Граница двойниковая некогерентная

Выделяют двойниковые границы когерентные и некогерентные. Когерентной граница называется в том случае, если соприкасающиеся решетки двух индивидов двойника обладают общим атомным слоем в противном случае границы некогерентные (рис. 1-4). В случае некогерентной границы вдоль нее имеется деформированная область приспособления . Граница между индивидами двойников роста может представлять собой индукционную поверхность, и вдоль нее могут располагаться включения раствора (например, у двойников винной кислоты). [c.10]

Рис. 9.3. Схема полидоменного кристалла ромбической фазы УВа СЫзО, (498] КГ - когерентная двойниковая граница, НКГ - некогерентная, 1-1У - двойниковые домены

Источником слоев роста, помимо отдельных дислокаций и их групп, могут служить и двумерные дефекты — сетки дислокаций вдоль границ макроблоков и залеченных трещин (рис. 1-19), а также двойниковые швы. Последние заслуживают несколько более подробного рассмотрения. Давно известно, что двойники, у которых между индивидами имеется входящий угол, растут значительно быстрее монокристаллов. Объясняют это явление более легким присоединением частиц во входящем углу двойника. В этом случае двойниковый шов должен служить линейным источником слоев роста. Однако при росте двойников винной кислоты из водного раствора мы наблюдали распространение слоев роста из двух-трех точечных источников, расположенных на двойниковом шве. Об аналогичном расположении центров роста на двойниках природного флюорита сообщал Ф. К. Франк [1950]. Таким образом, по крайней мере в некоторых случаях слои генерируются дислокациями, лежащими в плоскости двойниковой границы (по-види-мому, это имеет место для некогерентных границ). [c.34]

На слюде можно получить довольно совершенные монокристаллические эпитаксиальные пленки ряда металлов. Например, серебро, напыленное и отожженное при повышенных температурах, образует монокристаллические пленки с ориентацией [111]. Если пленки напылены при 570—670 и отожжены при 720— 920 К, образцы свободны от таких дефектов, как границы зерен и границы некогерентных двойников, хотя все-таки содержат по 10 —10 мм-2 дислокаций и по 40—300 мм дефектов упаковки и границ когерентных двойников [41]. В пленках, полученных при несколько более низких температурах, наблюдаются параллельные подложке двойниковые кристаллиты, некогерентные границы которых разрезают поверхность, образуя углубления и небольшие участки с ориентацией, отличающейся от идеальной [96]. Однако те переходные металлы, которые имеют наибольшее значение для катализа, в виде монокристаллических пленок на слюде не применяют, по-видимому, из-за ограниченной термостойкости стеклянной аппаратуры. Переходные металлы с г.ц.к. структурой, напыленные на слюду при 620—670 К в условиях высокого или сверхвысокого вакуума, образуют поликристалли-ческие пленки, в которых каждый кристаллит ориентирован осью < 111 > перпендикулярно поверхности подложки, но все кристаллиты разупорядочены в отношении поворота вокруг зтой оси [97]. Характерные данные электронно-микроскопического исследования поликристаллической пленки платины представлены [c.146]

Если мы по аналогии с когерентной двойниковой границей рассмотрим изменение энергии атомов по мере удаления от некогерентной двойниковой границы (рис.. 2.13), т.е. границы, содержащей двойниковую дислокацию, то увидим, что убьшание происходит гораздо медленнее. Дополнительный вклад в энергию некогерентной двойниковой границы по сравнению с когерентной дают упругие поля двойникующих дислокаций. Используя результаты [82, 84], запищем отнощение энергии макроскопических упругих полей дислокации на границе 7гр (.Ф) и энергии [c.45]

Во-вторых, реальная (некогерентная) двойниковая граница содержит обычно плоские скопления двойникующих дислокаций. Но, как известно, вблизи ядра дислокации возникают сильные упругие поля, которые в принципе могут сместить в окрестности дислокации, если эти поля окажутся существенными в макроскопических объемах [485]. Поэтому вблизи двойниковой границы с большой плотностью дислокащ1й может появиться слой достаточно большой толщины, в котором нарушения структуры кристалла обеспечат смещение Г - В работе [486] сделана оценка толщины сверхпроводящего слоя она дала величину порядка 10" см. Заметим, что при линейной плотности дислокаций 10 см" толщина области неко-герентности двойниковой границы также имеет порядок величины iO" см. [c.237]

Наиболее убедительные свидетельства в пользу большой роли степени некогерентности двойниковых границ (т.е. плотности на них двойникуюших дислокаций) в сверхпроводимости двойниковых границ получены в экспериментах [537]. Для оценки плотности дислокаций на границе двойника использовался угол а при вершине клиновидного двойника. Можно показать (подробнее см. 3.1), что угол интегральным образом связан [c.237]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология