Штарковские уровни

Мультиплет Положение штарковских уровней, nм- Количество компонент ДЕ, м- [c.90]

Кристалл aF типа I, 77° К [45] Штарковские уровни центра типа L 0, 82, 202, 744 5 4 744 [c.90]

Штарковские уровни центра типа М 0, 36 5 2 36 [c.90]

Ч, , 2 Штарковские уровни центра типа N 0, 42 5 2 42 [c.90]

Штарковские уровни центра типа 11 [c.94]

Мультиплет Положение штарковских уровней, м- Количество компонент ДЕ, сл1-> [c.99]

Положение штарковских уровней, см-i [c.100]

Положение штарковских уровней, см- [c.101]

Мультиплет Положение штарковских уровней, см- Количество компонент ДЕ, ГЛ4- [c.103]

Положение штарковских уровней, .u-i Количество компонент АЕ, см- [c.104]

Положение штарковских уровней, .u- [c.105]

Штарковские уровни а-центра [c.105]

В предыдущих разделах были рассмотрены рабочие схемы ОКГ на основе неорганических кристаллов, стимулированное излучение которых обусловливалось электронными переходадги между штарковскими уровнями примесных ионов. Дополнительные возмончности активированных кристаллов [c.33]

Температурными эффектами, наблюдающимися в спектрах стимулировапного излучения, являются плавное изменение частоты генерации и встречающееся довольно часто у ряда кристаллов резкое переключение каналов индуцированного излучения, связывающих разные пары штарковских уровней двух рабочих мультиплетов активаторного иона Наиболее полные исследования температурного поведения линий стимулировапного излучения, охватывающие широкий интервал температур, проведены с кристал.тамп, активированными ионами Nd + [4,5,32]. Этот выбор объясняется тем, что иопы Nd + в большинстве случаев придают. лазерным кристаллам удовлетворительные спектроскопические свойства и обеспечивают реализацию четырехуровневой рабочей схемы па переходах Чи и [c.66]

И, наконец, отметим порядок 1)асположения таблиц положений энергетических уровней лазерных кристаллов сначала перечисляются таблицы с штарковскими уровнями простых фторидных кристаллов, затем смешанных фторидных систем и т. д. В этом ностроении на первое место поставлены кристаллы с ТК -ионами, затем среды с ТК +-ионами, актинидами и с ионами группы железа. [c.88]

Мульти- плет Поло. кепие штарковских уровней, с.н-i Количеотпо компонент АЕ, с.и-ч [c.89]

Мультиплет Положение штарковских уровней, с.н- теор. эксперим. [c.98]

Мультиплет Поло>1 оппе штарковских уровней, см- Количество компонент ДВ, с.И 1 [c.109]

На рис. 6.2 демонстрируются уточненные схемы кристаллического расщепления состояний и 1 / - д, й также связанные с ними спектры инфракрасной люминесценции и поглощения. Здесь необходимо отметить, что для ионов Nd + такая двойная проверка положения штарковских уровней по данным анализа спектров люминесценции и поглощения является весьма желательной, поскольку только в этом случае достигается высокая гарантия правильности результатов, от которых в значительной степени зависит последующая идентификация индуцированных переходов. Все линии спектров и переходы на схемах для удобства сопоставления связаны нумерацией. Как видно, только для одного мультиплета число экспериментально наблюдаемых штарковских компонент не соответствует ожидаемому (см. гл. 4). Информацию о положении уровней основного состояния можно также получить при исследовании поглощения, связанного и с другими мульти-нлетами, например, как это видно из рис. 6.2, для перехода [c.191]

Поэтому учет их в любом случае не является принципиально важным. Наконец, безызлучательной релаксацией в канале -> как уже отмечалось выше, можно пренебречь, так как распад метастабильного состояния обусловлен главным образом люминесценцией (см. поведение температурной зависимости Тдюм на рис. 0.3.) По оценкам [408] время безызлучательной релаксации с уровня должно составлять 30 мсек, что почти в 120 раз превышает Тлюм 255 мксек. Скорости безызлу-чательных переходов между штарковскими уровнями одного мультиплета (прямые процессы) на несколько (4—7) порядков превосходят скорости любых переходов между соседними состояниями (многофононные про- [c.201]

Смотреть страницы где упоминается термин Штарковские уровни: [c.269] [c.370] [c.67] [c.70] [c.73] [c.73] [c.74] [c.85] [c.86] [c.87] [c.87] [c.88] [c.88] [c.91] [c.92] [c.109] [c.195] [c.201] [c.202] [c.202] [c.203] [c.203] [c.204]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология