Гиббса—Вульфа метод

Метод Гиббса — Вульфа. ....... [c.8]

МЕТОД ГИББСА —ВУЛЬФА [c.319]

Термодинамические методы позволяют исследовать такие состояния системы, которые отвечают экстремумам ее свободной энергии. Если, как в теории кристаллов Гиббса—Кюри—Вульфа [4] не учитьюать реберной энергии кристаДло В, то окажется, что все формы огранения кристалла, кроме одной, — идеальной — являются абсолютно неустойчивыми, так ка.к в этом случае минимум Ъ является единственным. [c.110]

Вычисленные энергии осаждения для различных граней кристалла дают возможность указать его равновесную форму. Под этим понимают такую форму кристалла, которая находится в равновесии с окружающей гомогенной фазой, например с паром. Такое определение означает, что все грани равновесной формы обладают одинаковой упругостью пара. Поэтому для каждой грани существует одинаковая вероятность осаждения и отделения частиц вследствие этого все грани имеют также и одинаковый потенциал. Важнейшими методами определения равновесной формы являются термодинамический метод Гиббса и Вульфа и молекулярно-кинетический метод Странского и Каишева. [c.319]

Существует ряд теорий роста кристаллов (И. В. Гиббс, Ю. В. Вульф, X. Брандес, В. Коссель и И. Н. Странский) и многочисленные методы выращивания кристаллов из растворов, расплавов, газовой фазы с помощью перекристаллизации твердой фазы, а также методом электролитического осаждения металлов. [c.12]

Гиббс в 1878 г. [9] показал, что форма маленького кристалла, находящегося в равновесии с раствором, должна удовлетворять условию минимума где 01 — удельная межфаз-ная поверхностная энергия грани г (поверхностная энергия на единичную площадь грани), А — площадь этой грани. Если рост (или растворение) осуществляются в сильно неравновесных условиях, форма кристалла также будет отличаться от равновесной. Удельную межфаэную поверхностную энергию иногда называют капиллярной постоянной, а чаще межфазным поверхностным натяжением. Вульф предложил простой метод изображения зависимости ст в кристалле от направления. На фиг. 3.5 изображена так называемая диаграмма Вульфа для гипотетического кристалла. Она дает в полярных координатах главное сечение приблизительно сферической поверхности, изображающей полную зависимость свободной поверхностной энергии от направления. Расстояние от центра пропорционально энергии 0 в данном направлении. Если в каждой точке диа- [c.100]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология