Полярная плоскость

Ось полярна, если два ее конца не совпадают в результате преобразований симметрии, свойственных группе симметрии данной фигуры. Аналогичное определение применимо к двум сторонам полярной плоскости. [c.64]

Дети дошкольного возраста и первоклассники часто рисуют линейные узоры, подобно тем, которые изображены на рис. 8-6. Эти узоры-двумерные с периодичностью в одном направлении (О ). Они имеют особую ось, и для узоров, изображенных на этом рисунке, она неполярна. Однако оси могут быть и полярными. На рис. 8-7 представлены две греческие декоративные ленты одна из них имеет полярную ось, а ось другой ленты неполярна. Важная черта узоров, изображенных на рис, 8-6 и 8-7,-наличие у них особой полярной плоскости, которой является плоскость чертежа. Эта плоскость остается неизменной при переносе. Такие двумерные узоры с периодичностью в одном направлении называют бордюрами [2]. На рис. 8-8 представлены три других бордюра с заметно полярными осями. [c.364]

Индексы экв —экваториальная плоскость пол —полярная плоскость. [c.196]

Введем цилиндрическую систему координат г, г, 0, ось г которой совместим с осью цилиндра, а начало отсчета — с плоскостью поперечного сечения. Полярная плоскость [c.27]

Как видно из табл. 1, максимальная разница в интенсивностях рефлексов с нечетными hhh от полярных плоскостей [c.72]

Экспериментальные (2-я строка) и теоретические (1-я и 3-я строки) значения отражательной способности рентгеновских лучей полярных плоскостей (П1) и (1 Г 1 ) кристаллов фосфида галлия [c.78]

Полученные в работе [342] монокристаллы W имети форму правильной равнобедренной треугольной пластины со сторонами, параллельными плоскостям (10 10). Подобную форму монокристаллов получали Пфау, Рикс, Кортевилл, Понс, Фрейзер (нри выращивании монокристаллов W пз жидкого кобальта), что, по [342], является следствием полярности плоскостей (10 10). [c.103]

При изучении природы и характера химической связи в кристаллах методами рентгенографического анализа возникает ряд трудностей при интерпретации интенсивностей изме-ренпых рентгеновских дифракционных спектров. Интенсивность рассеянных рентгеновских лучей чувствительна не только к состоянию атомов в кристалле, но и к степени его совершенства. Большинство реальных монокристаллов, полученных к настоящему времени, не идеально мозаичные и не идеально совершенные. Теоретические же расчеты рассеяния рентгеновских лучей существуют только для этих двух крайних случаев. Целью настоящей работы являлось измерение отражательной способности рентгеновских лучей полярных плоскостей (111) и (ПГ) монокристаллов фосфида галлия и сравнение результатов эксперимента с теоретическими значениями этих величин. [c.72]

Используя это явление, методо.м рентгенографического анализа некоторые исследователи провели идентификацию полярных плоскостей кристаллов типов сфалерита 1 —4] и вуртцита [5]. [c.73]

С целью изучения характера химической связи в арсениде галлия в работе [9] измерялись интенсивности рентгеновских рефлексов от полярных плоскостей (А) и (В). Было установлено, что часть заряда переходит от галлия к мышьяку, а между ближапшимн соседями разнородных атомов наблюдается электронный мостик . Следует отметить, что налич е электронного мостика в GaAs было показано раньше Н. Н. Сиротой и др. [10]. [c.73]

Для определения полярности кристалла фосфида галлия использовался травитель HF + HNO3 [6]. Фигуры травления сразу на обеих полярных плоскостях выявлялись этиловым спиртом -Ь25% Вг2 [8]. На рис. 1 приведены фигуры травления для фосфида галлия. Экспериментально установлено, чго плотность дислокаций увеличивается от центра пластинки к краю (рис. 2). На рис. 3 приведены фигуры травления участков кристалла фосфида галлия с различной плотностью дислокаций. [c.74]

Измерения отражательной способности р участков монокристалла фосфида галлия с различной плотностью дислока-циГ] показали, что с ее увеличением р увеличивается (рис. 4). При измерении отражательной способности полярных плоскостей (111) и (Ilf) учитывался тот факт, что плотность дислокаций вдоль слитка выращенного монокристалла, но крайней мере в пределах толщины пластинки, на KOTopoii производились из.мерения, не изменяется. На обеих сторонах пластинки для измерения выбирались участки, симметричные относительно оси кристалла. Измерения показали, что отражательная способность плоскостей (111) и (111) кристалла фосфида галлия для Си /Са-излучения для всех трех порядков отражения (111, 222 н 333) в пределах экспериментальноГ ошибки (2—3%) одинаковая (с.м. табл. 2), что согласуется с теоретическими подсчетами. [c.74]

На Си, Яд-монохроматическом излучении измерена отражательная способность рентгеновских лучей от полярных плоскостей (111) и (111) фосфида галлия. Измерения показали, что отражательные способности плоскостей (111) и (111) для трех порядков отражения (111, 222, 333) одинаковые, что подтверждается теоретическими подсчетами. Проведены подсчеты отражательной способности идеально совершенного по-глощаюшего и идеально мозаичного кристаллов. Показано, что экспериментальные значения отражательной способности реального кристалла фосфида галлия лежат между теоретическими величинами, подсчитанными для этих двух крайних случаев. [c.274]

Оно лежит поэтому в плоскости Т1 = О, которая является полярной плоскостью точки х относительно абсолютной поверхности. Эту квадрику мы будем называть абсолютом пространства относительно точки х. Из равенства (XXXV) следует [c.58]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология