Тантал, хемосорбция на поверхности

На поверхности платины и палладия происходит слабая или молекулярная хемосорбция [41], в то время как для молибдена, вольфрама и тантала характерна как прочная (атомная), так и слабая (молекулярная) хемосорбция. При этом прочная хемосорбция протекает так быстро, что она завершается первой, [c.302]

Робертс показал, что очень чистые поверхности тугоплавких металлов можно получить, нагревая в вакууме электрическим током проволоку из данного металла для испарения поверхностных слоев и всех загрязнений, за исключением наиболее прочно удерживаемых. Так, например, в случае вольфрама окисел ШОз испаряется при температурах выше 1200°, а поверхностный слой атомов кислорода — выше 2000° ири температурах иа несколько сот градусов выше легко удаляется кислород, растворенный внутри. Можно удалить даже кремний. Такая обработка методом вспышек приводит к образованию поликристаллической поверхности, экспонирующей множество кристаллических плоскостей, среди которых могут преобладать плоскости (100), (110) и (111). Было проведено много исследований но хемосорбции на поверхностях вольфрама, тантала и родственных металлов, приготовленных этим методом, причем последний используется также для очистки вольфрамового острия в опытах с электронным проектором. [c.183]

За последние годы значительный интерес привлекла к себе система кремний — азот из-за весьма важных свойств нитрида кремния, используемых в интегральных схемах. Было установлено, что, в отличие от упомянутых выше соединений тантала или титана, для получения высококачественных пленок нитрида кремния необходимы низкие давления распыляющих газов. Следовательно, в этом случае необходимо использовать либо тлеющий разряд, поддерживаемый термоэлектронной эмиссией [109], либо высокочастотное распыление [110], По-видимому, для распыления будет достаточным давление ниже (5—10)-10 мм рт.ст. Для получения хороших результатов, в противоположность случаю системы кремний — кислород, распыление нужно проводить в атмосфере чистого азота. Вероятно, это объясняется тем, что для образования нитрида кремния необходимо присутствие атомарного азота, поскольку хемосорбции молекул N2 на кремнии не происходит. Основными частицами в плазме вблизи подложки являются ионы N2+. Ионы N+ образуются главным образом в темном пространстве [111] или путем диссоциации N2+ при ударе о поверкность катода. Следовательно, атомы азота могут попасть на подложку только тогда, когда они либо распыляются с поверхности мишени, возможно, из слоя нитрида кремния на поверхности мишени [109], либо отражаются от мишени после прохождения темного пространства. В обоих случаях атомы азота, падающие на подложку, должны испытать относительно небольшое число столкновений на пути от катода к подложке. Возможно также, что некоторые быстрые молекулы N2 внедряю гея в растущую пленку и остаются в ней в виде газовых включений [112]. [c.441]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология