Кристаллы охлаждения

При дальнейшем понижении температуры растворимость компонента В в А в твердой фазе уменьшается и твердый раствор в точке dg становится насыщенным. При дальнейшем охлаждении он распадается на два раствора, насыщенных а- и -кристаллами, т. е. появляется новая твердая фаза. Чем сильнее охлаждается система, тем меньше взаимная растворимость компонентов друг в друге в твердом состоянии, тем больше становится количество р-насыщенных и меньше а-насыщен-ных кристаллов. Охлаждение идет в твердом состоянии, по закону [c.235]

Анализ и сравнение конструкций кристаллизаторов с учетом процессов, протекающих в них, показывает, что выбору конкретной конструкции, которая лучше всего отвечала бы особенностям данного процесса и требованиям к качеству готового продукта, должно предшествовать решение нескольких задач. Это выбор метода получения кристаллов — охлаждением, адиабатическим испарением, выпаркой и др., а также выбор режима проведения процесса — периодический или непрерывный. [c.9]

До 1950 г. применявшаяся в качестве минерального удобрения в США аммиачная селитра вырабатывалась главным образом при помощи процесса, разработанного еще в 1914 г. В Канаде в начале 40-х годов был разработан новый процесс, который получил название гранулирования [42]. Он до известной степени сходен со старым процессом производства дроби и основывается на гранулировании в высоких башнях, в которых концентрированный раствор нитрата аммо-1ШЯ (95—97%) распыливают восходящей параболической струей. При охлаж.дении жидкость затвердевает в виде круглых зерен, которые собираются в бункере [1 направляются в барабанные сушилки. Здесь остаточная влага удаляется из них горячим воздухом, движущимся в противотоке. После этого гранулированный материал охлаждается в барабане до температуры ниже 32°С (точка плавления кристаллов). Охлажденный сухой продукт покрывают слоем добавки, препятствую-ш,ей слеживанию, и затаривают в мешки или бочки для отгрузки. [c.441]

Продукт реакции обработать горячей водой, раствор отфильтровать и выпарить до вьшадения кристаллов. Охлажденный раствор оставить кристаллизоваться. Нанести каплю горячего насыщенного раствора на предметное стекло, рассмо греть образующиеся кристаллы под микроскопом, зарисовать их форму. Полученную соль отсосать на воронке Бюхнера, высушить на воздухе, взвесить и рассчитать выход в процентах. Каков состав выделенной соли Написать уравнение реакции. [c.186]

Полная и частичная смесимость кристаллов. Охлаждение жидкого бинарного раствора данной концентрации с начальным состоянием 1 показано на рис. 13, а. В точке 2 начинается процесс замерзания, появляются первые кристаллы льда концентрации При дальнейшем понижении температуры образуются две фазы, состоящие из незатвердевшей жидкости концентрации [c.35]

При проверке этого синтеза не удалось получить кристаллов охлаждением исходного неупаренного фильтрата до —8°. Кристаллы не выпали и после 72-часового пребывания раствора при этой температуре. [c.171]

При выращивании кристаллов из расплава следует избегать одновремен- юго роста кристаллов вокруг значительного числа центров кристаллизации. 1 ледует позаботиться о том, чтобы выращиваемый кристалл вследствие со-1рикосновения с проводником тепла (с охлаждаемой трубкой или стержнем, отличающимся хорошей теплопроводностью) всегда являлся самым холодным местом в системе. Метод, особенно пригодный для выращивания кристаллов галогеиидов щелочных металлов, предложен Киропоулосом [9]. Расположение при этом методе частей прибора показано на рис. 89. Расплав в тигле, нагреваемом электрическим током, сначала следует довести до температуры выше точки плавления приблизительно на 150 °С, а затем путем погружения в иего охлаждающего стержня охладить до температуры выше точки плавления приблизительно на 70 °С. Лишь после этого начинают интенсивно охлаждать передатчик тепла. И когда на его кончике образуется кристалл, обыкновенно имеющий полусферическую форму, этот кристалл на передающей тепло трубке осторожно поднимают при помощи микрометрического винта на такую высоту, чтобы он едва лишь касался поверхности расплава. Тогда, начиная от этой точки, образуется более крупный, очень правильно образованный округленной формы кристалл (охлаждение передающей тепло трубки необходимо при этом усилить). Наконец, этот кристалл следует также поднять из расплава и очень осторожно охладить. [c.135]

Методика изучения ФЛ заключалась в возбуждении ультрафиолетовым ОКГ типа ЛГИ-21 свечения кристаллов, охлажденных до 80 К- Спектры регистрировались спектрометром, собранным на базе ИСП-51. Все исследовавшиеся кристаллы в исходном состоянии не имели фотолюминесценции. Отжиг образцов вплоть до 2170 К в течение 7,2-10 с еще не приводил к образованию центров свечения, только в некоторых образцах наблюдалась слабая непрерывная полоса фотолюминесценции с максимумом 550— 600 нм. Более высокие температуры в сочетании с увеличением длительности термообработки алмаза вызывали появление в спектрах фотолюминесценции характерных систем полос, обусловленных присутствием в алмазах оптически активных центров, приведенных в табл. 24. Обозначение наблюдавшихся центров свечения, их спектральное проявление (положение к головных бесформенных полос) и модели центров приведены в табл. 25. [c.430]

Наиболее ппостымн являются емкостттьтр т- г гтя-7тл т .яторы с охлаждающей рубашкой, имеющие коническое или сферическое днище (рис, 3.1, а, б). Исходную смесь загружают в аппарат в несколько перегретом состоянии. При этом до температуры ликвидуса оиа охлаждается быстро, а затем, с целью понижения скорости зарождения кристаллов и получения более крупных кристаллов, охлаждение замедляют. Режим охлаждения смеси устанавливают с учетом особенностей кристаллизации конкретной смеси, в большинстве случаев плавно понижая температуру в процессе охлаждения. При этом разность температур между кристаллизующейся смесью и охлаждаемой поверхностью не долл на превышать 8—10 °С. [c.86]

МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫРАЩИВАНИЕ, производят из пара, р-ра, расплава или тв. фазы. Пр И М. в. из пара кристаллизующееся в-во возгоняется, его пары переносятся газом-носителем или диффундируют в зону роста, где конденсируются на затравочном кристалле, охлажденном относительно источника паров. Возможен также перенос в зону роста не паров кристаллизующегося в-ва, а газообразных продуктов р-ции этого в-ва с к.-л. другим, с послед, разложением продуктов на нагретой затравке и выделением исходного в-ва (метод хим. транспорта). Иногда в источник паров вводят в-во, пары к-рого разлг1гаются на затравке с образованием кристаллизующегося в-ва, или реагенты, образующие на затравке кристаллизующееся в-во (метод хим. кристаллизации). [c.352]

Из многих приборов различного типа, применяемых для выращивания кристаллов охлаждением растворов, отметим следующие вращающийся цилиндр Вульфа [99], охлаждающийся сосуд Мура [61], термостатированная кювета Мозанера и Вурля [62] и прибор с качающимся кристаллизатором [44] наиболее удачным прибором является, по-видимому, кристаллизатор Холдена [34] с обратным вращением. Схема этого прибора представлена на рис. 16. Цилиндрический сосуд А из стекла пирекс установлен [c.209]

Чтобы избежать кристаллизации оксидифенилена и получить аценафтен по вогыожности в виде более крупных кристаллов, охлаждение фракции в кристаллизаторе нужно вести медленно поэтому механические кристаллизаторы в данном случае не применяются. [c.252]

Отобранные при перегонке узкие фракции масел поступают в специальные кристаллизаторы, где при температуре минус 10° С производится вымораживание оставщихся в масле кристаллов. Охлажденную суспензию разделяют на вакуум-фильтрах. Отфильтрованное масло принимается в приемники, а кристаллы сырого антрацена передаются на установку обогащения. Газгольдерное масло готовится из полученных после выморажива-НИ.Я масел путем смешения их в определенных соотношениях. [c.253]

Массовая кристаллизация является наиболее простым и распространенным процессом. Ее обычно проводят в емкостных аппаратах, снабженных охлаждающими рубашками, змеевиками или другими теплоотводящими элементами. Разделяемая смесь перемешивается с помощью мешалок. На стадии кристаллизации разделяемую смесь сначала быстро охлаждают до температуры ликвидуса, затем с целью понижения скорости зарождения и получения более крупных кристаллов охлаждение замедляют. Кристаллический рост при таких условиях можно считать фактически адиабатическим. Теплота кристаллизации рассеивается через толщу расплава. В этом случае массо- и теплоотдача сравнимы по величине. Это позволяет избежать выделения кристаллов на охлаждаемой поверхности аппарата. Для предотвращения отложения кристаллов на тешюотводя-щих поверхностях используют рамные или якорные мешалки с небольшими зазором между лопастями и стенками аппарата, вибрацию змеевиков, ультразвук шш специальную обработку стенок аппаратов (шлифовку, полировку) [8, 9]. При кристаллизации смесей, склонных к переохлаждению, как правило, вводят затравку. [c.302]

Получение тирозина. В 0,5-л круглодонной колбе, снабженной обратным шариковым холодильником, кипятят 16 ч всю порцию полученного казеина вместе с трехкратным весовым количеством 25%-ной серной кислоты. К окрашенной в темный цвет жидкости прибавляют насыщенный при нагревании раствор гидрата окиси бария до слабощелочной реакции по фенолфталеину. Чтобы осадить избыток ионов бария, пропускают углекислый газ. Отфильтрованный осадок смешивают с 200 мл воды и нагревают до кипения для растворения тирозина, увлеченного осадком, снова фильтруют и кипятят с небольшим количеством свежей воды. Затем Ва804 отфильтровывают и промывают до отрицательной реакции Миллона (проба на тирозин). Фильтры сливают вместе и до тех пор упаривают в фарфоровой чашке, пока не начнут выделяться кристаллы. Охлажденную массу фильтруют, маточный раствор снова упаривают до появления кристаллов тирозина операцию повторяют два-три раза. [c.236]

Концентрация нейтральных точечных дефектов является-функцией температуры. Поэтому если кристалл был изготовлен или подвергнут термообработке при температуре Гобр, а измерения проводятся при более низкой температуре Гизм, то следует рассматривать два случая. Когда кристалл охлажден столь медленно, что концентрация точечных дефектов достигает своего равновесного значения, соответствующего Тизм, говорят о полно внутреннем равновесии кристалла. Этот практически невозможный случай используют в теории для установления общих закономерностей. Как уже говорилось, понижение концентрации избыточных при данной температуре вакансий осуществляется [c.175]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология