Атомы внедрения

Коэффициент теплопроводности металлов. Количественной теории теплопроводности на сегодня не существует. Это связано со сложными, не поддающимися аналитическому описанию механизмами рассеяния фононов и электронов на примесях и атомах, внедренных в решетку, на вакансиях и дислокациях. Справочные данные могут служить лишь для весьма приближенных оценок, поскольку не представляется возможным простым способом и с необходимой точностью определить физическую и химическую чистоту образца, коэффициент теплопроводности которого очень чувствителен при низких температурах к содержанию примесей и характеру их распределения в металле. На рис. 3.11 приведены температурные зависимости теплопроводности для различных образцов меди, отличающихся химической чистотой. Как следует из рис. [c.232]

Процесс упорядочивания сводится к такому перераспределению атомов водорода, при котором возникает определенная периодичность, т. е. дальний порядок в их расположении в основной матрице. Это сопровождается, в отличие от упорядоченных фаз растворов замещения, сильным изменением периода кристаллической решетки основной матрицы с ростом концентрации атомов внедрения. Принято считать [22], что искажение решетки носит упругий характер, а процесс упорядочивания, т. е. перераспределения атомов внедрения, приводит к релаксации внутренних напряжений. В пользу идеи о доминирующей роли деформационного взаимодействия свидетельствует плавный, почти линейный характер изотермы сорбции в области упорядоченной фазы. [c.115]

Низкий уровень Ферми делокализованных электронов графитовой решетки благоприятствует внедрению электронных доноров, металлов первой и второй группы периодической системы вследствие электростатического взаимодействия между атомами внедренных и углеродных слоев. [c.252]

Показанная на рис. 6-5 схема распределения атомов, внедренных в углеродную матрицу, соответствует их размещению и четырех энергетически равноценных положениях в слоях а,/3,7 и Ь. В каждом слое элементарной ячейки располагается только один атом, соответствующий одному из четырех перечисленных положений. В результате образуется 2В-сверхрешетка [6-22]. Та- [c.271]

Точечные дефекты кристаллической решетки — атомы внедрения и вакансии (лишний атом или отсутствие атома в узле решетки). Они могут возникнуть под действием тепловых колебаний. С ними связана дополнительная потенциальна 1 анергия. Искажения перемещаются по решетке. Если атом внедрения встречается с вакансией, дефект решетки аннигилирует, выделяя энергию порядка 10 Дж в виде упругого импульса. Сигналы такого уровня обычно не регистрируются. [c.172]

Г и д р и д ы. Атом водорода самый малый и самый типичный среди атомов внедрения. Заполнение атомами или ионами водорода октаэдрических и тетраэдрических пустот в решетках переходных металлов сопровождается меньшими искажениями, чем при внедрении других неметаллов. Характер связи в фазах внедрения определяется особым положением, которое занимает водород в периодической таблице это первый элемент, с которого начинаются как металлы, так и неметаллы, и в зависимости от условий он проявляет свойства как тех, так и других. В гидридных фазах состояние водорода самое различное. Крайние состояния — присутствие молекулярного водорода, который концентрируется на поверхности, границах зерен, возможно, на дислокациях, либо его протонизация, при которой отдаваемый электрон идет на вакантную -орбиталь переходного металла или присоединяется к свободным электронам, наличие которых характеризует металлическую связь. Между обоими крайними состояниями в гидридных фазах одного и того же металла есть промежуточные состояния. [c.232]

Рис. 31. Сверхструктуры в системе Та — В. Атомы внедрения расположены в плоскостях 2 = (1/4) а и 2 = (3/4) а (см. рис. 30). Обозначения

Наконец, седьмая глава посвящена изучению деформациой-ного взаимодействия примесных атомов внедрения и замещения, связанного со статическими искажениями кристаллической решетки. Излагается общая линейная теория деформационного взаимодействия примесных атомов, учитывающая дискретную структуру кристаллической решетки. Подробно рассмотрены приложения теории к желез о-углеродистому мартенситу. В частности, обсуждаются фазовый переход порядок — беспорядок, спинодаль ный распад и т. д. [c.8]

Ниже при изложении статистической теории упорядочения в бинарных растворах замещения и внедрения мы будем исходить из модели парного межатомного взаимодействия. Будем предполагать, что атомы двух сортов А п В ъ растворе замещения и атомы внедрения и их вакансии в растворах внедрения могут перераспределяться только по узлам некоторой жесткой решетки, которую [c.99]

Для растворов внедрения величины V (г, г ) будут иметь смысл потенциалов прямого взаимодействия пар атомов, случайные величины с (г) будут определять распределение атомов внедрения по позициям внедрения, образующим решетку Изинга (величины с (г) равны единице в узлах г решетки Изинга, в которых находятся атомы внедрения). [c.101]

Решение систем л (11.14) дает стехиометрический состав t 1/4 и Hit Til = 1/ Л2 1Т2 = 1/2. Используя эти численные значения в (11.12), получим функцию распределения атомов внедрения в полностью упорядоченном состоянии [c.120]

В качестве примера приложения теории упорядочения в сложных решетках Изинга, изложенной в настоящем параграфе, рассмотрим конкретный случай сверхструктуры типа Та О. При получении сверхструктуры ТазО, изображенной на рис. 27, В , мы полагали, что атомы кислорода располагаются только в одной (третьей) подрешетке октаэдрических междоузлий, и, следовательно, пренебрегали эффектом перераспределения атомов внедрения между тремя подрешетками октаэдрических междоузлий. Для того чтобы учесть последнее обстоятельство (оно особенно существенно вблизи температур фазового перехода порядок — бес- [c.147]

Этот вывод следует из общих соображений симметрии и был сделан ранее в Ю (см. выражение (10.45)). Температурные зависимости концентраций атомов внедрения с (р) и эффективных параметров дальнего порядка Ti(p) в трех подрешетках октаэдрических междоузлий могут быть определены с помощью соотношений (14.35), связывающих с(р) и ri(p) с истинными параметрами дальнего порядка. Последние же могут быть найдены с помощью уравнений самосогласованного поля (14.18). [c.149]

Распределения (15.6а) и (15.66) описывают вероятность обнаружить атом внедрения в междоузлиях с координатами х, у, z в р-й подрешетке. В полностью упорядоченном состоянии распределения атомов внедрения становятся детерминированными и, следовательно, вероятности должны принимать только два значения О (для междоузлий, в которых отсутствуют атомы водорода) и 1 (для междоузлий, в которых они присутствуют). Это оказывается возможным только в двух случаях если [c.154]

То обстоятельство, что при образовании сверхструктур внедрения возникает слабая тетрагональная деформация всей решетки, позволяет сделать вывод о том, в каких подрешетках находятся атомы внедрения. Появление тетрагональности возможно в двух случаях [c.154]

В первом случае степень тетрагональности должна быть больше единицы, так как введение атомов внедрения в подрешетки [c.154]

Для всех видов искусственного и природного графита свойственны различные устойчивые дефекты структуры. К ним относятся дефекты слоевой укладки, двойники, винтовые и краевые дислокации, "дырочные" дефекты (отсутствие группы или одного атома), внедренные атомы элементов. Наличие дефектов обусловливает изменение в весьма широком диапаэойе механических, теплофизических, полупроводниковых и других практически важных свойств углеродных материалов. На некоторые свойства влияют также генероатомы, входящие в углеродные материалы в составе функциональных группировок, расположенных на призматических гранях кристаллов графита. [c.13]

Благоприятное влияние никеля и марганца на хладостойкость стали объясняется тем, что эти элементы в оптимальном количестве (около 1%) увеличивают подвижность дислокаций никель — уменьшая энергию взаимодействия дислокации с атомами внедрения, марганец — задерживая азот и снижая его содержание в атмосферах Коттрелла. Повышение в составе стали марганца, никеля приводит к понижению как работы зарождения йэ, так и работы распространения йр трещины вследствие образования промежуточных игольчатых структур при охлаждении аустеиита. [c.41]

Интересными примерами упорядочения атомов внедрения в ОЦК металлах могут служить случаи фазовых переходов в гидридах (дейтеридах) Та, МЬ и У. Значительный прогресс в этом направлении был достигнут в последние годы в работах В. А. Сомен-кова, С. Ш. Шильштейна и др. [9—14, 91—95], в которых исполь- [c.150]

Техничес1си чистые металлы, к которым относятся конструкционные материалы, всегда содержат в структуре примесные атомы внедрения и/или замещения (рис. 2.1, г), являющиеся дефектами не только физической, но и химической природы. Примесные атомы замещения располагаются в узлах кристаллической решетки, замещая атомы основного металла. Примесные атомы внедрения располагаются в междоузлиях кристаллической решетки (рис. 2.1, г). При образовании сплавов атомы внедрения появляются в том случае, если отношение атомных диаметров растворенного и основного металлов не превышает 0,59. [c.25]

В книге затрагиваются четыре основных вопроса структурные аспекты фазовых переходов порядок — беспорядок, явления распада, роль внутренних напряжений в формировании гете-рофазной структуры и теория деформационного взаимодействия примесных атомов внедрения и замещения. [c.7]

Используя принципы построения сверхструктур, изложенные выше, легко убедиться в том, что распределение вероятности (13.7) в ГЦК решетке описывает сверхструктуру замещения типа СизАи (рис. 27, А ). Если рассматривать функцию п х, у, г) как вероятность распределения атомов внедрения в октаэдрических междоузлиях ГЦК решетки, то выражение (13.7) описывает сверхструктуры внедрения либо Ме Х Ме — символ атома остова , X — атома внедрения), либо же Ме Х . Обе фазы Мб4Х и Ме Х эквивалентны (антиизоморфны), так как могут быть иолучены друг из [c.137]

Упорядочение в бинарном ОЦК растворе замещения может рассматриваться в простой решетке Изинга (ОЦК решетке). Ситуация оказывается, однако, более сложной, если мы рассматриваем растворы внедрения в ОЦК решетке. В 11 уже отмечалось, что в этом случае решетка Изиига является сложной. Она представляет собой три смещенных относительно друг друга ОЦК решетки октаэдрических междоузлий и шесть ОЦК решеток тетраэдрических междоузлий. Точно так же, как и в I l, мы здесь для краткости будем рассматривать растворы внедрения, в которых атомы внедрения могут заполнять преимущественно то.тько одну подрешетку октаэдрических междоузлий. Такие растворы внедрения изоморфны с растворами замещения в ОЦК решетке и могут быть рассмотрены с ними единым образом. При этом, однако, надо иметь в виду, что каждой полученной таким образом фазе внедрения можно сопоставить другие фазы внедрения, в которых атомы внедрения точно таким же образом распределены в остальных октаэдрических или тетраэдрических ОЦК подрешетках междоузлий. [c.139]

Из формулы (15.3) следует вывод, который может быть существенным при расшифровке сверхструктур внедрения отсутствие на нейтронограммах некоторых отражений в точках Н + (к у2л) обратного пространства (обращение в нуль суммы в (15.3)) возможно только в тех случаях, когда параметры дальнего порядка г]Ар), относящиеся к двум или более различным подрешеткам р, равны друг другу, т. е. когда упорядоченные распределения атомов внедрения в различных подрешетках полностью идентичны. [c.153]

Здесь целесообразно сделать следующее добавление. При построении сверхструктур TagB и ТаВ мы сделали предположение, что атомы внедрения заполняют подрешетки 3 и S тетраэд [c.155]

Соображения, аналогичные тем, которые были использованы выше, позволяют полагать, что атомы внедрения располагаются в одной или двух подрешетках 3 и 5. Если бы атомы внедрения находились одновременно в 3 и 5 подрешетках и отписывались одной той же функцией (15.11), то это привело бы к погасанию части сверхструктурных отражений см. выражение (15.3)). На самом же деле на нейтронограммах присутствуют все сверхструктурные отражения. Последнее означает, что атомы дейтерия преимущественно находятся в одной подрешетке. Количественные измерения интенсивностей сверхструктурных отражений показывают, что отношение числа атомов дейтерия, находящихся в подрешетках 3 и 5, примерно равно /ч. [c.157]

Смотреть страницы где упоминается термин Атомы внедрения: [c.18] [c.160] [c.322] [c.257] [c.241] [c.300] [c.508] [c.39] [c.56] [c.24] [c.14] [c.100] [c.117] [c.119] [c.121] [c.130] [c.136] [c.137] [c.138] [c.142] [c.144] [c.154] [c.154] [c.182]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология