лея с внутренним фотоэффектом

Существуют внутренний и внешний фотоэффекты. Внутренний фотоэффект сопровождается изменением или подвижности, или концентрации носителей заряда в диэлектриках и полупроводниках и положен в основу действия вентильных фотоэлементов и фотосопротивлений. Внешний фотоэффект сопровождается эмиссией электронов с поверхности материала, из которого изготовлен фотокатод фотоэлемента. Приложение напряжения и облучение фотокатода вызывает появление в цепи тока, который прямо пропорционален интенсивности света при определенных ее значениях. Характеристики некоторых типов фотоэлементов приведены в табл. И. [c.145]

Действие фотосопротивлений основано на внутреннем фотоэффекте, при котором сопротивление полупроводника зависит от его освещения. Под действием света электроны из кристаллической решетки полупроводника переходят в свободное состояние (в зону проводимости). Изменение сопротивления обнаруживается по изменению тока в слое проводника. [c.243]

Если поглощение фотонов в полупроводнике сопровождается увеличением его электропроводности за счет переброски электронов с примесных уровней или из валентной зоны в зону проводимости беч выхода электронов наружу, то такой процесс называется внутренним фотоэффектом. [c.271]

Дать сравнительную оценку фотоэлементов с внешним, вентильным и внутренним фотоэффектом. [c.139]

Рнс. 2.3. Схема включения фотоэлемента с внутренним фотоэффектом (селеновый фотоэлемент) [c.42]

Электронные вакуумные приборы [1, 15] используют внешний фотоэффект (фотоэлементы, фотоэлектронные умножители, электронно-оптические преобразователи) или внутренний фотоэффект (электронно-лучевые трубки). Электронно-вакуумные приборы имеют малый диапазон спектральной чувствительности к тепловому излучению (до длин волн 1,5—3 мкм), что ограничивает их применение. Фотоэлементы не получили широкого применения из-за малой чувствительности. [c.183]

Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость. Внутренний фотоэффект — это процесс ионизации атомов полупроводника под действием света, приводящий к образованию добавочных неравновесных носителей заряда. Добавочную проводимость, обусловленную внутренним фотоэффектом, называют фотопроводимостью. [c.425]

Г е р ш б е р г А. Е. Передающие телевизионные трубки, использующие внутренний фотоэффект, М,—Л.. Энергия , 1964, [c.407]

Динамическим методом Арнольду с сотр. [80] удалось обнаружить интересный эффект, который прямо подтверждает зависимость молекулярных сил от спектральных свойств взаимодействующих тел, Металлизация полупроводника кремния при его облучении белым ветом (вследствие внутреннего фотоэффекта — перехода части электронов в зону проводимости) вызывала соответственно и рост сил молекулярного притяжения. [c.99]

Из различных видов фотоэлектрических детекторов излучения, основанных на внешнем и внутреннем фотоэффекте (фотоэлементы, фотосопротивления, фотоумножители, счетчики фотонов, электронно-оптические [c.393]

При падении лучистой энергии на некоторые полупроводники или изоляторы наблюдается явление внутреннего фотоэффекта. Физическая сущность внутреннего фотоэффекта заключается в освобождении электро- [c.49]

Фотонные детекторы. Фотонные детекторы реализуют явление внутреннего фотоэффекта, при котором носители заряда не покидают материал детектора, а переходят в зону проводимости либо с примесного уровня, либо из валентной зоны. Спектральный ход детектирующей способности распространенных фотонных детекторов показан на рис. 7.6. [c.212]

Если полупроводниковый выпрямитель подвергнуть световому облучению, то можно наблюдать два эффекта уменьшение сопротивления (фотопроводимость) и появление разности потенциалов на его зажимах (внутренний фотоэффект). Прибор, известный иод названием фотодиод, представляет собой германиевый р—га-переход, вмонтированный в прозрачную капсулу. Он может работать как с напряжением смещения, так [c.298]

Действие фотоэлементов с внутренним фотоэффектом основано на том, что при падении лучистой энергии с соответствующей длиной волны на некоторые полупроводники и изоляторы их сопротивление уменьшается. Такими свойствами обладают многие [c.106]

Фотоэлементы — приборы, в которых световая энергия преобразуется в электрическую. Это преобразование световой энергии в электрическую связано с явлением фотоэффекта. Фотоэффектом называют явление отрыва электронов от атомов различных веществ под влиянием световой энергии. Различают внешний и внутренний фотоэффекты. Если поместить две металлические пластинки в стеклянный баллон, в котором создать разряжение (рис. 17), и приложить к ним разность потенциалов, то гальванометр покажет отсутствие тока в цепи. При освещении поверхности катода К светом начнется фотоэлектронная эмиссия, т. е. испускание электронов с поверхности катода. Под действием электростатического поля электроны будут двигаться [c.43]

Для определения оптической плотности применяют фотоколориметры двух типов визуальные и фотоэлектрические. В последних в видимой области света применяют, главным образом, селеновые фотоэлементы (наиболее чувствительные при к = 680 нм) — с внутренним фотоэффектом (см. стр. 270) или, реже, сурьмяно-цезиевые (А, = 480 нм)—с внешним фотоэффектом. Наибольшей точностью отличаются дифференциальные фотоэлектрические приборы, основанные на уравнипанци интенсивности двух световых пучков с номощьво щелевой диафрагмы. [c.177]

Приемники излучения. Подразделяются на тепловые, обладающие высокой инерционностью, и фотоэлектрические — практически безынерционные. В УФ и видимой областях спектра абсорбционные измерения проводят с помощью фотоэлементов, имеющих внешний фотоэффект (вакуумные или газонаполненные фотоэлементы и фотоумножители). В ИК области спектра в качестве приемника применяют фотоэлементы с внутренним фотоэффектом — фогосо-противления, балометры (приемники радиации, принцип действия которых основан на зависимости сопротивления металла или полупроводника от температуры), термоэлементы и оптико-акустические приемники. [c.55]

Особый класс полупроводниковых фотоэлементов с запирающим слоем, работающих на основе внутреннего фотоэффекта, не требует питания током от внешнего источлика, так как в них создается фото-электродвижущая сила при освещении. Фотоэлементы широко используются в автоматике, сигнализации, звуковом кино, изготовлении солнечных батарей и т.д. Цезий используется также для активации термоэлектронной эмиссии с вольфрамовых катодов электронных ламп. Если работа выхода с поверхности чистого вольфрама порядка 4,5 эв, то с поверхности вольфрама, активированного напыленной пленкой цезия, она снижается до 1,4 эв. Ток эмиссии при заданной температуре может возрасти на 10 порядков и больше. [c.274]

Сульфиды АзаЗз и ЗЬгЗз используют для образования тонких диэлектрических пленок при изготовлении пленочных конденсатрров в микросхемах. По данным некоторых исследователей, именно эти сульфиды являются наиболее технологичным материалом для получения диэлектрических пленок термическим испарением в вакууме, так как высокая упругость их паров достигается при сравнительно низкой температуре (400—500° С). Хорошие диэлектрические свойства в пленках имеет стибнит ЗЬгЗз малую проводимость (4-10 ом-см), значительную диэлектрическую проницаемость (а = 18—20), большую светочувствительность и др. Поэтому его в настоящее время наиболее широко применяют как материал для создания фотопроводящих тонких (2—3 мкм) слоев мишеней передающих телевизионных трубок (видиконов), в которых используется внутренний фотоэффект. Как материалы для изготовления мишеней видиконов интересны некоторые халькогенидные стекла, (гл. IX, 5), селениды мышьяка, сурьмы и их комбинации ЗЬ Зз ЗЬгЗез, АзаЗз-Аз Зез и др. [c.303]

Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом основаны на уменьшении сопротивления при облучении светом определенной длины волны. Они изготовляются из специальных полупроводниковых материалов, например из сплава талофид (сульфид таллия с окисью таллия или сульфидом свинца). Эти фотоэлементы чувствительны в инфракрасной области спектра. [c.466]

При внутреннем фотоэффекте первичным процессом является поглощение фотона с энергией, достаточной для возбуждения электрона в зону проводимости или на локальнью уровни, расположенные в запрещенной зоне полупроводника (см. гл. V). Если оптическое возбуждение электронов происходит из валентной зоны в зону проводимости, то наблюдается собст-венная фотопроводимость, которую 11111 [c.425]

Развитие полупроводниковой технологии позволило разработать и изготавливать серийно полупроводниковые приборы для регист рации ионизирующих излучений. Работа полупроводниковых при боров [1, 21] основана на внутреннем фотоэффекте, проявляющем ся в том, что при воздействии излучения изменяется удельная элек трическая проводимость полупроводникового вещества за счет из менения числа носителей зарядов (электронов или дырок), коли чество которых связано с интенсивностью излучения и его энергий Для регистрации ионизирующих излучений используют полупровод никовые резисторы с одним проводящим слоем и устройства с не сколькими слоями, имеющими различные типы проводимости. [c.310]

Приемники с внутренним фотоэффектом, такие, как РЬ8, РЬЗе и 1п8Ь, в 10-100 раз более чувствительны, чем термоэлектрические, но они эффективны только в ограниченных областях длин волн (рис. 2.5), поэтому их можно использовать только в специальных целях. Чувствительность и спектральная область работы этих приемников могут быть улучшены охлаждением до температуры жидкого азота. [c.23]

Ширина запрещенной зоны для разных веществ различна для Si, Ge, GaAs и Na l она составляет соответственно 1,21 0,75 1,45 и 7,0 эВ. Принято считать полупроводниками вещества с шириной запрещенной зоны менее 1,5 эВ. В металлах запрещенная зона отсутствует (принято считать, что зона проводимости и валентная зона перекрываются), а в диэлектриках превышает 1,5 эВ. Если ширина запрещенной зоны невелика, то в результате теплового движения электроны могут преодолевать ее. Поэтому электропроводность полупроводников, в отличие от металлов, круто растет с повышением температуры. Переход через зону возможен также и при поглощении кванта энергии, чем объясняется так называемый внутренний фотоэффект, т. е. резкое увеличение проводимости под действием излучения. [c.295]

Внутренний фотоэффект в полупроводниковых устройствах возникает тогда, когда энергия поглощаемых полупроводником квантов света hv превышает энергетическую шрфину запрещенной зоны, отделяющей валентную зону от зоны проводимости. В результате образования в объеме полупроводника свободных электронно-дырочньпс пар возникает собственная фотопроводимость. Поскольку на границе р-п перехода существует контактная разность потенциалов, то, оказавшись вблизи этой границы (в результате диффузии), пары свободных носителей заряда (электроны и дырки) разделяются на ней с образованием фото-ЭДС, полярность которой противоположна контактной разности потенщ1алов. Если к такому детектору подключить внешнее сопротивление, то через него потечет электрический ток. Рассмотренный вентильршй режим работы полупроводникового детектора (без внешнего источника электропитания) не получил широкого применения для детектирования излучения из-за неудовлетворительных временных характеристик и узости линейного динамического диапазона световой чувствительности. [c.395]

Наиболее часто в технических телевизонных системах применяется видикон — электронно-лучевая вакуумная трубка, использующая внутренний фотоэффект с накоплением зарядов. Видикон имеет меньшую чувствительность, чем суперортикон, и несколько хуже передает быстро движущиеся изображения. Спектральные характеристики видикона определяются материалом фотокатода. Например, мишени для работы в видимом диапазоне света изготавливают из соединений сурьмы, селена, мышьяка, серы в инфракрасном— из сульфида свинца в ультрафиолетовом — из селена, обладающего широкой спектральной характеристикой. На базе видикона созданы другие электронно-лучевые трубки, например, плум-бикон и кремникон, реализующие успехи полупроводниковой технологии и имеющие более сложные мишени, что позволяет увеличить чувствительность и снизить инерционность трубки. [c.235]

В фотоуровнемерах используют фотоэлементы с внешни. фотоэффектом и фотоэлементы с внутренним фотоэффектом (фотосопротивления). Фотоэлементы с внешним фотоэффектом (вакуумные) применяют чаще, так как они обладают высокой стабильностью характеристик и малой инерционностью. Фотосопротивления имеют очень большую интегральную чувствитель- [c.87]

Как видно, электрофоточувствительность и термопластичность некоторых фракций нефтяных смол Советского месторождения Томской области позволяют использовать изученные соединения для ФТП записи информации. Данные по исследованию электрофизических свойств и внутренний фотоэффект подтверждают электронный характер проводимости нефтяных смол. [c.130]

Для того чтобы лучше понять принцип действия полупроводниковых фотоэлементов, вернемся к оиисанию механизмов дырочной и электронной проводимостей. Полупроводниковый материал, электрическая проводимость которого меняется при изменении освещенности, называют фотосопротивлением. Изменение электропроводности сопротивления связано с изменением концентрации носителей под воздействием освещения. Ранее всех из фотосопротивлений были изучены селеновые, которые однако не следует путать с современными фотосопротивлениями с внутренним фотоэффектом, содержащими селен. В настоящее время фотосопротивления изготавливаются в основном из таких материалов, как сульфиды и селениды кадмия и свинца. Темновое сопротивление типичного полупроводникового фотосопротивления составляет порядка нескольких тысяч мегом, тогда как ири среднем уровне освещенности оно не превышает нескольких тысяч ом. В табл. 22.1. приведены параметры фотоэлектрических приборов различных типов. [c.298]

Фотоэлектрические ПИ. действие которых в среднем ИК-диапазо-не основано на внутреннем фотоэффекте, чаще всего изготовляют в виде фоторезисторов и фотодиодов (табл. 15). В чувствительных пирометрах и тепловизорах обычно применяют ПИ на основе антимонида [c.86]

Наряду с описанными выше методами ДМЭ и РФЭС к современным методам исследования принадлежат метод дифракции отраженных электронов высокой энергии (ДОЭВЭ) и оже-спектроскопия. Оже-электроны, обнаруживаемые в спектре вторичных электронов, возникают в результате внутреннего фотоэффекта — освобождения электрона из энергетически более высоко лежащей оболочки после безызлучательного электронного перехода в том же атоме, возбужденном полученной энергией. Энергия оже-электронов характеризует данный элемент. Из наружных участков твердого тела эмитируются электроны только первых двух или трех атомных слоев. Состав поверхностного слоя твердого тела и виды связи на его поверхности определяют, как и для описанных в разд. 3.3,7 спектров РФЭС, по положению пика в энергетическом спектре, изменению этого положения (химическому сдвигу) и по плрщади пика. [c.42]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология