Фотоэлемент основные параметры

Приборы фотоэлектрические. Фотоэлементы. Основные параметры ГОСТ 17485—72. [c.218]

Основным параметром приемника, определяющим эту возможность, является, как указывалось ранее, эквивалентный квантовый выход. У фотоэлектрических приемников е составляет обычно несколько процентов (максимально— до 10%, в редких случаях — до 30%), причем у фотоэлементов е, как правило, больше, чем у фотоумножителей. Однако в современных фотоэлектрических [c.61]

Ниже приведены основные параметры цезиевых фотоэлементов [c.497]

Основные параметры сурьмяно-цезиевых фотоэлементов [c.497]

Недостатком этих фотоэлементов является их утомляемость выражающаяся в уменьшении чувствительности при длительной работе. Основные параметры фотоэлементов приведены в табл. XIV.1. [c.436]

Таблица XIV. 1. Основные параметры вакуумных фотоэлементов

Полупроводники типа А В с точки зрения этих основных параметров представляют большой интерес как материалы для выпрямителей, усилителей, фотоэлементов, датчиков ЭДС Холла и т. п. Некоторые соединения типа также находят применение в радиоэлектронике. Однако свойства веществ этих групп, возможно, могут быть использованы и в других областях применения, где до сих пор использовались вещества, не относящиеся к группе алмазоподобных полупроводников. Так, например, появились сведения о возможности использования не.-которых соединений типа Л В в термоэлектрических генераторах [116]. Особенно перспективны в этой области многокомпонентные твердые растворы замещения, в которых может быть получена малая величина теплопроводности вместе с высокими электропроводностью и термоэлектродвижущей силой [117]. [c.83]

В большинстве турбидиметрических титраторов старой конструкции применяли фотоэлементы с запирающим слоем [2, 5—7, 47]. Можно просто соединить такой детектор сразу с отсчетным, или регистрирующим, гальванометром без промежуточного усилителя. В связи с хорошо известной зависимостью параметров такого фотоэлемента от температуры и срока службы точность отсчета, получаемая таким способом, довольно ограниченна. По сравнению с фотоэлементами с запирающим слоем вакуумные фотоэлементы [14, 15] обнаруживают гораздо более высокую стабильность в работе. Если вакуумный фотоэлемент применяется непосредственно для регистрации интенсивности светового пучка, то необходимо стабилизировать подаваемое на катод фотоэлемента напряжение. Подобную стабилизацию следует одновременно осуществлять и по анодному напряжению усилительных ламп с помощью феррорезонансного стабилизатора и ламп тлеющего разряда. В течение больших промежутков времени усилители постоянного тока работают крайне нестабильно, поэтому желательно пользоваться источником света на переменном токе и резонансным усилителем. К тому же можно резко снизить влияние поверхностных токов утечки. Работающие на переменном токе ртутные лампы обнаруживают сильные периодические изменения интенсивности света с удвоенной частотой. Если эту частоту использовать в качестве резонансной частоты усилителя [21], то отпадает необходимость в дополнительной модуляции светового потока. Все же преимущество выбора резонансной частоты, не являющейся целым кратным от основной частоты, заключается в том, что не будут усиливаться любые броски напряжения в источнике питания или посторонний сигнал, обусловленный паразитным светом. Подобную модуляцию светового потока можно осуществить с помощью вращающегося диска с прорезями, приводимого в движение синхронным мотором [19, 20]. [c.180]

Основные параметры ряда фотоэлементов приведены в ра ботах [19—30]. Для регистрации хемилюминесценции люминола предпочтительней применять фотоэлектронные умножи тели, фоторезисторы и тонкопленочные селенисто-кадмиевые фотоэлементы. [c.278]

Для того чтобы лучше понять принцип действия полупроводниковых фотоэлементов, вернемся к оиисанию механизмов дырочной и электронной проводимостей. Полупроводниковый материал, электрическая проводимость которого меняется при изменении освещенности, называют фотосопротивлением. Изменение электропроводности сопротивления связано с изменением концентрации носителей под воздействием освещения. Ранее всех из фотосопротивлений были изучены селеновые, которые однако не следует путать с современными фотосопротивлениями с внутренним фотоэффектом, содержащими селен. В настоящее время фотосопротивления изготавливаются в основном из таких материалов, как сульфиды и селениды кадмия и свинца. Темновое сопротивление типичного полупроводникового фотосопротивления составляет порядка нескольких тысяч мегом, тогда как ири среднем уровне освещенности оно не превышает нескольких тысяч ом. В табл. 22.1. приведены параметры фотоэлектрических приборов различных типов. [c.298]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология