Кристалл мозаичный

Рентгенографические методы анализа щироко используются для изучения структуры, состава и свойств различных материалов, и в том числе, строительных. Широкому распространению рентгенографического анализа способствовала его объективность, универсальность, быстрота многих его методов, точность и возможность решения разнообразных задач, часто не доступных для других методов исследования. С помощью рентгенографического анализа исследуют качественный и количественный минералогический и фазовый состав материалов (рентгенофазовый анализ) тонкую структуру кристаллических веществ — форму, размер и тип элементарной ячейки, симметрию кристалла. Координаты атомов в пространстве (рентгеноструктурный анализ) степень совершенства кристаллов и наличие в них зональных напряжений размер мозаичных блоков в монокристаллах тип твердых растворов, степень их упорядоченности и границы растворимости размер и ориентировку частиц в дисперсных системах текстуру веществ и состояние поверхностных слоев различных материалов плотность, коэффициент термического расширения, толщину листовых материалов и покрытий внутренние микродефекты в изделиях (дефектоскопия) поведение веществ при низких и высоких температурах и давлениях и т. д. [c.74]

Регулярными совокупностями атомов являются а) кристаллический блок с правильной периодической структурой б) поликристалл, состоящий из хаотически ориентированных кристаллических блоков (монокристаллов), в) мозаичный кристалл, состоящий из кристаллических блоков, разделенных границами (средний угол мозаичности составляет доли градуса), г) идеальный кристалл. [c.83]

Примером дефектов грубого строения служит мозаичное строение кристаллов. При сильном увеличении на грани внешне даже весьма совершенного кристалла можно различить отдельные уча- [c.166]

В реальных кристаллах часто наблюдаются небольшие смещения блоков кристалла (мозаичная структура). На границах смеш,енных областей располагаются линейные дефекты, обычно называемые дислокациями. [c.159]

Микродефекты разделяют кристалл на блоки, величина которых сравнима с кристаллической ячейкой (10 —10 сг. ), поэтому оптически их обнаружить невозможно. Такие несовершенства придают строению кристаллов мозаичный характер. По форме микродефекты можно разделить на изометричные (дырки, или вакансии, и межузловые атомы в решетке) и линейные (дислокации). [c.18]

В настоящее время вместо употребляемого автором термина структура чаще говорят макроструктура , а также предложен, хотя и не общепринят. более подходящий термин текстура , которым обозначается способ построения реальных твердых тел из кристаллов, мозаичных блоков, включений. пор и т. д. — Прим. ред. [c.483]

ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАЗМЕРОВ ЧАСТИЦ И БЛОКОВ В МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЕ КРИСТАЛЛОВ, [c.100]

Под микронапряжениями обычно понимают напряжения, которые уравновешиваются в объеме отдельных кристаллов или частей кристаллов (мозаичных блоков). Расчет их основан на представлении о том, что [c.145]

Объемы, ограниченные пунктирными линиями, остаются эффективно постоянными, так как угловой интервал покачивания кристалла в области отражения невелик. Формулу (IV.4з) можно применить и к мозаичному кристаллу, так как интегральное отражение каждого блока мозаики пропорционально его объему. [c.88]

В зависимости от величины частиц в рентгенографическом анализе применяют различные методы определения их размеров. Для установления размера зерен при их величине >0,1 — 1 мкм используют зависимость между размером зерен и числом пятен на дебае-грамме. Определение величины частиц (зерен в поликристаллах, мозаичных блоков в кристаллах) от 0,2—0,3 до 1—2 мкм основано на эффекте экстинкции — уменьшении интенсивности линий рентгенограммы. Размер частиц (например, мозаичных блоков) величиной <0,1 мкм находят, используя эффект расширения (размытия) линий рентгенограммы. [c.100]

Формулы интенсивности рассеяния представляют произведения ряда множителей. Вывод этих формул требует использования сведений из атомной и ядерной физики, знания классической и квантовой теории рассеяния, а также основ физики твердого тела (динамики решетки, структурных дефектов, понятий о реальном, мозаичном и идеальном кристаллах и др.). [c.10]

Сравнение (IV.29) с (IV.4) показывает, что пренебрежение взаимодействием первичной волны с отраженными волнами (кинематическое приближение) дает для мозаичного кристалла [c.97]

Таким образом, поправка на первичную экстинкцию в мозаичном кристалле, содержащем тп слоев, имеет вид [c.98]

В гл. I было показано, что в рамках кинематической теории рассеяния рентгеновских лучей дифракционный спектр идеально мозаичного кристалла (Н) описывается следующей формулой [c.99]

В предыдущем изложении предполагалось, что во всем кристалле, вне зависимости от его размера, сохраняется правильное расположение атомов. Однако тщательные исследования показывают, что это не так и при различных условиях роста кристалла в нем возникают разнообразные дефекты. Например, реальный кристалл обладает мозаичным строением, т. е. он состоит из отдельных блоков размером около 10 м. Внутри каждого блока существует правильное распо- в [c.241]

Та часть теории дифракции рентгеновских лучей, которая относится к анализу связи их интенсивности со структурой кристалла, покоится на представлении об идеально мозаичном строении кристалла (кинематическая теория интенсивности). Это представление предполагает, [c.74]

Та часть теории дифракции рентгеновских лучей, которая относится к анализу связи их интенсивности со структурой кристалла, покоится на представлении об идеально мозаичном строении кристалла (кинематическая теория интенсивности). Это представление предполагает, что кристалл построен из небольших идеальных блоков, имеющих несколько различную ориентацию в [c.91]

Кристаллит. Небольшие кристаллы, единственный дефект которых заключается в существовании внешней поверхности. Можно полагать, что в решетке есть искажения, но она не сдвинута. Кристаллиты могут затем соединяться в мозаичные блоки. [c.438]

Если теперь обратиться к представлениям о мерности, то по достаточно очевидным причинам с увеличением мерности макромолекул от 1 до 3 (переход от линейных к сетчатым полимерам), всякая анизотропия исчезает, и такой ковалентный кристалл отличается от обычного только значительной затрудненностью образования дефектов по Френкелю. Напомним также, что поскольку равновесное состояние реального кристалла обязательно предполагает наличие мигрирующих дефектов, а ликвидированы они могут быть лишь приложением очень высоких давлений, то своеобразным выходом из конфликта являются всегда относительно малые размеры или мозаичная структура ковалентных кристаллов. Это одна из причин — хотя далеко не единственная,— по которой искусственные алмазы получают при сверхвысоких давлениях, а сами они — как и другие искусственные драгоценные камни — очень малы. [c.92]

Мозаичное строение кристаллов нашло подтверждение в опытах по определению прочности кристаллов в зависимости от их величины. Эти опыты показали, что прочность кристаллов значительно возрастает с уменьшением их размеров. При размерах порядка 10 см (что соответствует размеру отдельных блоков) прочность кристаллов достигает значений, в сотни раз превышающих прочность макроскопических кристаллов, и хорошо согласуется с теоретически рассчитанной прочностью. Очевидно, что реальные большие кристаллы разрушаются прежде всего по границам блоков, связанных друг с другом более слабыми сила- [c.255]

Сдвиг атомов каждого последующего параллельного слоя происходит по осям X п Y таким образом, что атомы каждого третьего слоя находятся под атомами каждого первого. Таким образом, если первый слой решетки обозначить А, второй В, то распределение слоев в кристалле описывается как АВ АВ. ....Вектор переноса атомов углерода равен 0,1418 нм и соответствует трансляции решетки, обозначаемой знаками V - Весь кристалл графита описывается в виде уЛ у Д- Расстояние между совпадающими по расположению атомов слоями равно 0,6708 нм. В натуральном и искусственном графитах обнаруживается другая кристаллическая модификация — ромбоэдрическая (рис. 1-5, б) [1-2]. Параметры ее решетки а = 0,246 нм и с = 0,335 X 3 = 1,005 нм. В этой модификации, обозначаемой как AB AB . ... или S7 S/AAA, величина трансляции Л и V равна 0,4118 нм. Ромбоэдрическая модификация появляется в хорошо кристаллизованном натуральном графите, подвергнутом механическим воздействиям, например помолу. Его образование связано с относительно большими деформациями сдвига [1-3]. При таких деформациях в гексагональном графите могут наблюдаться фазовые вкрапления ромбоэдрического гра( )ита на протяжении примерно десяти последовательно располагающихся слоев. Его содержание в зависимости от ряда условий находится в пределах 5-22% (объем). В монокристаллах гексагонального графита методом микродифракции электронов обнаруживается около 5% ромбоэдрического графита. В кристаллах мозаичной структуры также можно предполагать присутствие его небольших количеств, неразрешаемых рентгеноструктурным анализом. Указанная модификация соответствует метастабильному состоянию и полностью исчезает при нагреве до 3000 С. [c.23]

Примем среднюю длину молекулы равной 10 Л. Тогда для тетрила при 100°/г,кидк./ тв. = 30 и =1800 А, а для циклотриметилнитрамина при 200° шидк./ тв. = 10 и =600 А. Отсюда следует, что либо составляющие кристалл мозаичные блоки, либо сами индивидуальные кристаллы очень малы. Такой вывод может объяснить часто наблюдаемую независимость скорости разложения от размера кристаллов. Эта гипотеза основывается, конечно, на предположении, что реакция происходит только на поверхности кристалла, а не во всем объеме твердого тела. Однако и противоположное допущение столь же хорошо объясняет независимость скорости реакции от размера кристаллов, поэтому опытные данные не дают возможности отдать предпочтение какой-либо из этих точек зрения. [c.349]

ГЧ УЛьпые кристаллы. Кристаллы, состоящие из соверщенно оди-нaк JBыx элементарных ячеек, называются идеальными. Образующиеся в реальных условиях кристаллы могут несколько отличаться от кристаллов идеальных. Реальные кристаллы построены из некоторого числа блоков правильного кристаллического строения, расположенных приблизительно параллельно друг другу, ио все же несколько дезориентированных. Это явление называется мозаичностью структуры кристаллов, которая ведет к возникновению дислокаций, т. е. линейных, а также поверхностных и объемных дефектов структуры, образующихся 1з процессе роста кристаллов или же при пластической деформации. Помимо дислокаций в реальных кристаллах образуются также участки неупорядоченности, локализованные обычно около отдельных узлов решетки, — так называемые плоские дефекты. [c.72]

Представление об ячеистой, или мозаичной, поверхности базируется на современных представлениях о строении кристаллов. Еще в 1914 г. было показано и подтверждено дальнейшими работами, что кристаллы представляют мозаику из блоков с линейными размерами в Ю- —10 см. Следствием объемной мозаики является представление и о поверхностной мозаике, примерно с теми же размерами. Рельеф поверхности катализатора или кристалла показан на рис. 32, где приведены энергетические (о) и геометрические (б) барьеры и энергетические ямы (в). Таким образом, предположение Н. И. Кобозева о наличии замкнутых областей миграции атомов является реальным фактом. Любая энергетическая или геометрическая неоднородность поверхности приводит к ограничению латеральных смещений атомов и препятствует скучиванию их в крупные arpe- [c.145]

Понятие о ЛГэфф может быть распространено также на ферромагнетик, на который внешние силы не действ>тот. В таком случае а является величиной внутренних напряжений, возникающих в результате наклепа, мозаичной структуры и других несовершенств кристаллов, из которьгх состоит тело. Даже в идеальном монокристалле конечных размеров при охлаждении в точке Кюри П0яв ггся напряжения. При образовании доменной структуры возникают как области с антипараллельным направлением (180 -соседство), так и области с перпендикулярным направлением векторов (90°-соседство). Во втором случае магнитострикция доменов вызовет внутренние напряжения [10, 84]. [c.54]

Монокристаллы обладают блочной анизотропной В плоокости (0002) субструктурой, обусловленной макроскопической депланацией. Кристаллы более совершенны в доль длинной стороны. Блоии монокристаллсв имеют развитую и.чотропную мозаичную структуру. [c.96]

Различие между блоками мозаики и идеальным кристаллом чисто количественное. В зависимости от способа получения размеры блоков мозаичного кристалла могут меняться от 10 см до мм, тогда как линейные размеры идеального кристалла могут достигать 5—10 см. В дифракционных экспериментах граница между кристаллическим блоком и идеальным кристаллом определяется экстинкционной длина, показывающей, при каких размерах блоков необходимо учитывать взаимодействие рассеянных волн с первичной волной в кристалле. Экстинкционная длина определяется сечением рассеяния, т. е. степенью взаимодействия излучения с веществом. Для рентгеновского излучения эта длина- 10 см, тогда как для электронов и нейтронов она сдвигается соответственно в область меньглих и больших размеров. [c.83]

При малом тд формула (IV.32) переходит в формулу интенсивности для мозаичного кристалла 5 (Н)иитегр = QV. В случае, когда можно пренебречь первичной экстинкцией, размеры блока кристдлла определяются из равенства тд л 0,4—0,5. Поскольку д зависит от А, и структурной амплитуды, то в разных случаях и для разных отражений он будет различным. Для сильных отражений величина поправки на экстинкцию больше. Предельный размер блоков в идеально мозаичном кристалле не должен превышать 1000 атомных слоев, что соответствует 10 — 10 см. Формула интенсивности динамической теории применима к когерентно рассеивающим кристаллам, толщина которых составляет 10 атомных слоев, т. е. к кристаллам толщиной не менее 10 — 10" см. В промежуточной области 10 — 10 см следует пользоваться формулой (IV.32). Отметим, что указанные выше размеры блоков приведены для случая рентгеновского излучения. [c.98]

Применяя методы диффузии в фотолитографии, можно получать в определенных местах р—п-переходы. В сочетании этих методов с методами эпитаксиального наращивания тонких пленок различных веществ, а также наращивания электролитическим методом металлов и травления по рисунку открываются широкие возможности изготовления различных узлов твердосхемных и пленочных устройств. Такими методами удается на одном полупроводниковом кристалле получать схемы, содержащие несколько транзисторов или диодов с необходимыми емкостными и резистивными элементами. Емкостные эле-гленты схем могут конструироваться не только на основе р—п-переходов, но и на основе диэлектрических слоев на поверхности кремниевых пластин. Об использовании фотолитографии для изготовления мозаичных люминесцентных телеэкранов см. далее ( 9). [c.360]

За последние примерно десять лет, благодаря применению методов оптической и электронной микроскопии высокого разрешения, были достигнуты определенные успехи в изучении механизма процессов кокеообразования при низкотемпературной карбонизации различ-. , ах пеков. Исследованиями Брукса и Тейлора [39-42], предложившими гипотезу процесса кокеообразования через мезофазные превращения коксуемого сырья, а также других авторов [43-54] было показано, что начальной стадией формирования микроструктуры коксов является образование частиц мезофазы - слоистых жидких кристаллов, состоящих из ароматических макромолекул и обладающих анизотропией свойств. Считается, что первые сферы мезофазы размерами 0,I мк появляются в зависимости ог типа коксуемого сырья при температурах 360-520°С. За счет слияния соприкасающихся сфер происходит укрупнение частиц. Скорость образования таких частиц определяется продолжительностью и температурой обработки, а также вязкостью изотропной массы. Процесс укрупнения сфер и образования мезофаз-ной матрицы сопровождается деформациями, приводящими к изменению формы частиц мезофазы. Деформированные частицы мезофазы в дальнейшем образуют жесткий коксовый каркас, состоящий из графитоподобных слоев. В зтой стадии пластичность материала и подвижность Шхромолекул резко снижаются, что в условиях продолжающихся химических превращений, сопровождающихся выходом летучих и усадками, приводит к образованию микротрещин и пор. Воздействием на процесс формирования мезофазы можно получить коксы волокнистой (игольчатой), тонкой-мозаичной (точечной), сферолитовой и грубой мозаичной текстур, существенно различающихся физико-химическими, т.е. эксплуатационными свойствами [55-59]. [c.9]

Отражения более высоких порядков имеют место при значениях Ь, кратных его значению для отражений первого порядка. Обычно в спектрометрах выдаются показания непосредственно в значениях Ь. Реально в большинстве спектрометров с полной фокусировкой используются кристаллы, лишь изогнутые по радиусу кривизны 2Н, без шлифовки их поверхности до полного совпадения с кругом фокусировки, так как шлифовка кристалла приводит к потере разрешающей способности из-за увеличения количества дефектО В и зон с мозаичной структурой. Такой компромиссный вариант, известный как оптика Иоганна, приводит к некоторой расфокусировке изображения на детекторе, но не вызывает заметного ухудшения разрешающей способности. В другом типе спектрометра с оптикой Иоганна поддерживается постоянньгм расстояние от источника до кристалла и кристалл изгибается так, чтобы К менялась с изменением Я в соответствии с (5.2). Несмотря на то что механическое устройство спектрометра такого типа несколько проще, чем линейного спектрометра, лишь только некоторые кристаллы, такие, как слюда и Ь1Р, допускают повторный изгиб без значительных повреждений. По этой причине спектрометры с изгибаемым кристаллом практически не используются в микроанализе. Оптика Иоганна была реализована в другом приборе — в спектрометре с полуфокусировкой , в котором также остается постоянным расстояние от источника до кристалла. Но в этом приборе в карусельном устройстве монтируются несколько изогнутых кристаллов с различными радиусами кривизны, каждый из которых можно устанавливать в рабочее положение, вместо одного изгибаемого кристалла. Однако условие фокусировки для каждого кристалла строго выполняется только для одной длины волны, и поэтому для других длин волн будут иметь место некоторая расфокусировка и потеря разрешающей способности и максимальной интенсивности. Достоинство этого устройства заключается в том, что положение источника рентгеновского излучения на круге фокусировки менее критично, в связи с чем рентгеновское изображение, получаемое при сканировании электронного луча по поверхности образца, менее подвержено влиянию эффектов расфокусировки, поскольку изображение уже расфокусировано в целом. [c.194]

Это ограничение подвижности в значительной мере насле-.дуется и полимерными кристаллами с мерностью 1, которые либо очень малы именно в направлении оси с (складчатые кристаллы, см. ниже), либо тоже имеют мозаичное строение, либо, если цепи распрямлены, кристаллы проявляют тенденцию к дроблению на более тонкие кристаллики типа монокристал-лических усов . [c.92]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология