Полупроводники типа

Рис. 21.40. Зонная структура полупроводников типа а" в " (сфалерит) [138].

Рис. 21.41. Зонная структура полупроводников типа А В (вюрцит) [138].

Большинство собственных полупроводников путем введения соответствующих примесей может быть выполнено как п- или р-тип. Такие полупроводники называют амфотерными. Например, примеси элементов VI группы (S, Se, Те) к полупроводникам типа A i сообщает им п-проводимость, а добавки элементов II группы (Mg, Zn, d) — проводимость p-типа. Однако некоторые полупроводники бывают только в виде одного типа. Например, ZnO и dS — только электронные, а Си О — только дырочный. С другой стороны, изменяя состав и характер примесей в амфотерном полупроводнике, можно получить смешанную проводимость (гибридные полупроводники). [c.459]

Отметим также факт существования полупроводниковых ядов — веществ, малейшие примеси которых могут лишить материалы их свойства полупроводимости. Например, для полупроводников типа А ЧВ такими ядами, как правило, являются Си, Ее, Со и Ni. [c.459]

При высоких температурах это соотношение выполняется, при низких большую роль по сравнению с собственной играет так называемая примесная электропроводность. Атом примеси может отдавать свой электрон (быть донором). Если энергетический уровень электрона примеси окажется вблизи от верхней зоны, то электрон может от примеси перейти к верхнюю зону и превратиться в электрон проводимости. Такие полупроводники называются полупроводниками -типа, или электронными. [c.655]

Для полупроводников типа (составляющих основу исследуе- [c.130]

Дефекты структур кристаллов также влияют на электрическую проводимость полупроводников, обычно вызывая дырочную проводимость. В зависимости от преобладания того или иного вида проводимости различают полупроводники типа п-типа и полупроводники р-типа. [c.137]

Для кремния данные по межфазной энергии 51 — 51, нам не известны. Поэтому для расчета атг кремния использовали определенный нами коэ( ициент перехода для германия — 1,24, так как по своим свойствам кремний во многом напоминает германий (оба полупроводники, тип структуры тот же, плавятся с уменьшением объема и т. д.). [c.9]

В качестве примера диссоциативной хемосорбции можно привести адсорбцию водорода на переходных металлах На2М2МН. При взаимодействии молекулы водорода с поверхностью металла электроны с ВЗМО молекулы водорода переходят на свободные -орбитали переходного металла. Распад молекулы водорода может протекать по гомолитическому или гетеролитическому механизму (см. 221). На оксидах —полупроводниках типа N10, СГ2О3 и др. — хемосорбция водорода сопровождается восстановлением оксидов с образованием гидроксидов металлов [c.642]

ДжДмоль-К) ур-ние температурной зависимости давления диссоциации g (гПa) = И,15-25200/Т (1000-1500 К). Полупроводник -типа ширина запрещенной зоны 0,65 эВ. [c.417]

На практике предпочитают использовать первые, поскольку они имеют более высокую электропроводность. В поверхностном слое полупроводников -типа присутствует избыток электронов, которые взаимодействуют на воздухе с молекулами кислорода [c.559]

В этой области потенциалов наблюдается образование под слоем а-окисла (Р10,,), нового фазового окисла, являющегося полупроводником / -типа. [c.151]

Рис. 47. Влияние хемосорбции на энергетическую схему полупроводника -типа согласно зонной модели.

Процессы адсорбции (1) и (1а) происходят обычно более быстро, чем реакции (2) и (2а), которым способствует наличие положительных дырок. По этой причине полупроводники р-типа обычно являются лучшими катализаторами, чем изоляторы, тогда как полупроводники -типа обладают наименьшей эффективностью. [c.241]

Полупроводник -типа кумулятивная хемосорбция [c.437]

Полупроводник -типа деплетивная хемосорбция [c.437]

При анализе чистых веществ требуется 1) определение как малых концентраций, так и малых абсолютных количеств тфимесей 2) иногда — анализ малых количеств пробы, содержащей к тому же ничтожные количества примесей, или чистых веществ в миниатюрном изделии (тончайшей полупроводниковой опенке) 3) нахождение способов различать объемную и поверхностную концентрации примесей 4) анализ микровключений 5) определение крайне малого отклонения содержаний основных компонешов от стехиометрического, например в полупроводниках типа А В и А В . Доказано, что большинство соединений имеет несте-хиометрический состав и что отклонения от стехиометрии, часто значительные, влияют на свойства твердых веществ, в частности на свойства полупроводников. Задачу здесь решает так называемая щ>ецизионная аналитическая химия, одним из основных методов которой является высокоточный вариаш кулонометрии. [c.453]

Наряду с указанными применяют также полупроводники типов At vi ( uS, uO, u O,. . . ), AiiBV (ZnO, ZnS, dS. ..), АШ ( u l, AgBr. . . ) и др. Кроме того, синтезированы и органические полупроводники. Если учесть еще и роль легирующих добавок, то можно сказать, что число полупроводниковых материалов становится неограниченно велико. Этот факт очень знаменателен, так как открывает важную для техники возможность синтеза полупроводников с наперед заданными свойствами (направленный синтез полупроводников). [c.459]

Монохалькогениды галлия и индия, получающиеся синтезом из элементов, являются полупроводниками типа Они устойчивы [c.183]

При невысоких температурах доля электронов, переп1едших в возбужденные состояния, невелика. Поэтому у полупроводников с собственной проводимостью валентная зона почти заполнена (свободные состояния имеются лишь у верхнего края зоны), а зона проводимости почти свободна (заняты состояния у дна 301И11). Соответственно почти пустая зона проводимости у полупроводника /г-типа и почти заполненная валентная зона у полупроводника / -типа. Как мы уже отмечали, поведение электронов почти пустой зоны аналогично поведению свободных электронов с массой т [формула (УП1. 47) для кинетической энергии и формула (УИ1.45) для энер[ етической плотности состояний]. Состояние электронов почти заполненной валентной зоны может быть. описано путем рассмотрения движения свободных квазичастиц — дырок [формулы (УП1.48) и (УП1.49)]. Соответственно говорят об электронной проводимости, обусловленной электронами зоны проводимости, и дырочной проводимости, обусловленной движением электронов ( дырок ) валентной зоны. В случае полупроводников с собственной проводимостью осуществляются оба механизма проводимости — электронный и дырочный. В случае полупроводников п-типа имеет мес- [c.194]

Полупроводниковые кристаллы-активные среды полупроводниковых лазеров. Излучение в них генерируется в результате переходов между энергетич. уровнями зоны проводимости и валентной зоны. Иссюльзуют [юлу-проводники типа А В , А "В , А В . Активные элементы изготовляют из монокристаллов (напр., dS, GaAs, InAs, PbS), содержащих в своем объеме области, для к-рых характерен электронно-дырочный переход (р - и-переход), и из кристаллич. гетероструктур, образованных чередованием кристаллич. слоев, различающихся по хим. составу, но имеющих одинаковый период кристаллич. решетки. Наиб, распространены гетероструктуры, образованные слоями полупроводников типа А "В на основе арсенидов, фосфидов, антимонидов Ga и А1 и их твердых р-ров. Гетероструктуры получают также на основе многокомпонентных (тройных и более) твердых р-ров замещения (напр., Al,Ga, As), в к-рых при изменении состава в широких пределах период решетки не меняется. Полупроводниковые монокристаллы [юлучают из особо чистых исходных в-в кристаллизацией из расплавов (метод Чохральского, горизонтально направленная или зонная кристаллизация в контейнере, бестигельная зонная плавка) и эпитаксиальным выращиванием тонких кристаллич. слоев при кристаллизации из газовой фазы или расплавов твердых р-ров. Необходимые характеристики достигаются введением примесей в расплав или методом ионного внедрения примесных атомов. В качестве легирующих примесей используют, напр., элементы П (Zn, d, Mg акцепторы электронов), IV, VI (Sn, Те, Se, S доноры) групп. Благодаря разнообразию полупроводниковых кристаллов созданы лазеры, излучающие в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм, обладающие малой инерционностью ( 10 с) и высоким кпд (до 50%), работающие как в импульсном, так и в непрерывном режиме (мощности 10 Вт при длительности импульса 3 НС и 10 Вт соответственно). Лучевая прочность полупроводниковых Л. м. ограничивает выходную мощность лазеров. [c.566]

Современные твердофазные материалы исключительно многообразны по составу /И охватывают практически все элементы периодической системы. Как правило, материалы имеют сложный состав, включая три и более химических элемента. Из простых веществ в качестве материалов используют в основном алюминии, медь, углерод, кремний, германий, титан, никель, свинец, серебро, золото, тантал, молибден, платиновые металлы. Материалы на основе бинарных соединений также сравнительно немногочисленны. Среди них наиболее известны фториды, карбиды и нитриды переходных металлов, полупроводники типа халькоге-нидов цинка, кадмия и ртути, сплавы кобальта с лантаноидами, обладающие крайне высокой магнитной энергией, и сверхпровод-никовые сплавы ниобия с оловом, цирконием или титаном. Намного более распространены сложные по составу материалы. В последнее время нередко в химической литературе можно встретить твердофазные композиции, содержащие в своем составе свыше 10 химических элементов. [c.134]

Двуокись титана сохраняет свою структуру в диапазоне TiOj g — TiO 2, о и является полупроводником -типа. [c.118]

Развитие полупроводниковой техники привело к созданию малогабаритных терморезисторов, которые в сочетании с глубоким охлаждением позволяют получить высокую чувствительность, быстродействие и увеличить К- К таким преобразователям относятся фоторезисторы на основе антимонида индия и германия, легированного различными металлами (см. табл. 5.6), и полупроводники типа кадмий — ртуть — теллур . Постоянная времени для этих фоторезисторов уменьшается при более глубоком охлаждении от 1 МКС (77 К) до 0,01 МКС (4,2 К). [c.183]

На поверхности серебра всегда присутствует тонкий полупроводниковый чехол, который представляет собой, вероятно, твердый раствор металла с кислородом илп обогащенный металлом полупроводник типа AgjO. По своим каталитическим и адсорбционным свойствам поверхность ката.пи.чатора неоднородна. [c.110]

Квазиностоянные эффекты в основном обусловлены дефектами решетки, которые могут вызвать значительные изменения электронной структуры твердого тела и даже воздействовать на превращение полупроводника -типа в полупроводник / -типа и наоборот. Поскольку электронная структура влияет на каталитические свойства, последние будут также изменяться. [c.221]

Поверхностные уровни на полупроводниках типа Ое образуются свободно торчащими 5-орбитами, которые энергетически выгоднее р-о.рбит и могут захватить электрон [376]. Возможно, что данные Фролова и Раджабли [377], не нашедших различия в каталитической активности п- и р-Ое, дробленного в вакууме, по отношению к дегидрированию изо-СдН,ОН, объясняются влиянием очень большого числа поверхностных состояний, образовавшихся при дроблении. [c.114]

Смотреть страницы где упоминается термин Полупроводники типа: [c.173] [c.642] [c.161] [c.407] [c.170] [c.342] [c.352] [c.381] [c.478] [c.384] [c.191] [c.559] [c.82] [c.96] [c.102] [c.342] [c.415] [c.450] [c.18] [c.34] [c.108] [c.7]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология