Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Грань единичная

Рис. 70- Иллюстрация к определению тензора деформации а) и распределение напряжения на гранях единичного куба (б) в однородно напряженном поле Рис. 70- Иллюстрация к <a href="/info/671946">определению тензора</a> деформации а) и <a href="/info/300610">распределение напряжения</a> на гранях единичного куба (б) в <a href="/info/742592">однородно напряженном</a> поле

    Разумеется, частицы, из которых состоят кристаллы,— атомы, ионы или молекулы, не являются кубиками или параллелепипедами. Однако, как мы увидим ниже, они располагаются в кристаллах в правильном порядке, образуя кристаллическую решетку, которая состоит из элементарных ячеек, имеющих форму параллелепипедов. На законе целых чисел основана система обозначений граней кристаллов. Для каждой грани пишут набор обратных значений длин отрезков, отсекаемых ею на осях х, у и г. Длины выражают относительными величинами, соответствующими отрезками, отсекаемыми на соответствующих осях одной из граней (единичной гранью). Такие обозначения называют индексами Миллера. На р 1С. 1.74 показаны индексы Миллера для граней кубических и [c.138]

    Обозначим три оси координат индексами 1, 2, 3. Нормально к граням кубика приложены растягивающие (или сжимающие) силы р, Pi, pz (рис. III. 4). В деформированном состоянии площади граней единичного кубика обозначим si, S2, S3, а в недеформированном So. Нормаль и направлена от поверхности наружу. Если внешние силы р,- направлены по нормали (силы растяжения), то они считаются положительными. [c.113]

    На законе целых чисел основана удобная система обозначений граней кристаллов. Для каждой грани пишут набор обратных длин отрезков, отсекаемых ею на осях х,уяг. Длины выражают в относительных единицах, равных отрезкам, отсекаемым на соответствующих осях одной из граней (единичной гранью). Такие обозначения называют индексами [c.245]

    Если напряжение во всем теле однородно, объемные силы и объемные моменты отсутствуют, все части тела находятся в статистическом равновесии, то силу, приложенную к каждой грани единичного куба (см. рис. 70, б), можно разложить на три компоненты. Так как напряжение однородно, силы, действующие на куб через три заданные грани, должны быть равны и противоположны силам, действующим на остальные три грани куба (на рис. 70, б они не показаны). Здесь Стц, 022> < 33 — нормальные компоненты напряжения, а о д з- < 21> 023 и т. Д. — сдвиговые (касательные) компоненты. Перечисленные компоненты образуют тензор второго ранга Стг , называемый тензором напряжений. Так как напряжение однородно, то 0, = О/ц-, т. е. тензор напряжений симметричен. [c.161]

    На рис. 1.3 представлена схема различных сдвиговых деформаций, возникающих при действии касательных напряжений и широко распространенных при переработке эластомеров и их реологических испытаниях. Сдвиговые деформации обычно не являются чистыми (см. рис. 1.3, а) в том смысле, что они сопровождаются вращением элементов объема [22]. Деформация чистого однородного сдвига приводит к такому же превращению круга, нанесенного на боковую грань единичного куба, в эллипс как и при простом сдвиге, но без его поворота (рис. 1.3,6). При [c.12]


    Удельное объемное электрическое сопротивление — это сопротивление между электродами, приложенными к противоположным граням единичного куба с размером стороны 1м — выражается в Ом-м. Значение р , для пластмасс изменяется в очень широких пре- [c.153]

    Морфология и число зародышей особенно сильно зависят от кристаллографической ориентации металлического подслоя, тогда как их ориентация в одной и той же кристаллографической плоскости остается неизменной. На железе, например, для плоскостей (100), (ПО) и (111) при 850° С и давлении кислорода 10 2 мм рт. ст. числа зародышей соответственно составляли 10 , 10 и 10 на каждый квадратный миллиметр [292]. По-видимому, ион кислорода располагается в центре грани единичного куба, что соответствует его положению в решетке FeO. Тогда максимальная плотность наличных мест приходится на плоскость (100), на которой действительно и наблюдалось максимальное число зародышей. [c.87]

    Импульсная методика позволяет также найти величины коэффициентов прилипания из зависимости высоты пика от частоты импульсов, поскольку последняя определяет, покроется ли острие адсорбатом снова или нет. Изменение высоты пика с давлением дает возможность определить количества веществ, соответствующие изотермам адсорбции, без помех со стороны стационарных полей. Поскольку спектрометр контролирует только маленький участок грани единичного кристалла, можно варьировать ориентацию острия и таким образом изучать анизотропию свойств металлического кристалла. Такого рода исследования проводятся в настоящее время. [c.143]

    Для нахождения осевых единиц кристалла одну из граней кристалла, которая пересекает все три оси координат, принимают за единичную грань. Единичной гранью называется грань, пересекающая оси на расстоянии одной осевой единицы от центра. Грань ЛВС на рис. 1.31 является единичной. [c.58]

    Для нахождения осевых единиц кристалла одну из граней кристалла, которая пересекает все три оси координат, принимают за единичную грань. Единичной гранью называется грань, пересекаю- [c.65]

    Удельным объемным электрическим сопротивлением ру называют сопротивление между электродами, приложенными к противоположным граням единичного куба из испытываемой пластмассы. Диэлектрические свойства полимеров, построенных из атомов углерода и водорода, кислородсодержащих и элементоорганических позволяют использовать их в качестве изоляторов. К числу таких полимеров относятся, например, следующие  [c.85]

    Так как имеется всего три критерия, то долядаы рассматриваться грани размерности 3-1 = 2 и грани единичной размерности (т. е. ребра). Чтобы установить, какие же из эффективных базисных решений принадлежат соответствующим граням размерности 2 и 1, сначала определяется принадлежность эффективных базисных решений граням размерности и - 1 = 5 - 1 = 4, далее граням размерности и — 2=3, и только после этого определяются грани нужной размерности. [c.76]

    Удельное объемное электрическое сопротивление Ру — сопротивление между электродами, приложенными к противоположным граням единичного куба данного вещества выражается в системе СИ в ом-м илл в кратных и дольных от этой единицы — Том м, Гом м, ом-см и др.). Значение ру определяется наличием в полимере заряженных частиц и их подвижностью. При внесении полимера в постоянное поле ру увеличивается во времени вследствие поляризационных процессов (см. Диэлектрическая проницаемость). После установления стационарной поляризации образец характеризуется остаточным (т. е. не зависящим от времени) значением ру, к-рое определяется количеством свободных заряженных частиц в единице объема, строением полимера и темп-рой. Грубую оценку остаточного ру часто производят по значению силы тока, измеренной спустя 10 мин после подачи напряжения на образец. Значения ру 1Том-м ом-см) стеклообразных полимеров при 20 °С приведены ниже  [c.369]

    При деформапии кристалла возникают силы упругости, стремящиеся восстановить начальную конфигурапию. В результате твердом теле появляются механические напряжения, которые определяют как силы, действующие на единичные площадки внутри кристалла. В твердых телах возможны как нормальные (сила действует перпендикулярно на единичную площадку), так и сдвиговые, или тан-генпиальные, напряжения (действующая сила лежит в плоскости единичной площадки). Для анизотропного твердого тела следует различать 9 компонент тензора напряжений aiJ. На рис. 6.5 показан элементарный объем в виде куба с гранями единичной площади и компонентами напряжений. Приняты обозначения первый индекс соответствует координатной оси, вдоль которой направлена сила, второй индекс — оси, задающей ориентапию единичной площадки, к которой приложена сила. Например, величина стц обозначает компоненту силы, действующую вдоль оси Хх на единичную площадку, перпендикулярную этой оси, величина (Т12 — компоненту силы. [c.122]


Смотреть страницы где упоминается термин Грань единичная: [c.144]    [c.372]    [c.110]    [c.256]   
Кристаллохимия (1971) -- [ c.45 ]

Кристаллохимия Издание 2 (1960) -- [ c.53 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.65 , c.66 ]

Структуры неорганических веществ (1950) -- [ c.84 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Гранит

Граны



© 2024 chem21.info Реклама на сайте