Системы кристаллографические

Рис. 83. Система кристаллографических осей

Матрицу преобразования можно выразить через углы между осями X, у, Z и главными осями радикала х, у, z. Это дает возможность определить ориентацию радикала в системе кристаллографических осей. [c.60]

Система кристаллографических обозначений, предложенная академиком А. В. Шубниковым (1887—1970) и применявшаяся во многих советских книгах и журналах, имеет внутреннюю логику, подобную международной системе, но немного отличается от нее по обозначениям. [c.51]

Очевидно, что структура вещества отличается от пространственной решётки, т. е. от образованной трансляцией бесконечной системы кристаллографических точек, по меньшей мере следующими особенностями [c.145]

Если максимумы плотности не обладают сферической симметрией или если система кристаллографических осей структуры неортогональна, то поправки к трем координатам х, у тл г атома будут взаимосвязаны друг с другом. Рис. 163 а и б иллюстрируют эту связь. Истинное положение [c.552]

При заданной величине ст вероятность развития скольжения выше для тех преимущественных систем скольжения, где фактор ориентации os 0 os ф имеет наибольшее значение. Следовательно, величина растягивающего напряжения, нeoбxo l,имoгo для обеспечения скольжения в различно ориентированных зернах поликристалла, различна в зависимости от кристаллографической ориентации зерна относительно оси образца, и поэтому при а = = onst в разных зернах скольжение будет развиваться по различным системам кристаллографических плоскостей (преимущественно вдоль базисных плотноупакованных), а в отдельных неблагоприятно ориентированных зернах может вообще не развиваться. С этим связана неравномерность распределения деформационного микрорельефа на поверхности поликристаллического материала, особенно при относительно небольших степенях деформации, когда скольжение развивается в ограниченной системе плоскостей, расположенных под различными углами к поверхности зерен. Увеличение степени деформации способствует более равномерному распределению микрорельефа между различными зернами как вследствие вовлечения новых систем скольжения, ранее не действовавших из-за неблагоприятной ориентировки и недостаточности стартового напряжения, так и вследствие фрагментации зерен. При этом значительно проявляется рельеф границ зерен, связанный с линейными смещениями и разориентировкой границ. [c.174]

На фото 34 приведена типичная электронная микрофотография кристалла С100Н202, иллюстрирующая спиральный рост, вызванный винтовой дислокацией. Кристаллы этих парафинов относятся к орторомбической системе. Кристаллографические оси а я Ь расположены в плоскости, параллельной большей плоскости кристалла, которой он ориентирован на подложке, ось с перпендикулярна к плоскости подложки. Высота ступенек была определена по длине отбрасываемой ими тени и, нанример, для кристаллов н. нонатрпаконтана для нее было получено значение 45+10 А [10]. Так как длина оси с элементарной ячейки, согласно рентгенографическим данным, равна 51,3 А, что соответствует длине одно11 молекулы, то можно считать, что ступеньки роста представляют собой мономо.яеку-лярные слои, где молекулы располагаются вертикально по отношению к подложке, наподобие частокола. [c.169]

Вторая часть настоящего издания и посвящена теоретическому нахождению всех возможных типов каталитических реакций, в ней подробно изложен метод нахождения полной системы наиболее часто встречающихся дублетных реакций, играющей ту же роль, что и полная система кристаллографических форм Федо рова. Подавляющее большинство известных каталитических и ферментативных реакций укладывается в эту систему. Вместе с тем остается чрезвычайно большое число еще не осуществленных реакций, предсказанных теорией, которые и предстоит открыть. Таким об(разом, классификация, найденная яа основе мультиплетной теории, дает указания экспериментатору для поиска новых реакций. [c.6]

Применение описанной системы кристаллографических обозначегшй чрезвычайно удобно для различных расчетов, связанных с геометрией кристаллической решетки. Это преимущество особенно отчетливо проявляется, как вы уже заметили, в случае кубических систем, так как оси х, у г прямоугольной системы координат совпадают с кристаллографическими направлениями (100), а единичные отрезки по всем трем осям одинаковы. [c.62]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология