Кристаллографические системы сингонии ромбическая

Поэтому предпочтительно не обсуждать этот вопрос, а оговорить способ проведения кристаллографических координатных осей для решеток каждой сингонии по отдельности. Соответствующие требования сформулированы в табл. 2 в колонке Выбор осей . Так, например, в пространственных группах, относящихся к ромбической сингонии, всегда содержащих взаимно перпендикулярные поворотные, винтовые или инверсионные оси второго порядка, координатные оси направляются параллельно этим элементам симметрии. Следовательно, в группах ромбической сингонии кристаллографическая координатная система всегда ортогональна. То же относится, естественно, и к группам с более высокой симметрией — средней и высшей категории. Наоборот, в группах моноклинной сингонии ось симметрии 2, 2ь или 2 (т. е. т) фиксирует направление только одной из кристаллографических осей. Две другие располагаются в узловой сетке решетки, перпендикулярной оси симметрии (параллельной плоскости симметрии). Выбор узловых рядов этой сетки, принимаемых за координатные оси, вообще говоря, неоднозначен. Требуется лишь, чтобы наименьшие трансляции вдоль этих рядов образовали пустой параллелограмм (параллелограмм, в площади которого нет дополнительных узлов). [c.29]

Для описания физических свойств кристаллов пользуются правой прямоугольной системой координат. Для кубической, тетрагональной и ромбической сингоний оси этой кристаллофизической системы координат Х , Х2, совпадают с кристаллографическими X, У, Z, для остальных сингоний кристаллофизические оси ориентированы относительно кристаллографических по правилам стандартной установки (см. табл. 26 и 27). [c.188]

Кристаллы были распределены по системам (сингониям) еще до того, как была исследована их структура. В основу такого деления положена форма примитивного четырехгранника, образованного четырьмя не параллельными друг другу гранями кристалла (рис. 2.3). Выбор основного четырехгранника заключается в выделении трех наиболее развитых граней, не пересекающихся по параллельным ребрам. Пересечение этих граней выделяет три прямые X, Y, Z, называемые кристаллографическими осями. Каждая из них имеет положительный (-f) и отрицательный (—) концы. Четвертая грань, замыкающая четырехгранник, — единичная грань. Она пересекает ось X в точке Я, отсекая отрезок ОЯ = а, ось У в точке К (ОК = Ь) и ось Z в точке L OL = ). Отнощение отрезков а Ь с, отсекаемых единичной гранью на кристаллографических осях, называется отношением осей. Основные четырехгранники кристаллов триклинной сингонии отличаются углами а, Р, у и отноще-нием осей а Ь с. Все ромбические кристаллы имеют а=р=у=90° и в зависимости от вещества различную величину отнощения осей. У кубических кристаллов независимо от вещества одинаковая форма основного четырехгранника (а = Ь = с, а = = у — 90°). [c.36]

Поэтому предпочтительно не обсуждать этот вопрос, а оговорить способ проведения кристаллографических координатных осей для решеток каждой сингонии по отдельности. Соответствующие требования сформулированы в табл. 2 в колонке Выбор осей . Так, например, в пространственных группах, относящихся к ромбической сингонии, всегда содержащих взаимно перпендикулярные поворотные, винтовые или инверсионные оси второго порядка, координатные оси направляются парал-тельно этим элементам симметрии. Следовательно, в группах ромбической сингонии кристаллографическая координатная система всегда ортогональна. То же относится, естественно, и к группам с более высокой симметрии— средней и высшей категории. Наоборот, в группах моноклинной сингонии ось симметрии 2, 2] или [c.30]

В высшей и средней категориях и в ромбической сингонии ориентировка характеристической поверхности полностью задается кристаллографической системой координат. Значительно сложнее обстоит дело с моноклинной и триклинной сингопиями, где главные оси характеристической поверхности могут и не совпадать с кристаллографической системой координат. [c.213]

В зависимости от внешней формы и строения кристаллы делятся иа кристаллографические системы, или сингонии (син — сходный, гония — угол) Всего существует семь кристаллографических систем которые сгруппированы по набору элементов симметрии в три категории выс-шую, среднюю и низшзто К высшей категории относится только кубическая система Кристаллы, входящие в нее, в наборе элементов симметрии имеют несколько осей симметрии высшего порядка (п>2) К средней категории относятся уже три системы — тригональная (ромбоэдрическая), тетрагональная и гексагональная Кристаллы этих систем имеют лишь по одной оси симметрии высшего порядка К низшей категории относятся оставшиеся три системы— триклинная. моноклинная и ромбическая Кристаллы этих систем не имеют ни одной оси симметрии высшего порядка [c.236]

Тип кристаллографической системы в некоторой степени определяется сложностью строения вещества. С упрощением состава вещества обычно повышается симметрия его кристаллов. Так, наиболее простыми являются химические элементы, которые в большинстве случаев кристаллизуются в кубической или гексагональной сингониях. В таких же системах кристаллизуются и простые неорганические соединения. Например, кристаллы Na l, K l, КВг, KJ, NaF относятся к кубической сингонии. По мере усложнения химического состава все реже встречаются примеры кристаллов высокой симметрии, и преобладающими становятся ромбическая и моноклинная системы. [c.23]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология