность шаровидных глобул катализатора определяется числом единичных контактов этих глобул, приходящимся на единицу площади сечения частицы катализатора, а также прочностью единичного контакта [98]. Этим объясняется известный факт снижения прочности алюмосиликатного катализатора при его увлажнении [99]. В результате адсорбции воды уменьшается свободная поверхностная энергия, в связи с чем на образование новой поверхности при разрушении катализатора требуется затратить меньшую работу. Особенно сильно уменьшается поверхностная энергия при образовании монослоя адсорбированного вещества. Поэтому первые порции воды наиболее сильно снижают прочность. [c.82]

Вследствие высокой энергии Гиббса образования большинства соединен 1н бора его получение в свободном состоянии производится обычно методами металлотермии (чаще всего восстановлением магнием чли натрием) [c.437]

Приведенная здесь таблица содержит данные о стандартных энтальпиях (АЯ") и свободных энергиях (AG°) образования соединений из элементов в их стандартных состояниях, выраженные в килоджоулях на моль, а также термодинамические (вычисленные из третьего закона), или абсолютные, энтропии (S") соединений в джоулях на кельвин на моль все эти данные относятся к температуре 298 К. Фазовое состояние соединения указывается следующим образом (г.)-газ, (ж.)-жидкость, (тв.)-твердое вещество, (водн.) - водный раствор в некоторых случаях указывается также кристаллическая форма твердого вещества. Соединения расположены в таблице по номерам групп главного элемента, при установлении которого металлам отдается предпочтение перед неметаллами, а О и Н рассматриваются как наименее важные элементы. [c.448]

Свободная поверхностная энергия всей системы равна Р = 8 , где 5 - межфазная поверхность Г- удельная свободная поверхностная энергия. При образовании афегатов без непосредственного контакта твердых частиц фаница раздела фаз не уменьщается. Поэтому в этом случае снижение свободной поверхностной энергии системы будет определяться изменением удельной свободной поверхностной энергии, которую можно представить [c.128]

Изменение свободной энергии при образовании отдельной группы капелек из п молекул пара может быть выражено следующим образом [c.559]

Стандартные свободные энергии реакций образования водяного пара, окиси углерода, углекислоты п метана равны [c.100]

MOB на поверхности намного больше числа атомов в объеме частицы. С увеличением размера частицы поверхностная энергия оказывается значительно меньше объемной, и общее изменение свободной энергии при образовании новой фазы становится отрицательным. [c.220]

Согласно записанному выше правилу, для определения величины свободной энергии реакции образования метилового спирта из окиси углерода и водорода необходимо сложить уравнения (64а) и (65а) [c.118]

Подсчитаны значения энергии активации образования НС1 через свободные радикалы [c.264]

Практически используемые энергии химических связей существенно отличны от рассмотренных выше. Практическая энергия связи является той долей энергии, поглощаемой при полной диссоциации молекулы на свободные атомы, которая приходится на данную связь. Складывая величины таких энергий для всех химических связей в молекуле, получаем то же значение энергии (теплоты) образования молекулы из свободных атомов (атомной теплоты образования), которое использовали при расчете энергии связей. Путь расчета атомных теплот образования соединений был рассмотрен выше (стр. 64—65). Зная атомные теплоты образования соединений и используя закон Гесса, можно найти энергии связей. [c.68]

Табл. II. Сводная таблица расчетных значений изменения свободной энергии при образовании соединений

Уже указывалось, что термодинамическая устойчивость любого углеводорода определяется уровнем свободной энергии его образования из элементов по соотношению [c.135]

Ниже приведены значения свободной энергии Гиббса образования циклопентана и его замещенных при 300 К, кДж/моль [c.141]

Одновременно увеличится энергия в связи с образованием свободной поверхности образующейся трещины. Увеличение энергии при образовании свободной поверхности будет равно 2у1-1 (здесь у — работа, необходимая для образования единицы свободной поверхности). [c.342]

Действие сил растяжения вдоль оси молекулярной связи К1—Кг проявляется в ослаблении кажущейся энергии ее образования и, таким образом, способствует увеличению вероятности разрыва связи. Если ослабление кажущейся энергии связи существенно, то механическое воздействие можно считать основной причиной деструкции цепи. Поскольку разрыв цепной молекулы сопровождается образованием органических радикалов, а последующее появление неспаренных свободных электронов регулируется механическими силами, то изучение процесса образования радикалов и их реакций дает необходимую с точки зрения молекулярной теории информацию относительно сил, действующих па цепь. Исследования свободных радикалов методом парамагнитного резонанса усиленно развивались в течение последних 30 лет [1, 2]. С тех пор данный метод успешно применялся для объяснения механизма образования свободных радикалов в химических реакциях и под действием облучения видимым и ультрафиолетовым светом, рентгеновским и 7-излучением и облучением частицами [1, 3]. Дополнительно изучались величина фактора спектроскопического расщепления магнитное окружение неспаренного спина свободных электронов и структура свободного радикала. Во всех этих случаях спин свободного электрона действует как зонд, который, по крайней мере временно, присоединяется к определенной молекуле, принимает участие в ее движении и взаимодействует с окружающим магнитным полем. [c.156]

Различия в энтальпии эпимеров сказываются и на скоростях образования фрагментных ионов. Естественно предположить, что для менее стабильных эпимеров с большим запасом свободной энергии скорость образования фрагментных ионов будет больше, чем для более стабильных изомеров. Действительно, в масс спектрах (1а, 2а, 6а) устойчивость МН 20,1%, 15.6%, 16.0% против 25.0%, 16.6%, 25.0% (16, 26, 66) соответственно. Соотношение (М-К) Л(М) 1,3 2,2 0,05 (1а, 2а, 6а) и 1,0 2,0 0,01 (16, 26, 66) больше в спектрах эпимеров с аксиальной ориентацией заместителя К. [c.174]

Наибольший интерес для химмотологии топлив представляют следующие поверхности раздела твердое тело - жидкость , твердое тело -газ , жидкость - газ и жидкость - жидкость . Условием стабильности поверхности раздела является положительное значение свободной энергии ее образования. [c.44]

Эти же цепи при определенных условиях можно использовать для установления температуры аллотропического превращения. Если повысить температуру до значения, при котором а-модификация переходит в р-модификацию, то оба -)лектрода окажутся в одной и той же модификации и э.д.с. системы будет равна (или близка) нулю. Э.д.с. системы может отличаться от нуля потому, что свободная энергия двух электродов, изготовленных из металла одной и той же модификации, не обязательно должна быть одинаковой. Это наблюдается, например, в том случае, когда электроды различаются по размерам образующих их зерен или находятся под различным внутренним напряжением. Электрод, образованный более мелкими кристаллами или находящийся под избыточным механическим напряжением, играет роль отрицательного полюса элемента. Он растворяется, а на другом электроде происходит осаждение металла. Более того, разность потенциалов может возникать даже, если в качестве электродов использоЕ1аны разные грани монокристалла одного и того же металла, поскольку они обладают разным запасом свободной энергии. Электрод, образованный гранью с по-выщенным запасом поверхностной энергии, будет растворяться, а ионы металла — выделяться на грани с меньшей поверхностной энергией. Следует, однако, подчеркнуть, что во многих из этих случаев разность потенциалов, существующая между двумя различными образцами одного и того же металла, не должна отождествляться с обратимой э.д.с., поскольку она отвечает не равновесному, а стационарному состоянию элект[)0Д0в. Разности потенциалов, возникающие в рассмотренных случая , обычно малы, тем не менее в некоторых электрохимических процессах, в частности в процессах коррозии, их необходимо принимать во внимание. [c.195]

Например, для реакции окислеиия водорода при невысоких давлениях обрыв цепей происходит преимущественно на атомах Н, которые присутствуют в наибольшей концентрации. При этом может происходить либо взаимодействие атомов ] со стенкой, либо их присоединение к молекуле О,, в присутствии третьей частицы М, необходимой для отвода энергии, с образованием неактивного при низких давлениях и температурах свободного радикала НОа [c.319]

Устойчивость комплексного соединения (в твердом состоянии) определяется изменением свободной энергии при образовании его из аддендов и простой солн. Однако, давая характеристику устойчивости комплексных соединений, часто ссылаются на теплоту их образования последняя величина связана с изменением свободной энергии посредством уравнения [c.357]

Под термином поверхность обычно подразумевают поверхность раздела фаз — твердых, жидких и газообразных в различных сочетаниях. На свойства поверхности влияют изменения, наблюдаемые в любой из соприкасающихся фаз. Из всех типов раздела фаз химмотологию интересуют главным образом следующие фазы твердое тело —газ, твердое тело — жидкость, жидкость — газ, жидкость — жидкость. Относительно меньщее значение имеет сочетание двух твердых тел, поскольку при их контакте во всех случаях (за исключением вакуума) поверхности имеют определенные слои адсорбированных веществ и соприкасаются друг с другом через них. Необходимым условием стабильного существования поверхности раздела фаз является положительное значение свободной энергии ее образования. [c.179]

Может возникнуть вопрос, насколько правомерно составлять волновую функцию электрона, находящегося в молекуле, из волновых функций электронов в свободных атомах. Такое приближение не является слишком грубым по двум причинам. Во-первых, состояние электронов в молекулах не очень сильно отличается от их состояния в атомах, об этом свидетельствует сравнительно небольшое изменение энергии электронов при образовании химической связи. Так, полная энергия электронов для двух свободных атомов водорода равна —2-13,6 =—27,2 эВ, а изменение энергии при образовании молекулы Нг (энергия связи) составляет 4,5 эВ. Подобное соотношение характерно и для других молекул. Оно обусловлено тем, что образование связи сравнительнс мало влияет на движение электронов вблизи ядер атомов, где взаимодействие электронов и ядер велико. Во-вторых, изменение электронных облаков при переходе от атомов к молекуле в некоторой мере учитывается выбором с помощью вариационного метода определенных значений коэффициентов с. [c.100]

Теплоту образования соединения нз простых веществ,следует отличать ог атомарной теплоты образования. Образование молекулы из с в о б о д н ы х атомов всегда сопровождается выделением энергии. При образовании же какого-нибудь соединения из простых, веществ теплота может и поглощаться, так как образование свободных атомов нз простых веществ обычно требует затраты энергии. Так, образование ацетилена из атомов углерода и водорода сопровождается выделением энергии в количестве 393,4 ккал/моль, а образованич ацетилена из графита и молекул На сопровождается поглощением 54,2 ккал/моль, так как разложение молекул Нз на атомы требует затраты энергии в количестве 104,2 ккая/моль и лля получения свободных атомов углерода из графита необходимо затратить 171,7 ккал на грамм-атом. Таким образом, на образование свободных атомов углерода и водорода в количестве, необходимом для образования одного моля ацетилена, требуется 104,2-1-2X171,7=447,6 ккал. [c.195]

Составьте систему уравнений зарождения и развития цепи в газовой Mii H На + I2 при фотохимическом процессе. Достаточно ли светового готока от источника с длиной волны А, = 475,8 нм для инициирования цепи Каковы тепловые эффекты в элементарных актах Расс штате количество поглощенной лучистой энергии при образовании 1 мсшь НС1 и квантовом выходе 7 = 10 . Свободные радикалы отмерьте точкой. [c.395]

В табл. 6.1 приведены данные о тепловом эффекте и изменении энергии Гиббса при реакциях полимеризации пропилена и бутенов. Тепловые эффекты полимеризации составляют 8 кДж/моль (17 2 ккал/моль) полимеризовавшегося олефина. При температурах до 500—550 К в стандартных условиях полимеризация идет с уменьшением свободной энергии Гиббса. Энергия Гиббса образования сооответствующих изоолефинов на 2—19 кДж/моль (0,5— 4,5 ккал/моль) ниже, чем а-олефинов нормального строения, и сни- [c.189]

Термическая стаб1 льность углеводородов определяется свободной энергией их образования из простых венгесгв (энергия Гиббса) и зав1 Симостью этой энергии от температуры [c.115]

Ю.А. Кныш предлагает рассматривать турбулентный вихрь как автономную динамичную систему, с присущими ему свойствами элементарного потенциального вихря, подчиняющегося законам сохранения энергии, неразрывности и циркуляции. Для определенности элементарный вихрь представим себе в виде замкнутого тороидального кольца. В момент образования такой вихрь аккумулирует в себе некоторый запас кинетической энергии . Предполагается образование турбулентных вихрей на границе раздела вынужденного и свободного вихрей. Образовавшиеся турбулентные вихри диффундируют к центру и к периферии под влиянием сил взаимодействия друг с другом и основным потоком. В периферийной области такой вихрь сжимается, угловая скорость его вращения увеличивается. В результате работы сил вязкости энергия вращения вихря превращается в тепло. В осевой области турбулентный вихрь увеличивается в размерах, угловая скорость его вращения падает. Вихрь разрушается и передает свою энергию окружающему газу, что объясняет и квазитвердое вращение потока. [c.24]

Определяющей является реакция (2.22), скорость которой зависит от концентрации атомарного кислорода. Последняя увеличивается при наличии в продуктах сгорания свободного О2, т е. с обеднением смеси, и заеисит от температуры. По данным Я.Б.Зельдовича и др.(15]. энергия активации образования N0 превышает 5 10 кДж/кмоль. Эго означает, что поьышение температуры сгорания топл ганой смеси от 2500 до 2600 К приводит, при прочих равных условиях, к увеличению скорости реакции в 2,6 раза а снижение от тех же 2500 до 2300 К уменьшает скорость образования N0 в 8 раз. [c.83]

При указалных выше условиях синтеза заполняется половина. межслоевых объемов графитовой матрицы. При этом заполнение слоев по сечению неоднородно [6-21]. Верхние слои образуют МСС II ступени. Эта и более высокие ступени внедрения стабильны, в то время как получение первой ступени энергетически неблагоприятно (свободная энергия ее образования 6 0). Чем выше ступень, тем меньше О и условия синтеза облегчаются. [c.278]

С таким дополнением сохраняется возможность решения системы кинетических уравнений, выведенных из механизма разветвленного нро-цссса, принципиально тем же путем, как это было произведено выше для неразветвленного процесса (Н2+ СНз). Примеры подобного вычисления кинетического выражения для скорости и суммарной энергии активации из механизма окисления углеводородов будут приведены ниже (см. стр. 305—308). Здесь стоит только отметить, что в случае разветвленных и вырожденпо-разветвленных процессов член Q, учитывающий энергию первичного образования свободных радикалов, путем реакции зарождения, иходит в выражение для брутто-энергии активации лишь тогда, когда рассматривается начальная стадия превращения. При больших же временах превращения реакция разветвления начинает создавать радикалы с большей скоростью, чем реакция зарождения, и поэтому последней практически можно пренебречь. В силу этого в выражении для брутто-энергии активации разветвленных процессов, взятом в общем виде, будет иметься только член, учитываю1ций энергию активации реакции разветвления. [c.71]

Обратим внимание на относительные значения орбитальной энергии is(H) атома водорода is(H) = -0 и орбитальные знергии 2s( ) и 2р(С) атома углерода 2j (С) < и(Н) < Ё2р(С)- В условиях энергетической близости орбитальных энергий можно ожидать значительной активности 2s- и 2р-электронов атома углерода при образовании химической связи. Аналогичные данные могут бьггь приведены для атома азота (термы S, Р) и для атома кислорода (термы Р, Д S). Атомам в молекулах нельзя приписать какие-либо определенные значения квантовых чисел L и S, поэтому здесь приведены орбитальные энергии свободного атома для различных термов. В случае атомов азота и киспорода оказьшается, что даже при учете различий в значениях орбитальных энергий для различных термов di2p близка к и(Н). [c.209]

Классическими работами в этой области долгое время считались работы Таммана, который исследовал процессы зародышеобразования для 150 различных органических веществ. Тамман придерживался взглядов о возможности самопроизвольного зародышеоб-разования центров кристаллизации в переохлажденных жидкостях. Большой вклад в теорию зарождения кристаллов внесли работы Фольмера, который получил соотношение для работы образования стабильного кристаллического зародыша внутри переохлажденного расплава. Свободная энергия Р образования сферического ядра радиуса г из расплава может быть выражена уравнением [c.52]

Присутствие второго нуклеофила или дополнительная э ектрофиль-ная (Е1) активация субстрата могут, в принципе, повлиять на распределение электронной плотности в переходном комплексе так, что энергия его образования окажется более низкой. Однако включение в переходный комплекс дополнительной частицы должно приводить к неблагоприятному изменению энтропии при его образовании. Суммарное изменение свободной энергии активации, определяющей скорость реакции, будет таким образом зависеть от относительной величины изменения ДЯ+ИТД 5. Этот вопрос был подробно исследован Брюсом и Бенковичем [50] на примере реакций замещенных фенилацетатов с гидразином и имидазолом. [c.95]

Исходя из общего условия минимальной поверхностной энергии при равновесии соприкасающихся сред, за меру смачивания тела жидкостью можно принять убыль свободной поверхностной энергии при образовании межфазной поверхности между жидкостью и твердым телом. Отсюда следует, что из двух жидкостей лучше смачиваёт данную поверхность та, при растекании которой поверхностная энергия системы уменьшается на большую величину. Поскольку смачивание сопровождается уменьшением поверхностной энергии, в процессе смачивания выделяется тепло. Теплота смачивания I см поверхности обычно колеблется от 10 до 10 кал.-Теплота смачивания может служить характеристикой способности жидкости смачивать поверхность твердого тела, если нельзя определить краевой угол смачивайия, например при смачивании жидкостью порошков. [c.156]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология