Дислокация краевая

Рис. IV. 13. Дислокации краевые (а) и винтовые (б), 7 Зак. 424

Рис. 51. Отталкивание (а) скользящего ряда дислокаций краевой дислокацией. Взаимодействие (б) между краевой дислокацией и скользящим рядом согласно схеме, приведенной на рис. 50, б.

Имеются два типа дислокаций — краевые и винтовые Краевая дислокация — нарушение ориентации слоев у края незавершенной плоскости в решетке кристалла (рис. 6.25,6), она находится на границе между той частью кристалла, где произошел [c.266]

Рис. 51, Схемы дислокаций краевой (а) и винтовой (б)

Различают краевые и винтовые дислокации. Краевая дислокация возникает (рис. 39, а) за счет появления в объеме кристалла лишней атомной плоскости. Собственно под дислокацией и понимается линия искажения, проходящая вдоль края этой лишней плоскости. На рис. 39, б приведен пример винтовой дислокации. Последняя образуется за счет смещения микрочастиц в одной части кристалла по отношению к другой его части, в результате чего вокруг линии дислокации образуется винтообразная плоскость. Дислокации являются причиной пластичности кристаллов. Деформация кристалла обычно совершается за счет движения дислокации В его объеме, что требует меньших затрат энергии, чем можно было бы предположить, исходя из энергии его кристаллической решетки. [c.90]

Различают дислокации краевые и винтовые. В первом случае (рис. IV. 15, а) одна из атомных плоскостей имеет край внутри кристалла. При деформации сдвига дислокация перемещается по решетке перпендикулярно линии дислокации. [c.193]

Один из главных типов дислокаций — краевая, или линейная, дислокация. Схема образования краевой дислокации показана на рис.У-9. На этом рисунке представлено сечение решетки кристалла с одной избыточной полуплоскостью (перпендикулярной плоскости рисунка). Ниже плоскости скольжения АВ кристалл растянут, а выше ее — сжат. Линия, находящаяся в плоскости скольжения и проходящая через точку С (перпендикулярно плоскости рисунка), называется линией дислокации. Дислокация выходит на поверхность в виде ступеньки. Сила, действующая на поверхность выше АВ, приводит к скольжению одной части решетки относительно другой, что отражается на виде поверхности кристалла. При непрерывном движении С влево линия дислокации выйдет на поверхность и решетка верхней части тела примет нормальный вид. Этот процесс весьма напоминает движение сложенного пледа, который тянут за нижние складки. [c.216]

Локальные напряжения в твердом теле, так же как и грани, обладающие наибольшими значениями а, чаще всего являются центрами адсорбции. Наряду с гранями большое значение для адсорбции имеют дефекты структуры реальных кристаллов. Они изучаются физикой твердого тела, и здесь следует отметить лишь основные положения, непосредственно связанные с адсорбцией. Наиболее простыми- типами являются точечные дефекты по Френкелю, образованные избыточными (в междоузлиях) или внедренными атомами (или ионами), и дефекты по Шоттки, образованные недостающими в решетке атомами — вакансиями. Организованные совокупности точечных дефектов представляют собой дислокации, краевые (линейные) или винтовые. Дислокации выходят на поверхность в виде ступенек и обусловливают в основном несовершенство поверхностей. [c.138]

Чистые монокристаллы приобретают остаточную деформацию под действием таких сил сдвига, которые на порядки величины меньше теоретических для идеальных кристаллов. Для объяснения легкости, с которой монокристаллы приобретают остаточную деформацию, в 1934 г. было выдвинуто предположение о наличии линейных дефектов. Два основных линейных дефекта носят названия краевых и винтовых дислокаций. Краевая дислокация соответствует краю атомной плоскости, которая заканчивается внутри кристалла, вместо того чтобы пройти через весь кристалл. Направление, в котором краевая дислокация способствует сдвигу в кристалле, показано на рис. 19.21, При деформации сдвига дислокация проходит по кристаллу так, что верхняя половина кристалла смещается по отношению к нижней половине на один период решетки. Число дислокаций, проходящих через единицу площади в обычном кристалле, составляет величину порядка 10 см или более. [c.591]

Различают два основных типа дислокаций — краевые (или линейные) и винтовые. На рис. 42, а кристалл с правильной решеткой изображен в виде семейства плоскостей (атомных, молекулярных или ионных). Допустим, что одна из плоскостей оборвана внутри кристалла и образовавшаяся щель сомкнута так, что вдали от места обрыва восстановлена правильная решетка. Край оборванной плоскости образует в кристалле линейный дефект, называемый краевой дислокацией (рис. 42,6). [c.167]

Основной вектор Бюргерса Ь = а<1120>, т.е. ребро 5 на рис. 297 отвечает трем полным дислокациям краевой, бО-градусной и 30-градусной с плоскостью скольжения (0001), а также винтовой и краевой с линией дислокации I [0001] (рис. 299). [c.344]

В материаловедении полупроводников обычно рассматривают лишь простейшие типы дислокаций краевую и винтовую. [c.224]

Охарактеризуйте протяженные дефекты а)дислокации краевые и винтовые [c.225]

В отличие от описанных выше точечных дефектов дислокации — это линейные дефекты в том смысле, что они соответствуют смещению целых рядов атомов из нормального расположения по отношению к некоторым из их соседей. Имеются два основных типа дислокаций — краевые и винтовые дислокации. Краевую дислокацию можно представить как нарушение ориентации у края плоскости решетки, вставленной в кристалл, как показано на рис. 30. Вдали от краевой дислокации периодичность решетки правильная, но на самом краю имеется значительное напряжение. При винтовой дислокации ряд атомов, смещенный по отношению к некоторым из их соседей, представляет собой ось, вокруг которой скручены плоскости кристалла, подобно винтовой резьбе. Другими словами, круговое движение в правильной кристаллической решетке при наличии винтовой дислокации приводит к смещению плоскости решетки вверх. [c.106]

При решении почти всех задач анализа структуры металлической фольги в просвечивающем электронном микроскопе необходимо знать кристаллографическую ориентировку объекта — плоскость кристалла, в которой проектируется и рассматривается изображение его внутренней структуры. Определение индексов действующих отражений необходимо знать для того, чтобы разобраться в природе дифракционного контраста в изображении разных деталей структуры объекта и соответственно разобраться в природе самих элементов структуры (например, определить вектор Бюргерса дислокаций и тип дислокаций — краевой НЛП винтовой). Определение кристаллографической плоскости, параллельной поверхности фольги, и индексов действующих отражений проводят по методике, описанной в работе 39. [c.283]

Краевая дислокация может быть получена введением неполной атомной плоскости между двумя соседними полными плоскостями в кристалле. Винтовая дислокация образуется за счет смещения края разреза в направлении, параллельном дислокационной линии, так что образуется винтовая поверхность, которая непрерывно закручивается вокруг оси дислокации. Краевые и винтовые дислокации — основные типы дислокации все остальные дислокации представляют их комбинации. [c.24]

Отступление 12 дислокации. Краевая дислокация — это край незавершенной атомной плоскости. (На рис. 25 она показана значком Х.) Краевую дислокацию хорошо видно на пузырьковой модели (рис. 26), Лучше только смотреть на рисунок вдоль стрелки, держа его на уровне глаз. Понятно, как краевая дислокация испускает вакансии. К незавершенной атомной плоскости пристраиваются атомы из соседних узлов решет- [c.86]

Наряду с точечными в кристаллах существуют линейные дефекты, которые соответствуют смещению целых рядов атомов. Они называются дислокациями. Дислокации появляются под действием механических и термических напряжений. Существует два типа дислокаций— краевые и винтовые. Краевая дислокация представляет собой незавершенную атомную плоскость, находящуюся на границе между частью кристалла, в которой произошел сдвиг, и той, где он не произошел. Из рис. XIII.4 видно, что при этом образуется лишняя полуплоскость. Линия, вдоль которой произошел сдвиг, называется линией дислокации. [c.167]

В поле напряжений, возникающем от иных, несобственных источников (т. е. от приложенных извне нагрузок на кристалл или от других дислокаций), дислокация испытывает силы, которые стремятся заставить ее двигаться. Сила, стремящаяся вызвать скольжение дислокации, пропорциональна составляющей приложенного напряжения сдвига на ее плоскость скольжения, взятой в направлении ее вектора Бургерса. Сила на единицу длины равна этой составляющей напряжения, умноженной надлину вектора Бургерса. Она действует в плоскости скольжения в направлении, перпендикулярном линии дислокации. Таким образом, в случае замкнутой петли дислокации, лежащей в ее плоскости скольжения, приложенное напряжение сдвига обладает эффектом двухмерного давления, стремящегося растянуть или сжать равномерно петлю. Эта сила одинакова независимо от того, является ли дислокация краевого, винтового или промежуточного типа. Сила, стремящаяся вызвать переползание, зависит только от краевой компоненты дислокации и, взятая на единицу длины, равна этой компоненте, умноженной на осевое давление, параллельное ей. Ее можно представлять как силу, стремящуюся выжать экстраполуплоскость краевой дислокации. [c.22]

Различают два основных тина дислокаций краевые и винтовые, хотя часто встречаются дис.покации промежуточного типа. Дислокации краевого типа, или дислокации Тейлора — Орована, легче всего представить, используя диаграмму, показанную на рис. 1. Линия дислокации является по существу граничной линией, отделяющей область, в которой произошел сдвиг, от области, в которой сдвига не произошло. Краевая дислокация, показанная [c.212]

Линейные дефекты структуры называются дислокациями. Простейший вид дислокации — краевая дислокация. Она представляет собой край одной из атомных плоскостей, обрывающейся внутри кристалла. Дислокации возникают как в процессе роста кристаллов, так и при местных механических, тепловых и других воздействиях на кристаллы (см., например, рис. 142, а, б на стр. 521). На рис. 62 изображена краевая дислокация (линия АВ), возникшая в результате сдвига части кристалла по плоскости AB D в направлении, указанном стрелкой. [c.155]

Точно описать дислокацию можно при полющи так называемого контура Бюргерса, обходя линию дислокации в плоскости, которая расположена перпендькуляр-ио к этой линии. Таким путем можно или вернуться в исходную точку, или отклониться от нее на величину, которая соответствует вектору Бюргерса. На рис. 10.9 и рис. 10.10 изображена циркуляция (контур) Бюргерса для краевой и винтовой дислокации. Краевая дислокация обозначается символом Л . Вертикальная черта символизирует вдвинутую атомную плоскость (с одной стороны плоскости дислокации решетка состоит из п- -1 атомных рядов, которым противостоят п атомных рядов). Горизонтальная черта условно показывает плоскость сдвига. В случае краевой дислокации обход по контуру Бюргерса приводит к возвращению в исходную точку, лежащую в той же плоскости. Вектор Бюргерса проходит в этом случае перпендикулярно к направлению дислокации (определение краевой дислокации). [c.221]

В кристаллах со структурой сфалерита дислокации краевые и 60-градусные могут быть в форме а- или р-дисло-каций в зависимости от того, на каком из парных рядов атомов обрываются лишние полуплоскости (рис. 287, 288). [c.334]

Одномерные (линейные) дефекты описываются линиями, протяженность которых велика по сравнению с межатомными расстояниями и во многих случаях достигает макроскопической протяженности кристаллов. Такими дефектами являются дислокации, особенно подробно изученные для монокристалли-ческих простых веществ — металлов и атомных полупроводников [2]. Схематическое изображение простейших видов дислокаций— краевой и винтовой — дано на рис. 1.7 и 1.8. Как видно из рис. 1.7, в случае краевой дислокации нарушение правильной периодичности кристаллической решетки достигается наличием неполной атомной плоскости, пронизывающей лишь [c.44]

Охарактеризуйте протяженные дефекты а) дислокации краевые и винто-Еые б) трещины в) мозаику г) мйкрокаверны. [c.174]

Дислокации. Одномерные дефекты (дислокации) играют исключительную роль в химических превращениях с участием твердофазных реагентов и продуктов, так как реакции проходят на активных участках поверхности, на которых имеются выходы дислокаций, являющиеся часто центрами образования зародышей новой фазы или нового слоя при росте кристалла (см. подразд. 5.5 и 5.6). Известны два основных типа дислокаций — краевые и винтовые. Краевая дислокация (рис. 3.15) представляет собой лишнюю атомную полуплоскость (так называемую экстраплоскость), т. е. плоскость, которая проходит не через весь кристалл, а только через его часть. Для характеристики дислокаций обычно используют так называемое построение Бюргерса, заключающееся в об- [c.146]

Существует два главных типа дислокаций — краевые и винтовые. Краевая дислокация (в моноатомных кристаллах) представляет собой линию атомов (или ионов), каждый из которых образует на единицу меньше координационных связей с со-седним и атомами, чем должно быть в идеальном кристалле (рис. 10.3). Иначе краевую дислокацию можно представить себе как искажение кристаллической структуры, вызванное лишней атомной плоскостью, вдвинутой в часть объема кристалла. В ионных кристаллах нужно вдвинуть две полуплоскости одну для анионной и другую для катионной решетки. Под нагрузкой [c.295]

Краткий курс физической химии (1979) -- [ c.200 ]

Физическая химия (1987) -- [ c.359 , c.361 ]

Химия (1978) -- [ c.508 ]

Выращивание кристаллов из растворов Изд.2 (1983) -- [ c.6 ]

Физическая механика реальных кристаллов (1981) -- [ c.186 ]

Очерки кристаллохимии (1974) -- [ c.265 ]

Неорганическая химия (1987) -- [ c.137 ]

Кристаллография (1976) -- [ c.315 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (1968) -- [ c.106 , c.402 , c.405 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.121 , c.122 , c.583 ]

Структура и симметрия кристаллов (0) -- [ c.322 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология