Фотолитография обратная

Другие способы обратного маскирования. Недостатки, связанные с введением фоторезиста в вакуумную систему, можно избежать, применяя для создания защитного негативного рельефа другие легко растворимые материалы. Но в этом случае необходимо ввести дополнительную операцию, а именно, осаждение пленки, из которой должен быть создан защитный негативный рельеф методами обычной фотолитографии. О таком способе сообщается в работе Мэрфи [131], который использовал пленку В1гОз, полученную реактивным распылением. Этот окисел имеет хорошее сцепление со стеклом и легко растворяется в 1%-ном растворе хлористоводородной кислоты. При последующем осаждении пленки, в которой [c.625]

I) Обратная фотолитография. Простейшим способом создания защитного негативного рельефа является использование для этой цели фоторезиста, Методы создания защитного рельефа те же, что и в обычной фотолитографии, После осаждения пленки рельеф фоторезиста может быть удален со всех участков поверхности подложки с помощью набухания фоторезиста в соответствующих органических растворителях и осторожного механического удаления этого рельефа. Для того, чтобы сохранить пленку на боковых участках (участок 5 на рис, 17), чтобы она была здесь тоньше или даже с разрывом, толщина защитного рельефа должна быть больше, че.м толщина пленки. Это позволяет растворителю проникать к защитному рельефу под пленкой, взаимодействовать с ним, при этом легче вымываются выступающие над поверхностью участки пленки. [c.624]

Основное преимущество обратной фотолитографии состоит в том, что в этом случае отпадает необходимость в применении сильнодействующих химических реактивов, которые обычно необходимы для вытравливания материала пленки. Этот метод, в первую очередь, представляет интерес [c.624]

Способ контактной маски отличается от способа свободной маски тем, что при его использовании маска изготовляется и существует только неносредственно на подложке и не может быть от нее отделена. Существуют две разновидности способа контактной маски однопленочная и двухпленочная. При использовании однопленочной контактной маски (рис. Л-13,а) сначала на подложке создают рельефный рисунок из фоторезиста. Затем на фоторезист напыляют требуемый материал, например хром, и подложку опускают в растворитель для фоторезиста. Последний, растворяясь, увлекает за собой лежащую на нем металлическую пленку, которая остается только на тех местах, где она осаждалась непосредственно на подложку. Способ однопленочной контактной маски иногда называют взрывной или обратной фотолитографией. [c.44]

Нихром. О технологическом процессе и отдельных трудностях, которые встречаются при травлениях пленок нихрома, редко сообщают в печати, потому что эти материалы запатентованы. Нихром взаимодействует со сравнительно сильными реактивами. Чаще всего в этом случае предпочитают применять методы обратной фотолитографии [107] (см. разд. 4А) и травление методом распыления (см, разд. 4Б). Для химического травления в сочетании с фоторезистом KTFR [83] предлагают. следующие смеси [c.608]

В обычной фотолитографии слой фоторезиста наносится поверх слоя пленки, которая затем подвергается травлению и представляет собой позитивное изображение рисунка, который в дальнейшем должен быть изготовлен, Существуют также и обратные методы, когда негативный защитный рельеф сначала создается прямо на подложке, после чего уже на него осаждается, например, пленка металла, В результате этого пленка осаждается непосредственно на подложке только в незащищенных участках, Последующие операции приведены на рис, 17. На конечной операции зашигный рельеф удаляется растворителем, который взаимодействует только с материалом защитного слоя, но не с материалом пленки. Для того, чтобы этот метод мог быть применим, необходимо хорошее сцепление с подложкой, [c.624]

На полученных структурах были изготовлены с помощью фотолитографии мезафотодиоды. Были измерены основные электрические характеристики фотодиодов обратные вольт-амнернъш характеристики, шумовой сигнал, зарядные емкости р—и-пере-ходов, последовательное сопротивление и спектральные характеристики. [c.144]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология