Кристалл реальный

Внещняя форма кристаллов зависит от типа кристаллической решетки вещества. Существует 32 вида симметрии идеальных кристаллов. Реальная фЪрма кристаллов, образующихся при массовой кристаллизации, зависит от условий проведения процесса (наличия примесей, температуры и скорости ее изменения, степени пересыщения раствора и интенсивности его механического перемешивания и т. д.). Отдельные кристаллы образуют агрегаты или кристаллические сростки различной формы. Кроме того, в зависимости от внешних условий один и тот же раствор может давать различные кристаллы (явление полиморфизма). [c.134]

Скорость роста кристалла будет определяться следующими факторами 1) скоростью образования зародышей кристаллизации и 2) скоростью отвода тепла от фронта кристаллизации так, чтобы температура в нем не превышала температуры плавления растущего центра кристаллизации. Практически в любом расплаве присутствуют примеси, которые влияют на скорость роста и чистоту кристалла. Реальные процессы кристаллизации всегда связаны с относительно большими скоростями роста так, что равновесие между расплавом и растущим кристаллом не успевает устанавливаться, т. е. оттесняемая от фронта кристаллизации в расплав примесь (при < 1) не успевает равномерно распределяться по всему объему жидкости, и концентрация примеси у границы раздела возрастает (рис. 47). Таким образом, кристалл растет из слоя расплава, обогащенного примесью, причем это обогаще- [c.84]

Теоретическая плотность природного фафита по данным рентгеновского анализа составляет 2,2-2,5 г/см. Искусственные фафиты из-за дефектов и пористости имеют более низкую плотность. Структура фафита определяет сильную анизотропию физико-химических свойств вдоль параллельных направлений к поверхности кристаллов. Реальные структуры фафитов отличаются от идеальных наличием в них дефектов различных типов. При нарушении порядка чередования сеток возникают дефекты упаковки слоев. При большом количестве дефектов возникает так называемая турбостратная структура. Атомы углерода в сетках при этом не занимают идеальных положений, а смешены относительно плоскости сетки. [c.8]

Понятие о дислокациях было введено Тейлором в тридцатых годах для объяснения низкой механической прочности металлов. В настоящее время теория дислокаций превратилась в теорию, позволяющую с единой точки зрения объяснить широкий круг явлений в кристаллах, в том числе процессы их роста и пластической деформации. Еще несколько" лет назад теория дислокаций состояла из гипотетических построений и встречала сдержанное отношение со стороны ряда специалистов. Однако за последние годы были получены экспериментальные доказательства того, что дислокации в кристаллах реально существуют и обладают предсказанными теорией свойствами элементарных дефектов решетки [3]. Ниже будут кратко изложены основные представления о дислокациях, необходимые для интерпретации электронно-микроскопических данных. [c.167]

Для целей настоящей статьи удобно связать классификацию органических твердых веществ со степенью упорядоченности или неупорядоченности в расположении их молекул. При такой классификации достаточна подразделить вещества на три широких класса, а именно на стеклообразные, кристаллические и текстурированные. К первым двум классам применимы понятия соответственно полной неупорядоченности и совершенного порядка в расположении составляющих молекул. К первому классу, стеклам, относятся такие твердые вещества, у которых средние положения молекул исключают наличие дальнего порядка. Если молекулы расположены так, что образуют характерную картину дальнего порядка, близко приближающуюся к пространственной решетке, то твердое вещество можно отнести ко второму классу — кристаллическим веществам. Пространственная решетка представляет собой идеализированный неограниченный в пространстве совершенный кристалл. Реальные кристаллы имеют многие несовершенства, дефекты, нарушения и другие виды неупорядоченности. Однако такого типа неупорядоченность может создаваться или строго локальными образованиями и особенностями, или нарушениями пространственной решетки, или же отсутствием ориентационной упорядоченности молекул. Твердые вещества могут быть отнесены к третьему классу, текстурированным веществам, в том случае, если несовершенства и неупорядоченность в расположении молекул достигают, не приводя к полному беспорядку, существующему в стеклах, такой степени, что использование пространственной решетки для описания структуры становится бесполезным. К текстурированным твердым веществам относятся, например, вещества, образующие сферолит-ные структуры, составляющие кристаллиты которых агрегированы не беспорядочно, а могут рассматриваться как элементы сложного монокристалла [53]. Следует обратить внимание на тот факт, что внимание исследователей пока ограничивалось фактически только поверхностью кристаллов, и остается лишь надеяться, что в ближайшем будущем исследования поверхностей коснутся также органических стекол и текстурированных твердых веществ. [c.361]

В результате механической деформации, наличия загрязнений и т. п., расположение атомов в кристаллической решетке может измениться и наряду с основной структурой может возникнуть вторичная структура — кристаллическая решетка искажается. Поэтому большинство металлических кристаллов — кристаллы реальные — отличается от идеальных кристаллов. [c.13]

Выведенные соотношения справедливы для выделения посторонней фазы на идеальной подложке, т.е. на атомарно гладкой грани кристалла. Реальная поверхность обычно имеет ступеньки, например, ступеньки скола или ступеньки скольжения атомных и микроскопических размеров, которые облегчают образование зародышей (см. 14.2). Следствием этого является образование зародышей преимущественно вдоль ступенек (индуцирование ступеньками). Эффект индуцирования ступеньками можно описать, преобразовав выведенные выше уравнения. [c.309]

Решетка — это абстракт-ный математический образ, с помош,ью которого фиксируется расположение узлов в пространстве. Кристалл реальное физическое тело, имеющее решетчатое строение-, узлами кристаллической решетки являются ионы, атомы или молекулы. [c.20]

Вычисленная по формуле (4.9) величина р — это плотность идеального кристалла. Реальная плотность кристалла обычно меньше, чем р, из-за наличия дефектов в структуре. Реальная плотность кристаллов может быть чувствительным индикатором степени дефектности структуры. Для определения реальной плотности кристаллов применяют обычные методы измерения плотности твердых тел метод пикнометра, [c.202]

Реальные состояния вещества находятся между этими двумя предельными состояниями. Переход от идеального кристалла к идеальному газу можно описать посредством промежуточных состояний реальные кристаллы, жидкие кристаллы, реальные жидкости, идеальные жидкости, реальные газы. При этом часто бывает трудно четко разграничить эти состояния и разграничение связано с некоторым произволом. [c.14]

Выще рассматривались кристаллические многогранники при идеальном развитии кристалла. Реальные кристаллы, особенно при массовой кристаллизации, такую форму принимают редко. Обычно в зависимости от скорости кристаллизации, интенсивности движения раствора, положения растущих кристаллов и других причин одинаковые по строению грани могут развиваться по-разному. Поэтому кристаллы одного и того же вещества часто отличаются друг от друга не только своими размерами, но и внешним видом, т. е. габитусом. Однако несмотря на различие во внешнем виде углы между соответствующими гранями во всех кристаллах данного вещества остаются постоянными. Это важнейшее свойство кристаллов, связанное с их внутренним строением, носит название закона постоянства углов. Последний хорошо иллюстрируется рис. 14, на котором изображены кристаллы кварца, выросшие в различных условиях [c.25]

В I томе при обсуждении вопросов геометрии дифракционного эффекта была введена упрощенная модель кристалла реальный кристалл был заменен трехмерной совокупностью одинаковых точечных атомов, расположенных по закону простой решетки . В этих условиях все дифракционные лучи должны обладать одинаковой амплитудой, пропорциональной количеству элементарных ячеек кристалла, так как для любого дифракционного направления лучи, отраженные соседними атомными плоскостями, имеют разность фаз в целое число периодов (рис. 1а). [c.7]

Рассеяние рентгеновских лучей кристаллом—33, 46 Рассеяние рентгеновских лучей кристаллом, идеальным—61, 75 Рассеяние рентгеновских лучей кристаллом, поглощающим—61, 63 Рассеяние рентгеновских лучей кристаллом, реальным—49 Рассеяние рентгеновских лучей кристаллом, с учетом экстинкции—74, 75, 76 Рассеяние рентгеновских лучей совокупностью атомов—28 Рассеяние рентгеновских лучей центросимметричной системой—84 Рассеяние рентгеновских лучей электроном—13 [c.624]

Твердое тело можно рассматривать как совокупность большого числа атомов, молекул или ионов ( 10 моль" ), связанных друг с другом обычными силами межатомного взаимодействия (см. гл. 4). Свойства твердого тела являются коллективными свойсгвами всей совокупности составляюишх его частиц. Твердое тело является в некотором роде большой молекулой , и подходы к описанию его свойств принципиально не отличаются от рассмотренных )з предыдущих главах для молекул. Однако большое число атомов, образующих твердое тело, делает невозможным прямое перенесение на него методов количественного расчета электронных и пространственных характеристик молекул и требует учета упорядоченности структуры твердого тела. В данной главе проиллюстрируем основную схему описания электронного строения твердых тел на примере атомных и молекулярных кристаллов, включающих бесконечное число идентичных атомов или молекул, однородно упакованных в регулярные ряды и плоскости, заполняющие весь объем кристалла. В отличие от такого идеального кристалла реальные кристаллические тела содержат дефекты кристаллической решетки, нарушающие регулярность. Крайним случаем нарушения регулярности является совсем случайное, хаотическое расположение атомов или молекул в твердом теле, какое наблюдается в аморфных твердых телах, как и в жидкостях. В зависимости от степени регулярности расположения атомов или молекул в твердом теле используют и различные модели для описания их строения и свойств. [c.523]

Вследствие своей макс. упорядоченности К. с. в-ва характеризуется мнним. внутр. энергией и является термодинамически равновесным состоянием при данных параметрах-давлении, т-ре, составе (в случае твердых растворов) и др. Строго говоря, полностью упорядоченное К. с. реально не м. б. осуществлено, приближение к нему имеет месю прн стремлении т-ры к О К (т. наз. идеальный кристалл). Реальные тела в К. с. всегда содержат иек-рое кол-во дефектов, нарушающих как ближний, так и дальний порядок. Особенно много дефектов наблюдается в твердых р-рах, в к-рых отдельные частицы и нх группировки статистически занимают разл. положения в пространстве. [c.534]

Однако электропроводность у ионных кристаллов существует. Это не электронная электропроводность, а ионная (так называемый электроперенос). Механизм электропроводности заключается в следующем. В кристаллах (реальных) всегда существуют вакантные узлы кристаллической решетки, концентрация этих вакансий тем больше, чем выше температура. При наложении внешнего электрического поля заряженные ионы совершают перескоки в вакансии так, что в результате получается направленный перенос электрического заряда. Подвижность ионов неодинакова, и перенос в основном осуществляется ионами одного знака (например, в кристалле Na l электроперенос осуществляется [c.217]

Скорость встраивания частии в кристалл относительно велика, а скорость поступления вещества к кристаллу мала. В этом случае, очевидно, лимитирующим процессом является питание кристалла. Реально наблюдаемая скорость роста будет равна предельно возможной скорости диффузии при данном значении движущей силы процесса кристаллизации. Описанный процесс называется диффузионно-ли-митируемым (протекающим в диффузионной области). В этом случае кристалл истощает около себя раствор настолько, что концентрация вещества вблизи поверхности грани практически равна концентрации насыщения раствора при данной температуре (рис. 1-20). [c.40]

Для описания многих статических и динамических свойств свойств изотонически разупорядоченных кристаллов хорошим первым приближением оказывается модель приближение) виртуального кристалла реальная решётка с хаотично распределёнными изотопами заменяется на решётку без изотопического беспорядка, где масса атома каждого элемента равна средней массе соответствующих изотопов. [c.64]

Рост кристаллов. Реальный кристалл представляет собой многогранник, ограниченный определенным числом шшских поверхностей. При наличии пересыщения раствора образуется массовый поток кристаллизан-та к поверхности частиц. В силу своей физической природы идеальный кристалл увеличивает свои размеры послойно. Причем характер атомных связей в кристалле таков, что разные по строению грани растут по своим законам, т. е. в общем случае необходшю вводить несколько (по числу граней) зависимостей, определяющих изменение размеров кристалла. Подобная ситуация значительно усложняет расчет протекания массовой кристаллизации. В настоящее время теория массовой кристаллизации, учитывающая независимый рост нескольких граней кристалла, еще недостаточно разработана [8-10]. Поэтому на практике в основном используют понятие эквивалентного радиуса кристалла. Например, за радиус реального кристалла принимают радиус шара, объем которого совпадает с объемом кристалла. Ясно, что подобный подход носит ограниченный характер. В частности, при помощи него нельзя описывать исчезновение отдельных граней кристалла в [c.333]

Для ориентированных срастаний наиболее благоприятны выделения из парообразного состояния (напыление примесного компонента в высоком и сверхвысоком вакууме). По современным представлениям эпитаксия обусловлена целым рядом параметров. В качестве важнейших следует назвать аналогию строения (структурногеометрическое подобие) срастающихся плоскостей кристаллических решеток, т.е. пх симметрию и расстояние между элементами решетки в плоскостях, характер связи в основном и примесном кристалле, скорость напыления, температуру кристалла, реальную структуру подложки, глубину вакуума (остаточное давление и природа остаточной газовой атмосферы), степень покрытия [c.337]

Таким образом, конфигурация ферроценового ядра не обязательно является антипризматической, а меняется от кристалла к кристаллу. Поэтому естественно, что молекулы производных б с-ферроценила принимают в кристалле реальную конфигурацию, при которой их форма оказывается наиболее компактной. Действительно, все эти молекулы обладают трансконфигурацией относительно простой связи углерод—углерод, связывающей разные сэндвичи. При этом, за исключением [c.124]

Прочность и твердость тела зависит не только от энергии связи между атомами кристаллической рещетки, но и от макроструктуры, v777г кристалла. Реальные кристаллы содержат большое количество дефектов трещины, раковины, инородные включения и др. Эти дефекты в значительной [c.59]

Основная часть всех изученных кристаллов обладает мозаичной структурой или др)пгими структурными пороками, так что можно противопоставлять идеальные кристаллы реальным это вынуждает нас остановиться на этих вопросах при рассмотрении осуществления принципов геометрического построения в кристаллах. [c.90]

Цшиммер указал, что из двух факторов — скорости образования кристаллических центров и линейной скорости роста кристаллов реальное значение для практики имеет только скорость роста, получившая название кристаллизационной способности , и определяемая не только величиной максимальной скорости роста, но и шириной температурного интервала кристаллизации стекла. [c.41]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология