Нуклеация поверхностная двумерная

Заметим, что прорыв пленки отличается от других процессов нуклеации тем, что пересыщение системы, т.е. растягивающее натяжение а, не может меняться в столь широких пределах, как, скажем, в случае конденсации пара и вскипания жидкости. Натяжение бимолекулярной пленки (если исключить случай, когда пленка не сообщается с объемом раствора, как, например, пленка свободного мыльного пузыря в воздухе) не может значительно отличаться от ее нормального натяжения, примерно равного удвоенному поверхностному натяжению раствора, из которого образована пленка. В то же время устойчивость пленки значительно сильнее зависит от ее натяжения, чем от двумерной вязкости. Но еще сильнее она зависит от линейного натяжения у, что открывает новые возможности для точного измерения у, основанного на знании выражения (ХП.27) для вероятности прорыва, в котором известны как экспонента, так и предэкспонента. [c.182]

Следовательно, в любом реальном процессе кристаллизации при поверхностной нуклеации такого типа для образования устойчивого кристаллита продольные размеры ( ) должны превышать критическую величину Сг. Этим двумерная нуклеация отличается от трехмерной, где устойчивость может быть достигнута без превышения [c.242]

Гетерогенную нуклеацию ионного осадка можно рассматривать как последовательный процесс [29], состоящий из диффузии ионов или ионных пар к поверхности и их адсорбции и поверхностной диффузии с образованием двумерного сгустка (кластера) или островка. Образующийся при этом критический центр кристаллизации состоит, по-видимому, из сравнительно небольшого числа ионов [19]. Если параметры кристаллической решетки затравки и вещества, находящегося в пересыщенном растворе, близки, то энергетический барьер нуклеации понижается, и наступают благоприятные условия для образования центров кристаллизации. Так, вода в присутствии порошкообразного иодида серебра может быть переохлаждена всего на 2,5 °С, тогда как в присутствии порошкообразного тефлона она может быть переохлаждена по меньшей мере на 16 °С. Параметры кристаллической решетки иодида серебра и воды близко соизмеримы. Если некоторые из атомов иода в иоди-де серебра замещаются атомами брома, несовпадение параметров решетки со льдом еще меньше, и переохлаждение воды тоже меньше [30]. [c.164]

Двумерная поверхностная нуклеация. Еще в 1878 г. Гиббс [41] предположил, что рост кристалла происходит посредством образования на кристаллической грани центров кристаллизации в виде однослойных островков, которые затем быстро растут до границ грани. Фольмер [42], Коссель [43] и Странский [44] вывели теоретические уравнения для скорости роста, исходя из двумерного механизма образования центров кристаллизации. Для такого образования центров кристаллизации необходимо наличие критической степени пересыщения процесс образования центров кристаллизации при этом повторяется для каждого нового слоя кристаллов. Следовательно, такой механизм роста кристаллов имеет место лишь в том случае, когда концентрация превысит некоторый определенный критический уровень пересыщения, при низких значениях пересыщения он невозможен. Так, Фольмер и Шульц [45] показали, что кристаллы нафталина, ртути и фосфора могут быть выращены из пара при пересыщении всего в 1%. Если механизмом роста было двумерное образование центров кристаллизации, то при таком пересыщении рост происходил бы только за счет атомов, попадающих на плоскую поверхность в соответствующее положение благодаря термическому возбуждению, и скорость роста должна быть в 10 ° ° ниже [46], чем наблюдаемая в действительности Как было показано, при низких значениях пересыщения рост может происходить за счет винтовой дислокации. [c.169]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология