Оптические свойства полупроводниковых кластеров

Оптические свойства полупроводниковых кластеров [c.361]

Одиннадцатая глава включает данные о коллоидных кластерах и наноструктурах, образованных на их основе. Коллоиды образуются в растворах в результате химических реакций и могут длительное время существовать без коагуляции за счет слабых межкластерных взаимодействий и взаимодействий кластера со средой. Коллоиды металлов известны давно, например, красный золь золота наблюдал в 1857 г. М. Фарадей. Коллоидные частицы могут представлять собой также нанообразования, как мицеллы и обратные мицеллы, которые в свою очередь служат для формирования твердых коллоидных наноструктур. Известны многочисленные золь-гель превращения, которые также приводят к наноструктурам. Приводятся оптические свойства для металлических коллоидов, трактуемые на основе плазменных колебаний и изменений диэлектрической постоянной. Для полупроводниковых коллоидов рассматриваются сдвиги частот и изменения ширины оптических линий в виде размерных эффектов. Среди электронных свойств коллоидов внимание обращено на эффекты одноэлектронного переноса в коллоидных нанокластерах. [c.13]

Оксометаллические и халькогенидные кластеры должны обладать полупроводниковыми свойствами. Однако в области размеров ядра 1 -г 3 нм следует ожидать разрушения электронных зон, их сужения и превраше-ния в отдельные уровни атомов. Энергетическая щель между валентной зоной и зоной проводимости будет увеличиваться с уменьшением размера кластера. В оптической спектроскопии такой эффект влияет на длину волны излучения таким образом, что в полупроводниковых кластерах должен наблюдаться голубой сдвиг излучения по сравнению с массивным материалом, который увеличивается с уменьшением размера кластера. Подобный эффект наблюдался, например, для кластеров Сс з2817(8СбН5)зб(ОМР)4 с халькогенидным ядром С<1 з2 1,5 нм. Возрастание частоты излучения сопровождается возрастанием силы осцилляторов переходов, поскольку происходит их концентрация на меньшем числе возможных переходов. [c.239]

Как отмечалось в предыдущих пунктах, изменение размера кластера приводит к сдвигу энергии поглощения и люминесценции оптического излучения полупроводниковых нанокластеров. Это свойство используется в таких оптических наноустройствах, как светоперестраиваемые диоды. В качестве примера приведем светоперестраивыемые диоды на основе Сс15е [15]. [c.496]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология