Лауэ условия одномерной цепочки

РИС. 13.7. Условия Лауэ для одномерной цепочки рассеивающих центров. Векторы рассеяния изображены сплошными линиями. А. Случай 8 а = 0. . Случай 8 а = 1. [c.328]

РИС. 13.8. Условия, при которых наблюдается рассеяние от одномерной цепочки атомов, показанной на рис. 13.6. А. Система параллельных плоскостей, представляющая условие Лауэ для цепочки атомов. Б. При фиксированном направлении падающего пучка 5 концы возможных векторов рассеяния должны лежать на поверхности сферы (см. также рис. 13.3., /4). В. Объединение двух условий, проиллюстрированных на фрагментах рисунков А и Б, для двух различных взаимных ориентаций векторов а и 5р. [c.329]

В кристаллической одномерной молекулярной решетке N может достигать 10 (или больше). Поэтому структурный фактор становится очень большим всякий раз, как только sin(jrS а) приближается к нулю. Это происходит во всех случаях, когда величина S а приближается к целому числу. По сравнению с острым пиком рассеяния при целом S а все остальные значения F(S) пренебрежимо малы. Следовательно, интерференционная функция для линейной цепочки (ряда) точек (атомов) приводит к дискретной картине рассеяния. (В Дополнении 13.4 иллюстрируются подобные эффекты при оптической дифракции.) Вообше рассеяние может наблюдаться только для определенных относительных ориентаций объекта и детектора рентгеновских лучей. Этот результат носит название условия Лауэ [c.327]

РИС. 13.9. Рентгеновское рассеяние от одномерной цепочки атомов, наблюдаемое в лабораторных условиях. А. Рентгеновские лучи, идущие в направлении г, падают на образец, помешенный в начале координат, а рассеянные лучи регистрируются цилиндрической пленкой. Б. Картина рассеяния от одного атома. Поскольку применяется цилиндрическая пленка, для картины рассеяния характерна эллиптическая симметрия при использовании плоской пленки картина рассеяния обладала бы круговой симметрией. В. Линейный ряд точек (атомов). Г. Рассеянное излучение, разрешенное условиями Лауэ, в плоскости х — г. Д. Рассеянное излучение, разрешенное условиями Лауэ, в плоскости у — г. Е. Конусы рассеянного излучения, возникающие из-за условий Лауэ, для геометрии, представленной на фрагменте рисунка Л. Все рассеянные лучи идут по поверхности одного из конусов. Ж. Картина дифракции от одномерного ряда точек, возникающая в результате пересечения конусов рассеянного излучения с цилиндрической пленкой. 3. Рассеяние, наблюдаемое в действительности, является произведением атомного рассеяния (фрагмент Б) и картины дифракции, изображенной на фрагменте Ж. И. Иная геометрия рассеяния, когда ось одномерного ряда точек параллельна направлению падаюшего излучения. К. Рассеянные лучи, разрешенные условиями Лауэ, для геометрии, изображенной на фрагменте И. Л. Вид дифракционной картины для геометрии, показанной на фрагменте И. М. Произведение дифракционной картины на фрагменте Л и атомного рассеяния, показанного на фрагменте Б. [c.333]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология