Плоскость двойникования

Рис. 1.1 Сферическая область материнского кристалла единичного радиуса после двойникования превращается благодаря послойному относительному сдвигу х в эллипсоид вращения - плоскость двойникования, -П] - направление сдвига, — второе круговое сечение эллипсоида, - угол наклона большой оси эллипсоида по отношению к плоскости

Рис. 2.7. Получение модели когерентной двойниковой границы с плоскостью двойникования (112) путем проведения двойникового сдвига. Показаны смещения лишь в ближайших к границе двух атомных слоях (штриховыми линиями отмечены периоды идентичности, используемые при учете циклических граничных условий)

При исследованиях в отраженном свете можно полнее и с большей объективностью, чем в проходящем свете, изучить кристаллическую структуру материалов. Это обусловлено тем, что в полированных шлифах просматриваются разрезы кристаллов, располагающиеся лишь в одной плоскости, тогда как в проходящем свете изучается слой материала толщиной до 300 мкм, в котором кристаллы часто накладываются друг на друга, в связи с чем возникают ошибки в определении границ зерен. В отраженном свете весьма отчетливо просматриваются плоскости двойникования, становятся контрастными края кристаллов и дефекты их поверхности и выявляется макроструктура зерен по фигурам травления. При применении косого освещения и проведения исследования в темном поле можно получить и некоторые дополнительные данные о строении отдельных кристаллов и зерен. В отраженном свете более точны и количественные определения содержания отдельных фаз. [c.118]

У призматического кристалла оксида ртути(П) плоскости двойникования выходят на ребра, параллельные а-оси. При термическом разложении, наряду со схемой отрицательно растущего кристалла (см. рис. 2.1.14), равновероятно реализуется схема, когда реакция зарождается на боковых ребрах шестигранной призмы и проникает в кристалл по плоскостям, соединяющим боковые ребра с а-осью (рис. 2.1.19). [c.434]

Двойники, у к-рых плоскость двойникования совпадает с плоскостью кристаллической решетки и характеризуется индексами, представляющими собой целые и малые числа, а ось осн. зоны отвечает направлению в решетке, также определяемому целыми и малыми индексами (т. е. плоскость двойникования и ось осн. зоны рациональны), наз. двойниками первого рода. Двойники, у к-рых вторая осн. плоскость параллельна плоскости, определяемой целыми и малыми индексами, а паправление двойникования параллельно рациональному направлению в решетке, наз. двой-виками второго рода. В кристаллах высокой симметрии (кубических и нек-рых гексагональных) двойники не разделяются, поскольку все их [c.317]

В дальнейшем станет ясно, что при использовании монокристаллов графита плоскости двойникования, которые обычно [c.131]

Случай, когда ось двойникования не лежит в плоскости электронограммы (плоскость двойникования не находится в отражающем положении), является более сложным для анализа. В этом случае полезно построить модель обратной решетки, содержащую узлы, образовавшиеся в результате двойникования. Для г.ц.к. решетки при плоскости двойникования pqr) типа (111) узлы от двойника располагаются вдоль направлений [111], проходящих через матрицы они находятся на расстоянии 1/3 периода от узлов матрицы. [c.472]

Таким образом, именно на примере двойникования кальцита впервые было обнаружено тысячекратное расхождение между вычисленной и реальной прочностью кристаллов [25]. Относительный сдвиг кристаллической решетки кальцита в результате двойникования составляет 0,656, однако двойникование при сжатии образца кальцита по Фогту наступает при напряжениях, при которых упругий сдвиг в плоскости двойникования составляет только 10 . Так возникла проблема Фогта. [c.16]

Автором работы [31] изучались процессы образования и дальнейших превращений двойников в кристаллах кальцита и натриевой селитры. Ддя этой це ш из образцов таких кристаллов четырьмя порезами получались прямоугольные призмы, ограненные с двух боковых сторон плоскостями сдвига. Поперечное сечение таких образцов располагалось в плоскости двойникования /С 1. Другая пара боковых граней располагалась перпендикулярно направлению сдвига (рис. 1.3). Образец закрепляли на столике поляризационного микроскопа так, что свет проходил перпендикулярно плоскости сдвига. На этом же столике укрепляли приспособление с толкателем, которым передавалась нагрузка. В поле зрения микроскопа можно было наблюдать прикосновение толкателя к кристаллу и все процессы двойникования (рис. 1,4). [c.17]

После образования упругого двойника или стабильной двойниковой прослойки достаточно приложить напряжение на сдвиг 0,3-0,4 МПа, равномерно распределенное по плоскости двойникования К1 в направлении г 1, чтобы процесс двойникования протекал при комнатной температуре. В работах [11-38] были обоснованы некоторые положения, которые позднее были широко использованы различными авторами, как экспериментаторами, так и теоретиками, [c.19]

При статическом растяжении в жидком азоте до разрушения двойникования в образцах второй партии не обнаружено в тех же условиях в образцах третьей партии на границах зерен, как правило, возникают двойники. При хрупком разрушении в образцах первой и второй партий двойниковые включения не обнаружены, в образцах третьей партии, как правило, двойниковые включения в крупных зернах имеются в больших количествах, преимущественно вблизи контактов с мелкими зернами. Внутри мелких зерен двойниковых включений не обнаружено. По-видимому, в таких зернах невозможно создать неоднородного распределения напряжений. Замечено также, что в тех местах, где трещина или двойниковая прослойка доходит до границы зерен, возникают зародыши двойникования в соседнем зерне даже при значительном угле разориентации плоскостей двойникования смежных зерен. [c.23]

Интересуясь в основном качественными физическими результатами, будем анализировать те ситуации, которые приводят к наиболее простым математическим выражениям, но характеризуются достаточной общностью. Прежде всего предположим, что все дислокации в двойнике являются либо чисто краевыми, либо чисто винтовыми. Тогда вектор Бюргерса рассматриваемых дислокаций будет иметь только одну составляющую 6 = для краевой и, Ь = для винтовой дислокации. Поскольку в какой-то мере свободное перемещение рассматриваемых дислокаций может происходить только в плоскости двойникования, достаточно рассмотреть составляющие интересующих нас сил только вдоль оси J (в дальнейшем проекция силы на ось х будет обозначаться без указания индекса оси). [c.55]

Любопытно отметить, что в том случае, когда все внешние усилия, направленные по оси Z, распределены с одной стороны от плоскости двойникования, F d) = 0. [c.81]

Удалось, изменяя размеры и форму образцов, подобрать их таким образом, что образующиеся двойники состояли из прямолинейных отрезков винтовых или краевых дислокаций (рис. 4,1д, б). На образцах с большой протяженностью вдоль плоскости двойникования удалось образовать и удержать в равновесии двойник, оба конца которого находятся внутри кристалла. Такой двойник можно рассматривать как дислокационное скопление прямолинейных отрезков однотипных дислокаций разных знаков (рис. 4.1 в). При этом положительные и отрицательные дислокации находятся по разные стороны от места их зарождения. Таким [c.90]

В результате движения дислокаций при деформации кристаллитов графита возможно их двойниковавие, наиболее вероятное в крупночешуйчатых графитах [5-11]. Это процесс скачкообразного деления кристаллита плоскостью двойникования на две части, кристаллическая решетка каждой из которых становится зеркальным отражением другой ее части, лежащей по другую сторону от плоскости двойникования (рис. 5-6). [c.239]

На рис. 5.5 изображены шпинельного типа двойниковые кристаллы цеолита X. Ось двойникованпя представляет собой ось 3-го порядка, а плоскость двойникования параллельна октаэдрической грани. Представленные на рис. 5.5 двойники срастания цеолита X совмещаются при повороте вокруг оси 3-го порядка. В поле зрения присутствуют также поликристаллические сферолиты цеолита Р. [c.392]

ДВОИНИКОВАЯ СТРУКТУРА (лат, stru tnra — построение) — структура материала с двойниками — областями кристаллической решетки, закономерно переориентированными относительно исходной (матричной) решетки. Закономерность переориеп-тации состоит в том, что решетка двойника совмещается с исходной кристаллической решеткой либо поворотом вокруг двойниковой оси, либо отражением в двойниковой плоскости, либо той и другой операцией, а следовательно, и инверсией в двойниковом центре. В кристаллографии для описания Д. с. используют четыре осн. характеристики, паз. элементами двойникования плоскость двойникования, направление двойникования, вторую осн. плоскость (второе круговое сечение) и ось осн. зоны (линию пересечения второй осн. плоскости и плоскости сдвига) (рис. на с. 318). [c.317]

Рис. 1.2. Расположение атомов в плоскости сдвига кальцита слева - материнская часть, справа - двойник. Строение границы показано условно ОЕ - плоскость двойникования, ОВ и ОБ - плоскости спайности, ВС и В С - ребра ромбоэдров материнского и сдвойникованного кристаллов, 1 - углерод, 2 - кальций, 3 кислород. Стрелки показывают направления двойникующих усилий

Эпемент двойниковой структуры кристалла (граница раздела двойник — исходная, или матричная решетка с двойникующей дислокацией) — плоскость двойникования — вторая основная плоскость г),— направление двойникования т)2 — линия пересечения второй основной плоскости и плоскости кристаллографического сдвига [c.318]

Простейшим примером двойника в кристалле является дефект упаковки, схематически изображенный на рис. 100. Атомные слои с двух сторон от так называемой плоскости двойникования гОх повернуты друг относительно друга на угол 2а. Сдвойникованная [c.301]

Рис. 1.6. Возникновение упругих двойников под медной призмой (ножом) за-висих от расположения лезвия а - упругае двойники возникают (лезвие расположено в плоскости двойникования), б - двойники получать не удается (лезвие не совмещено с плоскостью двойникования)

Если двойник имеет ограниченные поперечные размеры, то граница двойника на плоскости хОу является некоторой кривой линией (рис. 101), и потому она не может совпадать с кристаллической плоскостью. Граница двойника состоит из отдельных когерентных участков, оканчивающихся двойникующими дислокациями Владимирский К. В., 1947). Вектор Бюргерса двойникующей дислокации (рис. 102) лежит в плоскости двойникования, и последняя одновременно является плоскостью скольжения такой дислокации. Но двойникующий сдвиг всегда меньше сдвига, обеспечивающего скольжение (величина соответствующего вектора Бюргерса меньше межатомного расстояния). Двойникующие дислокации располагаются по контуру двойника, и густота их расположения определяет кривизну контура двойника. [c.302]

Приступая к дислокационному описанию двойника, полезно посмотреть на двойникующую дислокацию с иной точки зрения. Представим себе одноатомную двойниковую прослойку, изображенную на рис. 103. Край этой прослойки является так называемой частичной дислокацией, вектор Бюргерса которой Ь = 2йtga, где а — расстояние между кристаллическими плоскостями в направлении, перпендикулярном плоскости двойникования, а а — угол двойникования. [c.302]

НОГО раствора при 75—80°. Структурные исследования показали, что оси решетки а и 6 лежат соответственно вдоль длинной и короткой диагоналей кристаллов. Молекулы, расположенные параллельно оси с, перпендикулярны граням кристалла, и, следовательно, если иметь в виду высокий молекулярный вес полимера, они должны быть сложены. При более быстрой кристаллизации развиваются дендритные формы, при этом вначале грани (ПО) принимают форму зубьев пилы, а в конце концов форму агрегатов в виде перьев, составленных из множества отдельных чешуек [33], как это показано на рис. 10в. В этих условиях может происходить заметное двой-никование, причем плоскостями двойникования являются плоскости (ПО),, (530) и, возможно, (120) [16, 66]. При еще больших скоростях кристаллизации образуются агрегаты кристаллов в виде сферолитов. Как и в случае линейных парафинов, толщина кристаллов увеличивается путем формирования на гранях (001) террас роста, возникающих - в виде спиральных выступов из изолированных винтовых дислокаций или из группы таких дислокаций. Последовательные слои этих террас имеют одинаковую толщину. Они связаны друг с другом слабо, и каждая молекула должна поэтому укладываться в пределах одного слоя, перегибаясь туда и обратно [86[. [c.431]

Необходимо сразу же подчеркнуть важность сдвоенных структур, поскольку о них часто упоминается в специальных работах. Вопрос двойникования в графите интенсивно изучался [38—43] и теперь достаточно ясен. Считают [42], что двойнико-вание может иметь место в исходном кристалле графита под углом 2048 к направлению (1010) и лежать в плоскости 1121). С химической точки зрения это означает, что двойникование происходит под углом 20°48 относительно оси базисной плоскости кристалла и вдоль связей — С—С—, как показано на рис. 76, а. На рис. 76, б черными линиями выделены направления, по которым происходит пересечение плоскостей двойникования 1121 с базисной плоскостью ООО/ , и ясно видно, что гексагональные ямки, параллельные полосам двойникования (которые в свою очередь параллельны друг другу или пересекаются под углом 60°), имеют на гранях атомы углерода в конфигурации кресла. В перпендикулярных ямках атомы углерода на гранях располагаются в конфигурацию зигзаг , или [c.129]

Бор отличается высокой хрупкостью при низких температурах в пластичное состояние переходит лишь при 2007 К, а начинает пластически деформироваться при 1797 С. Плоскость двойникования в Р-боре (10I1). Для получения изделий из бора применяют горячее нли холодное прессование с последующим спеканием. Довольно широко применяются такие технологические операции с бором, как плавка и нанесение на подложку. [c.155]

Двойникование кристаллов — явление, заключающееся в образовании в твердом теле двух кристаллических структур с различной ориента-Щ1ей, связанных определенным преобразованием симметрии отражением в некоторой кристаллографической плоскости (плоскости двойникования), поворотом вокруг определенной кристаллографической оси (оси двойникования), инверсией относительно точки (соответственно двойники отражения, аксиальные двойники, двойники инверсии). В одном и том же кристалле могут реализоваться несколько типов двойникования, различающихся плоскостями или осями двойникования (законами двойникования). [c.13]

Процесс превращения некоторой структуры в двойниковую тасто сопровождается изменением формы кристаллического образца. Двойникование с изменением формы можно рассматривать как простой сдвиг. При этом шаровая область превращается в эллипсоидальную. Атомы двойника смещаются пропорционально расстоянию от плоскости двойникования их направление смещения называют направлением двойникования (рис. 1.1), Атомная структура двойника отражения в кальците показана на рис. 1,2. [c.13]

Рис. 1.3. Образец кальцита для испытания на сдвиг в плоскости двойникования АВСВ -плоскость сдвига, ВС и ОА - направления сдвига. Поперечное сечение образца совмещено с плоскостью двойникования ПК, А, I, В, J, С, О, К - вершины ромбоэдра спайности

Сосредоточенные нагрузки могут появиться в некоторых местах контакта кристаллических зерен металлов и сплавов. В таких местах при деформации поликристаллического образца могут возникать упругие двойники, а затем и пластинчатые включения. Такое явление наблюдается только в образцах с сравнительно небольшой площадью сечения плоскостью двойникования Кх. Качественно можно утверждать, что площадь боковой поверхности упругого двойника перед потерей устойчивости мало отличается от указанной площади сечения образца. При больших значениях этой площади превращения упругого двойника в остаточный получить невозможно, так как для этого необходимо сильно увеличить значение нагрузкиР, V [c.26]

В случае тонкого двойника среднее расстояние между дислокациями вдоль длины "двойника порядка 1 мкм. Таким образом, это расстояние примерно в 10 000 раз превышает межатомное расстояние, которое разделяет плоскости скольжения соседних двойникующих дислокаций. Очевидно, что среднее расстояние между дислокациями, выраженное в межатомных расстояниях, определяет порядок величины отношения длины двойника к его толщине, т.е. отношение Ь/к. Поэтому, в основном, по малому параметру к/Ь приближения все дислокации можно считать расположёнными в одной плоскости (плоскости двойникования) [82]. На рис. 3.5 условно изображен ряд дислокаций, соответствующих двойнику длиной Ь. Прямую линию, вдоль которой расположены дислокации и которая является следом плоскости двойникования, обычно называют линией двойникования. [c.53]

Естественно, представленный на рис, 3.6в контур двойника, а также буквальная формулировка утверждения, на основании которого он построен, должны пониматься условно. Предлагаемая теория тонких двойников исходит из предположения, что среднее расстояние между соседними дислокациями значительно больше модуля вектора Бюргерса (6р(х) <. 1). Формально это предположение нарушаетя в непосредственной окрестности стопора, и последовательное рассмотрение задачи должно основываться на анализе равновесия дискретного ряда дислокаций, расположенных в параллельных плоскостях двойникования. Однако при большом числе дислокаций в скоплении распределение практически всех дислокаций (за исключением нескольких дислокаций у самого стопора) мало отличается от того, которое следует из континуального рассмотрения. [c.60]

То обстоятельство, что расстояние между плоскостями скольжения соседних дислокщий конечно, имеет большое значение при встрече двойника со стопором, размеры которого в перпендикулярном плоскости двойникования направлении це елики. В этом случае с ростом внешней нагрузки толщина двойника h может превзойти величину после чего двойникующие дислокаций смогут пройти над стоиорся . Процесс огибания двойником стопора конечных размеров экспериментально наблюдался в работе [ 182]. [c.61]

Несколько иная ситуация с устойчивостью двойника, образованного винтовыми даслокациями, должна возникать в том специальном случае, когда плоскость двойникования строго параллельна поверхностям бесконечно протяженной пластины. Оказывается [178], что при такой ориентации плоскости двойникования отсутствует критическая длина двойника, однако остается критическая нагрузка Р , при подходе к которой двойник непрерьшным образом увеличивает свою длину, стремящуюся к бесконечности при Р->-Р . [c.83]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология