Ансамбль упругих доменов

Рис. 7.8. Ансамбль упругих доменов, возникших внутри кристалла а - стенка упругих доменов, б - дислокационная модель стенки упругих доменов

Рассмотрим ансамбль одинаковых упругих доменов длины 2Ь, образующих бесконечную стенку в неограниченном кристалле (рис. 7.8а). Пусть с - расстояние между доменами каждый из них настолько тонкий, что его можно представить в виде плоского скопления дислокаций превращения (рис. 7.86). Для определенности будем рассматривать доме-щы, образованные скоплениями краевых дислокаций. Распределение дислокаций во всех доменах предполагается одинаковым и будет описьшаться плотностью дислокаций р = р (д ). [c.195]

Требование минимальности упругой энергии обусловливает форму мартенситных включений в виде пластин, ориентированных специальным образом относительно кристаллографических осей исходной решетки Понижение упругой энергии системы происходит также путем пластиче ской деформации - возникновения внутри пластинчатых кристаллов дисло каций и разбиения их на тонкие плоскопараллельные домены (двойники) взаимно компенсирующие упругие поля друг друга. Пластинчатые кристал лы в свою очередь образуют упорядоченные ансамбли. В результате воз никает сложная иерархическая структура, состоящая из ансамблей, пластин доменов (подробнее см. [268]). [c.141]

Наличие макроскопических полей вне образуюш,ихся областей новой фазы приводит к упругому взаимодействию этих областей, в результате чего в твердом теле формируются упорядоченные ансамбли кристаллов или полидоменных областей [61]. Взаимное расположение пластинчатых кристаллов определяется теми же факторами, что и структура поли-доменной пластины кристаллы, или полисинтетические области, образуют плоскостные образования, которые подобны полидоменной пластине, причем в качестве доменов служат не только области новой фазы, но и участки исходной (рис. 13, е). [c.366]

Дан критический анализ современных теоретических представлений о зарождении и росте кристаллов в твердой фазе. В противоположность классической теории зарождения и роста, основанной па рассмотрении индивидуальных переходов атомов между фазами, развивается полево " подход к описанию эволюции двухфазной системы матрица исходной фазы—кристалл новой фазы. Межфазная граница при этом трактуется как переходная область, эффективная ширина и энергия которой определяют кинетику зарождения и роста. Обсуждается влияние упругого взаимодействия фаз на кинетику превращения и результирующие структурные состояния. Показано, что упругое взаимодействие между контактирующими фазами обусловливает возникновение внутренней доменной структуры кристаллов, образующихся в твердой фазе, и группирование кристаллов в упорядоченные ансамбли. Рассматривается влияние пластической релаксации на кинетику зарождения и роста при фазовых превращениях в твердом состоянии. [c.406]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология