Нанесение полупроводящего покрытия

Технология нанесения полупроводящего покрытия. В качестве полупроводящего покрытия обычно применяют пасту на основе окиси хрома окись хрома — 500 г силикат натрия — 100 г желатин — 5 г дистиллированная вода — 395 г. [c.328]

Каково назначение полупроводящих покрытий Расскажите о технологии нанесения покрытия на основе окиси хрома. [c.330]

Для создания во всем измерительном объеме осесимметричного электрического поля (что приводит к независимости коэффициента газового усиления от места ионизации) поверхность счетчика и его торцевые пластины покрывали слоем полупроводника (фиг. 41). Тогда кривая дискриминации характеризуется меньшим градиентом в области нулевого порога, что практически обеспечивает достаточно точное построение этой кривой. Такие торцевые пластины были изготовлены для нас фирмой Корнинг гласс компани (Нью-Йорк) они представляли собой стеклянные пластины с напыленным полупроводниковым слоем. Контактными электродами этих пластин служили два кольца из серебра, нанесенного методом осаждения на стекло, причем внутренний диаметр внешнего кольца равнялся 95 MJM, а наружный диаметр внутреннего кольца — 12 мм. Внешнее кольцо касалось высоковольтного электрода внутреннее кольцо при помощи делителя напряжения заряжалось до потенциала, равного потенциалу на расстоянии 6 мм от оси цилиндра вдали от его концов. Сопротивление между каждой парой серебряных колец, нанесенных на торцевые пластины, достигало 1,38-10 и 2,82-10 олг. Величины сопротивлений в делителе напряжения определялись допустимой нагрузкой источника высоковольтного питания и тем, что они должны были быть малы по сравнению с сопротивлением полупроводящих поверхностей. Последнее требование обеспечивает независимость падения потенциала от характеристик полупроводника и любых их изменений. Сопротивление торцевых пластин должно было быть настолько малым, чтобы на них не успевали собираться большие электрические заряды, нарушающие геометрию поля. Применявшиеся полупроводниковые покрытия, по-видимому, удовлетворяли этим двум противоречивым требованиям. [c.162]

Эпитаксиальный рост не происходит и в том случае, если поверхность катода покрыта полупроводящими пленками масла, окисла, сульфидов и т. п. Это может иметь место при плохой предварительной обработке подложки, при загрязнении гальванической ванны или когда на таких металлах, как нержавеющая сталь, алюминий, титан и т. д. после их промывки вновь быстро образуются окисные пленки. Слабая адгезия электролитических осадков при неэпитаксиальном осаждении используется в гальванопластике с целью облегчения отделения осадка от подложки. При нанесении гальванических покрытий на полупроводники или диэлектрики важно обеспечить и механическое сцепление типа ласточкин хвост (по методике подготовки неметаллических подложек). Для легко пассивирующихся сплавов разработаны методики, подобные используемым при осаждении покрытий на нержавеющей стали и алюминии (см. выше). Иногда даже при применении специальных методов некоторое количество окислов сохраняется на поверхности и электролитическое покрытие закрепляется на подложке только на небольших участках эпитаксиального осаждения. В этом случае существует опасность получить отслаивание покрытия. Термические напряжения или даже сравнительно слабая шлифовка могут привести к отслоению на несцепленных участках границы раздела. Адгезию можно улучшить путем отжига детали после электроосаждения. При этом окисел, находящийся на границе раздела, растворяется в одном или обоих металлах или диффундирует к границам зерен, а сплавление металлов на границе раздела приводит к [c.343]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология