Концентрации дефектов в кристаллах после охлаждения

Рис. XIII.10. Температурная зависимость концентраций дефектов в соединении АВ с дефектами по Шоттки при постоянном давлении Вз для случая К1> Кк> Кз- а — Концентрации различных дефектов б — отклонение от стехиометрии (б) в — концентрации дефектов после охлаждения до Т = О в кристаллах АВ, приготовленных при различной температуре (Гргер) в условиях высокотемпературного равновесия, представленного на рис. XIII.10, а.

Рис. XIII.11. Температурная зависимость концентраций собственных дефектов в соединении АВ с дефектами по Шоттки при постоянной активности компонента А для случая Кк > К[ > К -а — Равновесная концентрация дефектов б — отклонение от стехиометрии 6=2 [Уа — 2 [Ув1 в — концентрации дефектов после охлаждения до 7 = О в кристаллах АВ, приготовленных при различных температурах (Т р ер) в условиях высокотемпературного равновесия, представленного на рис. XIII.11, а.

При быстром охлаждении расплава триоксана с иодом получается, по-видимому, сильно дефектный кристалл мономера с вкраплениями кристаллов иода. Инициирование может происходить на границе триоксан — иод в ионизованных местах кристалла иода, причем концентрация этих мест зависит от температуры. После акта инициирования, благодаря большой константе роста в направлении оси с кристалла мономера активный центр быстро доходит до дефекта в мономерном кристалле, образуя полимерную цепь при этом активный центр либо замораживается , либо погибает. [c.367]

Процессы, вызываемые отжигом люминофоров на воздухе и в нейтральной среде. При медленном охлаждении люминофоров после прокаливания концентрации атомных дефектов, а также распределение их в кристаллах успевают измениться (см. гл. IV—VI), [c.310]

Оно вполне удовлетворительно не только потому, что дает необходимые наклоны в областях II и VIII, но и потому, что Vo-центры, преобладающие после охлаждения кристаллов в области VIII, оказываются немагнитными. Это подтверждается и тем, что методом парамагнитного резонанса не обнаружены центры, ответственные за абсорбционную полосу при 2 эв [82]. Относительно слабую полосу в спектре парамагнитного резонанса, напоминающую по своим свойствам F-центр, можно объяснить небольшой концентрацией 10 — 10 центров в 1 см дефектов Vo (равной 2 [Vija] + р). Проверим, правильно ли оценены положения уровней. Из соотношения (XV.27) находим [c.412]

Как видно из уравнения (V.13), при понижении температуры тенденция дефектов к ассоциации должна возрастать. Действительно, отжиг люминофоров при относительно низких температурах вызывает иногда образование ассоциативных центров свечения, концентрация которых в закаленных , т. е. резко охлажденных после прокалки люминофорах, незначительна (см. 2 этой главы). Однако следует иметь в виду осложнения, связанные с дальнейшей ассоциацией, приводящей в конечном итоге к выделению активатора и соактиватора из решетки в виде отдельной фазы. Включения ее могут образовывать макроскопические дефекты в кристалле. Так, ассоциативный дефект AgznGazn можно рассматривать как зародыш фазы AgGaS2, имеющей структуру, подобную ZnS [60]. Выделение избытка активатора из решетки приводит к [c.151]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология