Гуггенхейма метод

Выше мы отметили, что среди промышленников наблюдается стремление к улучшению производства селитры. Самый значительный шаг в этом направлении сделан фирмой (северо-американ-ской) Гуггенхейм, которая на одни изыскания израсходовала около 450000 долларов. Опыты, проведенные в заводском масштабе, должны были дать удовлетворительные результаты. Косвенным подтверждением этого является то, что фирма приобрела крупные предприятия в Чили, в которых она будет применять новые более экономичные методы извлечения селитры. Недавно та же фирма закупила месторождения, за которые она заплатила 9,5 милл. чилийских пез ). [c.8]

Триумфом метода Бриджмена — Стокбаргера было выращивание фторидов. К совершенству и оптическому качеству лазерных материалов предъявляются самые жесткие требования. Основной вклад в развитие технологии выращивания фторидов высокого качества для лазеров внес Гуггенхейм [15, 26. До его работ основные трудности были связаны с контролем рассеивающих центров и валентного состояния редкоземельных активаторов. [c.187]

Чтобы предотвратить переохлаждение расплава, температурный градиент должен составлять [15] по крайней мере 7°С/см для СаРг и около 30°С/см для ЬаРз. Обычно при выращивании фторидов скорости опускания составляли от 1 до 5 мм/ч. В ряде случаев валентность редкоземельных элементов в выращенных кристаллах удавалось изменить последующим электролитическим восстановлением [28, 29], На фиг. 5.4 показана схема аппарата Гуггенхейма для выращивания кристаллов СаРг методом Бриджмена — Стокбаргера. [c.188]

Этот метод использован в книге Гуггенхейма [2]. [c.16]

По методу Бриджмена—Стокбаргера чаще всего выращивают кристаллы веществ трех классов — металлов, полупроводников и галогенидов щелочных и щелочноземельных металлов. В промышленности этим методом шире всего кристаллизуют материалы последнего класса. Первую свою работу Бриджмен проводил на висмуте [1]. В последующие годы этим методом выращивали главным образом кристаллы металлов. Стокбаргер [2] показал, что этим способом можно выращивать кристаллы Ь1Р и СаРг- Разработанный им способ залол ил фундамент под широкое промышленное выращивание галоидных кристаллов оптического назначения. Открытие лазеров предъявило более строгие требования к оптическому качеству галоидных кристаллов и повысило спрос на активированные галогениды щелочноземельных металлов с весьма слабым рассеянием света. Гуггенхейм [15] разработал способы ослабления рассеивающей способности у фторидов и регулируемого активирования добавками редкоземельных металлов с нужной валентностью. [c.183]

Парциальные коэффициенты активности не определимы прямыми методами. Поэтому свободная энергия обмена АО°обм (где АО°обм = —ЯТ п Кобм) также неопределима как функция температуры без использования какой-либо термодинамической модели, пригодной для описания характеристик ионного обмена. Одна из таких простых моделей — модель регулярных растворов, впервые предложенная Гильдебрандом в 1929 г. Регулярные растворы характеризуются идеальной энтропией смешения, но ненулевой энтальпией смешения. Парциальная молярная теплота растворения ЛЯраств компонента прямо пропорциональна квадрату его мольной доли, но не зависит от температуры. Для растворов этого типа можно легко показать (как это сделано Гуггенхеймом [153]), что относительные коэффициенты активности компонентов А и В в двухкомпонентной системе равны [c.174]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология